0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

硬创早报:三星全球首秀3nm!电压只需0.23V

电子工程师 来源:半导体产业基金 作者:半导体产业基金 2021-03-23 10:36 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

【巴西:华为不会成为该国政府使用的5G网络供应商】据外媒报道,巴西通信部长法比奥·法里亚在国会5G工作组公开听证会上表示,华为将不会被列入政府将使用的5G和私人通信网络供应商之列。当议员们询问华为是否可能被禁止参与某些特定项目时,法里亚表示,华为不符合巴西电信公司Anatel最近提出的竞标要求。不过,法里亚表示,巴西政府不会阻止任何国家或组织在巴西开展业务,但可以为自己的网络定义标准,比如要求供应商遵守与巴西上市公司相兼容的公司治理规则。

产业要闻

三星全球首秀3nm!电压只需0.23V

IEEE ISSCC国际固态电路大会上,三星(确切地说是Samsung Foundry)又首次展示了采用3nm工艺制造的芯片,是一颗256Gb(32GB)容量的SRAM存储芯片,这也是新工艺落地传统的第一步。

在三星路线图上,14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工艺节点,其他则是升级改善型,包括11/8/6/5/4nm等等。

三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术,再次实现了晶体管结构的突破,比现在的FinFET立体晶体管又是一大飞跃。

GAAFET技术又分为两种类型,一是常规GAAFET,使用纳米线(nanowire)作为晶体管的鳍(fin),二是MBCFET(多桥通道场效应晶体管),使用的鳍更厚更宽一些,称之为纳米片(nanosheet)。

三星的第一颗3nm SRAM芯片用的就是MBCFET,容量256Gb,面积56平方毫米,最令三星骄傲的就是超低功耗,写入电流只需要区区0.23V,这要感谢MBCFET的多种省电技术。

按照三星的说法,3GAE工艺相比于其7LPP,可将晶体管密度增加最多80%,性能提升最多30%,或者功耗降低最多50%。

或许,这可以让三星更好地控制芯片功耗、发热,避免再出现所谓的“翻车”。

三星3nm预计明年投入量产,但尚未公布任何客户。

台积电方面,3nm继续使用FinFET技术,号称相比于5nm晶体管密度增加70%,性能可提升11%,或者功耗可降低27%,预计今年晚些时候投入试产,明年量产,客户包括除了苹果、AMD、NVIDIA、联发科赛灵思博通高通等,甚至据说Intel也会用。

芯片短缺蔓延至手机市场:骁龙888短缺 三星中低端机型生产受阻

据国外媒体报道,自2020年下半年以来,芯片短缺问题就成为半导体行业的主旋律。如今,芯片短缺问题日益严重,包括汽车、手机、游戏机、PC在内的产业相继受到影响。

据悉,高通是HTC、索尼、诺基亚、LG、三星等公司的芯片供应商。而在国内,华为、中兴、联想、小米、海信、海尔等大多也都采用高通的骁龙处理器。如今,高通也出现了芯片短缺问题。

在过去几个月,高通芯片的需求飙升。然而,高通又难以满足高于预期的需求,部分原因是其芯片中使用的一些子部件出现短缺。

一位来自三星供应商的知情人士表示,高通芯片短缺对三星中低端机型的生产构成了冲击。而来自另一家三星供应商的知情人士也表示,高通的最新旗舰芯片骁龙888也出现短缺,但他并未透露这是否会影响三星高端手机的生产。

此前,小米和Realme都承认芯片组市场存在巨大短缺。在2月24日晚间,小米中国区总裁、Redmi品牌副总裁兼总经理卢伟冰曾在微博上表示:“今年芯片太缺了,不是缺,而是极缺。”

此外,Realme相关负责人也表示:“高通主芯片、小料都缺货,其中包括电源类和射频类的器件。”

手机供应链人士曾透露,高通全系列物料的交付期限已延长至30周以上,其中CSR蓝牙音频芯片的交付周期已达33周以上。

资本市场动态

一级市场

半导体及AIOT领域一级市场融资事件整理如下:

a0e835ac-8932-11eb-8b86-12bb97331649.png

二级市场

科创板及创业板半导体及AIOT相关公司上市状态更新如下:

a1cf05cc-8932-11eb-8b86-12bb97331649.png

-END-

责任编辑:lq

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 芯片
    +关注

    关注

    462

    文章

    53530

    浏览量

    458832
  • 晶体管
    +关注

    关注

    78

    文章

    10245

    浏览量

    146209
  • 半导体行业
    +关注

    关注

    10

    文章

    403

    浏览量

    41589

原文标题:硬创早报:三星全球首秀3nm 电压只需0.23V;芯片短缺蔓延至手机市场;巴西称华为不会成为该国政府使用的5G网络供应商

文章出处:【微信号:chinabandaoti,微信公众号:半导体产业基金】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    三星电机发布全球款 0402 inch X7S 100V 22nF 汽车级MLCC

