在整个MOSFET一个周期内的损耗有哪些？

接下来我们讨论一下Igs电流。

由于下拉电阻R2比栅极驱动电阻R3大很多，所以，接下来分析时忽略掉下拉电阻，这个时候就要看电容了。刚开始充电的是时候，电容的电压为0。所以，最开始的充电电流就是12V/100R=120mA，这就是Igs最开始的充电电流。

那么，如果GS电容的电充满了，对于R2下拉电阻这条电路而言的电流就是12V/18K=0.67mA，是一个特别小的电流。通过分析，我们知道，Igs电流是和Vgs电压是反过来的。

还有朋友在实测时，发现Vds电压波形与Id的电流波形是不同相位的，电流滞后于电压，这是由于电流探头精度不高引起的。电流探头上有一个频率，如果是Hz级别的，肯定是不行的，测不准的。电流能响应的开关频率要高才行，这样的探头要1万元左右，而且是有源电流探头，而价格低的电流探头延时性就很大。

虽然当米勒平台区过了之后，Vgs的电压会继续升高，但是随着Vgs的不断升高，Rdson还是会有变化，只有达到一定的电压了，Rdson才会达到数据手册上所宣称的阻值。实际上，根据大量的经验，一般我们认为当Vgs两端的电压达到10V以上时，Rdson才会达到最小值，如果再给一个余量的话，建议Vgs驱动电压差不多12V或15V，这也是因为这两个电压经常在电路中用到。

我们通过分析知道，MOSFET的米勒平台区域是最危险的区域。那么在整个MOSFET一个周期内，它的损耗有哪些呢？

t0-t1时刻，无损耗；

t1-t2时刻，有损耗，用平均电流Id/2*Vds；

t2-t3时刻，有损耗，用平均电压*Id；

t3-饱和导通时刻，有损耗；

饱和导通之后，导通损耗，Rdson*Id^2。

那么关断波形和开通是接近的，这里就不作分析了。

由于MOSFET在开通期间，既有电压又有电流，则存在开通损耗；那么在关断期间，也会有损耗，叫做关断损耗。

总结一下，MOSFET的四大损耗：开通损耗、关断损耗、导通损耗、续流损耗

由于Vbus电压和负载电流不能改变，所以开关损耗由米勒平台的时间决定的。要想降低开关损耗，就要缩短米勒平台的时间，减小栅极电阻的阻值，增大栅极驱动电流；提高栅极驱动电压；还有就是选择米勒电容的大小，也就是快管或慢管。

原文标题：从无到有，彻底搞懂MOSFET讲解（六 ）

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