DDR3价格水涨船高 产能紧缺何时才能改善
据外媒消息，日益严重的DDR3短缺，导致价格飞涨，三星电子也因此放缓了减少低密度DRAM产能的计划。
据统计，在这一波上涨行情中，三星2Gb DDR3的价格从0.95美元涨到了3美元左右，再创历史新高。三星4Gb DDR3也供不应求，需求持续旺盛，春节后已涨价至3.3美元以上，许多工厂接受高价补货。台湾内存厂商南亚科技连大客户一半的需求都满足不了，只好放弃小客户需求，努力留住大客户。在这轮缺货涨价中，南亚科技涨价甚至在三星之前。
2020年三星、海力士均传出将部分内存生产线改为CIS传感器产能。由于近几个月以来，5G、AI、笔记本电脑、平板、游戏机等需求持续旺盛，内存产能减少无法满足强劲需求。春节期间，三星奥斯汀工厂停电，原本紧张的产能更加雪上加霜。加上日本地震、德州雪灾，对目前极度紧张的半导体产能的巨大打击。业界预测，次轮内存缺货现象短期内难以改善。
编辑：jq
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
DDR3
+关注
关注
2文章
287浏览量
43932 -
AI
+关注
关注
89文章
38090浏览量
296553 -
5G
+关注
关注
1366文章
49067浏览量
590051
原文标题：DDR3价格飞涨，产能紧缺短期内难改善
文章出处：【微信号：gh_eb0fee55925b，微信公众号：半导体投资联盟】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
HummingBird EV Kit - DDR3 引脚不匹配是怎么回事？
下面是HummingBird EV Kit给的版图，其中DDR3_D0对应的应该是板子上的FPGA的C2引脚：
不过我在配置MIG的时候，通过读入ucf文件的方式配置DDR3 SDRAM的引脚
发表于 11-06 07:57
基于DDR200T开发板的e203进行DDR3扩展
由于e203内部DTCM空间较小，所以本队针对DDR200T开发板进行针对e203的DDR3存储器扩展。
论坛中所给出的e203扩展DDR的方法大致分为两种，一种是直接将DDR存储器的
发表于 10-21 12:43
DDR200T中的DDR3的使用配置
蜂鸟DDR200T中DDR3的ip配置案列，提供DDR3引脚配置。具体参数可更具项目实际更改。
这里选用的axi接口
在赛灵思的IP配置中没有MT41K28M6JT-125K内存的信息，因此选用
发表于 10-21 11:19
AD设计DDR3时等长设计技巧
本文紧接着前一个文档《AD设计DDR3时等长设计技巧-数据线等长 》。本文着重讲解DDR地址线、控制信号线等长设计，因为地址线、控制信号线有分支，SOC有可能带有2片DDR或者更多，我们叫做T型分支
发表于 07-29 16:14
•2次下载
AD设计DDR3时等长设计技巧
的讲解数据线等长设计。 在另一个文件《AD设计DDR3时等长设计技巧-地址线T型等长》中着重讲解使用AD设计DDR地址线走线T型走线等长处理的方法和技巧。
发表于 07-28 16:33
•4次下载
【RK3568+PG2L50H开发板实验例程】FPGA部分 | DDR3 读写实验例程
本原创文章由深圳市小眼睛科技有限公司创作，版权归本公司所有，如需转载，需授权并注明出处（www.meyesemi.com)
1.实验简介
实验目的：
完成 DDR3 的读写测试。
实验环境
发表于 07-10 10:46
在Vivado调用MIG产生DDR3的问题解析
下面是调用的DDR3模块的，模块的倒数第二行是，模块的时钟输入，时钟源来自PLL产生的系统时钟的倍频。
TPS51116 完整的DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 电源解决方案同步降压控制器数据手册
TPS51116为 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和
DDR模块的PCB设计要点
在高速PCB设计中，DDR模块是绝对绕不过去的一关。无论你用的是DDR、DDR2还是DDR3，只要设计不规范，后果就是——信号反射、时序混乱、系统频繁死机。
TPS51216-EP 增强型产品 完整的 DDR2、DDR3 和 DDR3L 内存电源解决方案 同步降压控制器数据手册
TPS51216-EP 以最低的总成本和最小的空间为 DDR2、DDR3 和 DDR3L 内存系统提供完整的电源。它将同步降压稳压控制器 （VDDQ） 与 2A 灌/拉跟踪 LDO （VTT） 和缓
DDR3 SDRAM配置教程
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代产品，相较于DDR2，
灿芯半导体推出DDR3/4和LPDDR3/4 Combo IP
灿芯半导体（上海）股份有限公司（灿芯股份，688691）宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平台的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。该IP具备广泛的协议兼容性，支持DDR3
DDR内存控制器的架构解析
DDR内存控制器是一个高度集成的组件，支持多种DDR内存类型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通过精心设计的架构来优化内存
三大内存原厂或将于2025年停产DDR3/DDR4
据报道，业内人士透露，全球三大DRAM内存制造商——三星电子、SK海力士和美光，有望在2025年内正式停产已有多年历史的DDR3和DDR4两代内存。 随着技术的不断进步和消费级平台的更新换代
工商网监
评论