3nm/5nm Intel CPU有望近期量产
此前有报道称，Intel正在考虑将一些芯片外包给台积电，以此来利用后者最先进的制程，比如7nm、5nm。
今日，TrendForce集邦咨询旗下半导体研究处表示，Intel目前在非CPU类的IC制造约有15~20%代工，主要在台积电与联电投片。
据悉，Intel 2021年正着手将酷睿i3 CPU的产品释单台积电的5nm，预计下半年开始量产。
此外，Intel中长期也规划将终端CPU交由代工，预计会在2022年下半年开始于台积电量产3nm的相关产品。
TrendForce表示，Intel扩大产品线代工除了可维持原有IDM的模式（垂直整合制造，指从设计、制造、封装测试到销售自有品牌IC都一手包办），也能维持高毛利的自研产线与合适的资本支出。
同时凭借台积电全方位的晶圆代工服务，加上整合小芯片（Chiplets）、晶圆级封装（CoWoS）、整合扇出型封装（InFO）、系统整合芯片（SoIC）等先进封装技术优势。
除了能与台积电在既有的产品线进行合作外，产品制造也有更多元的选择，同时有机会与AMD等竞争对手在先进制程节点上站在同一水平。
责编AJX
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
处理器
+关注
关注
68文章
20149浏览量
247197 -
台积电
+关注
关注
44文章
5787浏览量
174774 -
intel
+关注
关注
19文章
3506浏览量
190571
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
小米自研3nm旗舰SoC、4G基带亮相！雷军回顾11年造芯路
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）来了！雷总带着小米自研3nm旗舰手机芯片来了！ 在5月22日晚上的小米15周年战略新品发布会上，雷军宣布小米15S Pro、小米Pad7 Ultra两款设备首发搭载玄戒
3D封装的优势、结构类型与特点
近年来，随着移动通信和便携式智能设备需求的飞速增长及性能的不断提升，对半导体集成电路性能的要求日益提高。然而，当集成电路芯片特征尺寸持续缩减至几十纳米，乃至最新量产的 5nm 和 3nm
今日看点丨蔚来自研全球首颗车规5nm芯片！；沃尔沃中国区启动裁员计划
1. 蔚来自研全球首颗车规5nm 芯片！将对全行业开放 据了解，李斌在直播中介绍了蔚来自研神玑NX9031芯片，他表示：“这是全球首颗车规5nm的智驾芯片，这个应该说是量产非常不容易的，要能支持
发表于 07-08 10:50
•1970次阅读
台积电2nm良率超 90%！苹果等巨头抢单
当行业还在热议3nm工艺量产进展时，台积电已经悄悄把2nm技术推到了关键门槛！据《经济日报》报道，台积电2nm芯片良品率已突破 90%，实现重大技术飞跃！
跨越摩尔定律，新思科技掩膜方案凭何改写3nm以下芯片游戏规则
电子发烧友网报道（文/黄山明）在半导体行业迈向3nm及以下节点的今天，光刻工艺的精度与效率已成为决定芯片性能与成本的核心要素。光刻掩模作为光刻技术的“底片”，其设计质量直接决定了晶体管结构的精准度
三星在4nm逻辑芯片上实现40%以上的测试良率
%左右开始，随着进入量产阶段，良率会逐渐提高”。
星电子将在 12Hi HBM4 中采用 1c nm DRAM 内存芯片和 4nm 逻辑芯片， 虽然逻辑芯片端的初始成绩较为喜人，但 1c DRAM 方面
发表于 04-18 10:52
Cadence UCIe IP在Samsung Foundry的5nm汽车工艺上实现流片成功
我们很高兴能在此宣布，Cadence 基于 UCIe 标准封装 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽车工艺上实现首次流片成功。这一里程碑彰显了我们持续提供高性能车规级 IP 解决方案的承诺，可满足新一代汽车电子和高性能计算应用的严格要求。
千亿美元打水漂，传三星取消1.4nm晶圆代工工艺
次公开了 SF1.4（1.4nm 级别）工艺，原预计 2027 年实现量产。按照三星当时的说法，SF1.4 将纳米片的数量从 3 个增加到 4 个，有望显著改善芯片在性能和功耗方面的表
千亿美元打水漂，传三星取消1.4nm晶圆代工工艺
次公开了 SF1.4（1.4nm 级别）工艺，原预计 2027 年实现量产。按照三星当时的说法，SF1.4 将纳米片的数量从 3 个增加到 4 个，有望显著改善芯片在性能和功耗方面的表
曝三星已量产第四代4nm芯片
据外媒曝料称三星已量产第四代4nm芯片。报道中称三星自从2021年首次量产4nm芯片以来，每年都在改进技术。三星现在使用的是其最新的第四代4nm
DLP9500UV在355nm纳秒激光器应用的损伤阈值是多少？
DLP9500UV在355nm纳秒激光器应用的损伤阈值是多少，480mW/cm²能否使用，有没有在355nm下的客户应用案例？
这个是激光器的参数：355nm，脉宽5ns，单脉冲能量
发表于 02-20 08:42
台积电加大亚利桑那州厂投资，筹备量产3nm/2nm芯片
据最新消息，台积电正计划加大对美国亚利桑那州工厂的投资力度，旨在推广“美国制造”理念并扩展其生产计划。据悉，此次投资将着重于扩大生产线规模，为未来的3nm和2nm等先进工艺做准备。
苹果M5芯片量产，采用台积电N3P制程工艺
近日，据报道，苹果已经正式启动了M5系列芯片的量产工作。这款备受期待的芯片预计将在今年下半年面世，并有望由iPad Pro首发搭载。 苹果M5系列芯片的一大亮点在于其采用了台积电最新一
消息称台积电3nm、5nm和CoWoS工艺涨价，即日起效！
）计划从2025年1月起对3nm、5nm先进制程和CoWoS封装工艺进行价格调整。 先进制程2025年喊涨，最高涨幅20% 其中，对3nm、5nm等先进制程技术订单涨价，涨幅在
台积电2nm工艺将量产，苹果iPhone成首批受益者
。然而，最新的供应链消息却透露了一个不同的方向。据悉，A19系列芯片将采用台积电的第三代3nm工艺(N3P)进行制造，并将由即将发布的iPhone 17系列首发搭载。 虽然A19系列未能成为台积电2nm工艺的首批应用，但苹果并未
工商网监
评论