INA821 经过优化,可提供较高的共模抑制比。当 G = 1 时,整个输入共模范围内共模抑制比超过 92dB。根据设计,此器件采用低电压运行,由 4.5V 单电源和高达 ±18V 的双电源供电。
数据
-
低失调电压:10µV(典型值)、35µV(最大值)
-
增益漂移:5ppm/°C (G = 1)、
35ppm/°C (G > 1)(最大值) -
噪声:7nV/√Hz
-
带宽:4.7MHz (G = 1)、290kHz (G = 100)
-
采用 1nF 容性负载时保持稳定
-
输入保护电压高达 ±40V
-
共模抑制:112dB,G = 10(最小值)
-
电源抑制:110dB,G = 1(最小值)
-
电源电流:650µA(最大值)
-
电源电压范围:
-
单电源:4.5V 至 36V
-
双电源:±2.25V 至 ±18V
-
额定温度范围:–40°C 至 +125°C
-
封装:8 引脚 SOIC 和 VSSOP
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