DB HiTek完成了基于110纳米的全局快门和SPAD工艺的研发

- 完成了基于110纳米的全局快门和SPAD工艺的研发

- 可满足多种应用，包括汽车和工业机器视觉、增强现实（AR）/虚拟现实（VR）可穿戴设备等

据麦姆斯咨询报道，近日，DB HiTek公司宣布已研发出基于110纳米的全局快门（Global Shutter）和单光子雪崩二极管（Single-Photon Avalanche Diode，SPAD）工艺，并将扩展其图像传感器产品系列。

全局快门使得图像传感器能够同时感应所有像素的图像信息，即使在拍摄快速移动的物体时，也能准确记录视频和图像而不会失真。此外，全局快门还能助力机器视觉高度精确地识别物体形态。近来，全局快门广泛应用于工业机器视觉，此外还适用于汽车和无人机摄像头等各种应用。

DB HiTek的全局快门基于110nm背照式（BSI）工艺，并采用了遮光罩（light shield）和导光（light guide）技术，拥有99.99%的全局快门效率（GSE）性能，并且能支持最小至2.8um的多种像素尺寸。

DB HiTek的CMOS图像传感器技术路线图

SPAD是一种光电传感技术，可以检测到单光子水平的弱光信号。SPAD能够识别从传感器发射光线到物体反射回光线所需的飞行时间（ToF），从而测量出传感器与物体之间的距离。凭借长距离和高精度优势，SPAD被积极应用于车载激光雷达（LiDAR）等ToF测距领域，同时也适用于智能手机、AR/VR可穿戴设备、监控摄像头和工业机器视觉等各种应用。

DB HiTek以110纳米前照式（FSI）工艺为基础，实现了3.8%光子探测概率（@905纳米波长）性能，公司还计划在今年内实现BSI工艺，并完成7%光子探测概率（@905纳米波长）的SPAD工艺研发。

为了协助无晶圆厂客户按时进入市场并提高产品竞争力，DB HiTek将在今年9月提供专门为全局快门和SPAD技术研发的多项目晶圆（Multi Project Wafer，MPW）服务。

关于DB HiTek

DB HiTek前身是Dongbu HiTek（东部高科），是全球领先的专业晶圆代工厂，公司总部位于韩国，在BCDMOS、CMOS图像传感器（CIS）、MEMS、MS/RF和SJ MOSFET工艺方面具有竞争优势。

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