HG5511D参数特性 60V低压MOS 40A结电容低 手机快充专用MOS管
MOS管型号：HG5511D
参数：60V 40A
封装：DFN3333
内阻：11mR(Vgs=10V)
14mR(Vgs=4.5V)
结电容：550pF
开启电压：1.8V
应用领域：车灯照明、车载电子、电动车应用、LED去频闪、LED升降压照明、太阳能源、舞台灯照明、加湿器、美容仪等电压开关应用。
【高频率 大电流 SGT工艺 开关损耗小】
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