    三星电机发布全球款车规级MLCC0402X7S100V22nF,贞光科技作为授权代理商,提供样品与技术支持,助力电动汽车OBC、Inverter、DC-DC等高压小型化应用。近日,
    的头像 发表于 11-20 17:01 994次阅读
    <b class='flag-5'>三星</b>电机发布<b class='flag-5'>全球</b><b class='flag-5'>首</b>款 0402 inch X7S 100<b class='flag-5'>V</b> 22nF 汽车级MLCC

    三星公布首批2纳米芯片性能数据

    三星公布了即将推出的代2nm芯片性能数据;据悉,2nm工艺采用的是全栅极环绕(GAA)晶体管技术,相比第二代3nm工艺,性能提升5%,功耗
    的头像 发表于 11-19 15:34 1001次阅读

    全球款2nm芯片被曝准备量产 三星Exynos 2600

    据外媒韩国媒体 ETNews 在9 月 2 日发文报道称全球款2nm芯片被曝准备量产;三星公司已确认 Exynos 2600 将成为全球
    的头像 发表于 09-04 17:52 2002次阅读

    三星S26拿到全球2nm芯片首发权 三星获特斯拉千亿芯片代工大单

    Performance Body-bias)方案的验证。Exynos 2600是全球款2nm手机芯片。 如果三星Exynos 2600芯片测试进展顺利,
    的头像 发表于 07-31 19:47 1469次阅读

    回收三星S21指纹排线 适用于三星系列指纹模组

    深圳帝欧电子回收三星S21指纹排线,收购适用于三星S21指纹模组。回收三星指纹排线,收购三星指纹排线,全国高价回收三星指纹排线,专业求购指纹
    发表于 05-19 10:05

    三星在4nm逻辑芯片上实现40%以上的测试良率

    三星电子在 HBM3 时期遭遇了重大挫折,将 70% 的 HBM 内存市场份额拱手送给主要竞争对手 SK 海力士,更是近年来首度让出了第一大 DRAM 原厂的宝座。这迫使三星在 HBM4 上采用
    发表于 04-18 10:52

    千亿美元打水漂,传三星取消1.4nm晶圆代工工艺

    在先进制程领域目前面临重重困难。三星 3nm(SF3)GAA 工艺自 2023 年量产以来,由于良率未达预期,至今尚未
    的头像 发表于 03-23 11:17 1731次阅读

    千亿美元打水漂,传三星取消1.4nm晶圆代工工艺​

    在先进制程领域目前面临重重困难。三星 3nm(SF3)GAA 工艺自 2023 年量产以来,由于良率未达预期,至今尚未获得大客户订单。
    的头像 发表于 03-22 00:02 2364次阅读

    三星已量产第四代4nm芯片

    据外媒曝料称三星已量产第四代4nm芯片。报道中称三星自从2021年次量产4nm芯片以来,每年都在改进技术。
    的头像 发表于 03-12 16:07 1.3w次阅读

    三星电机推出全球款超小型高容量MLCC

    近日,三星电机(Samsung Electro-Mechanics)宣布成功推出全球款专为自动驾驶激光雷达设计的1005尺寸超小型高容量多层陶瓷电容器(MLCC)。
    的头像 发表于 02-10 17:37 1020次阅读

    三星2025年晶圆代工投资减半

    工厂和华城S3工厂。尽管投资规模有所缩减,但三星在这两大工厂的项目推进上并未止步。 平泽P2工厂方面,三星计划将部分3nm生产线转换到更为先进的2n
    的头像 发表于 01-23 11:32 992次阅读

    三星否认重新设计1b DRAM

    据DigiTimes报道,三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM(1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,三星电子内部为解决12nm级DRAM内存产品面临
    的头像 发表于 01-23 10:04 1297次阅读

    三星电子1c nm内存开发良率里程碑推迟

    据韩媒报道,三星电子已将其1c nm DRAM内存开发的良率里程碑时间推迟了半年。原本,三星计划在2024年底将1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以达到结束开发工作、顺利进入量
    的头像 发表于 01-22 15:54 926次阅读

    三星1c nm DRAM开发良率里程碑延期

    据韩媒MoneyToday报道,三星电子已将其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM内存开发的良率里程碑时间从原定的2024年底推迟至2025年6月。这一变动可能对三星在HBM4
    的头像 发表于 01-22 14:27 1027次阅读

    三星重启1b nm DRAM设计,应对良率与性能挑战

    nm DRAM。 这一新版DRAM工艺项目被命名为D1B-P,其重点将放在提升能效和散热性能上。这一命名逻辑与三星此前推出的第六代V-NAND改进版制程V6P相似,显示出
    的头像 发表于 01-22 14:04 1314次阅读