H012N06L参数特性 替代PAO4264E 贴片MOS管SOP-8
MOS管参数：60V50A
内阻：14mR（VGS=4.5V）
结电容：550pF
类型：SGT工艺NMOS
开启电压：1.8V
封装：TO-252
H012N06L特点：高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强、SGT工艺，开关损耗小
应用领域：各类照明应用、太阳能电源、加湿器、美容仪等电源开关应用
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
150文章
9413浏览量
229626 -
场效应管
+关注
关注
47文章
1287浏览量
70246 -
MOS管
+关注
关注
110文章
2752浏览量
74925 -
MOS
+关注
关注
32文章
1616浏览量
99771
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
HG012N06X替代NCE6050KA 60V 50A增强型功率NMOS
HG012N06X替代NCE6050KA 60V 50A增强型功率NMOS
惠海半导体NMOS常用型号：3400 30N03 50N03 90N
发表于 11-18 09:59
中科微电ZK60N06DS：N+N，低压mos管功率控制的集成化新选择
的Trench工艺与紧凑的SOP-8封装，成功将“双管功能、单管占位”的优势落地，成为消费电子、工业控制、车载辅助等场景的优选功率器件。
MOS管FHP230N06V型号参数
，目前市场中常见的会有CS160N06、HY3906P、IRFB7537PBF等型号MOS管是可以用于低压工频逆变器中的。但今天飞虹半导体是想给大家推荐另外一款纯国产的低耐压、大电流、低导通电阻的功率 MOSFET。 它就是FH
工商网监
评论