国内氮化镓、碳化硅等产值或达70亿元
日前，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲在2020国际第三代半导体论坛上透露，双循环模式推动国产化替代，2020年中国SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）电力电子和微波射频产值预计将约为70亿元。
其中，中国的GaN微波射频产业产值2020年将达到33.75亿元，比去年的26.15亿元将增长29%；SiC、GaN电力电子产业产值2020年将达到35.35亿元，比去年的29.03亿元将增长21.77%。
市场规模扩大，5G加速推进GaN射频应用迅猛增长，2020年中国GaN射频器件市场规模约170亿元；新能源汽车及消费电子成为突破口，2020年中国电力电子器件应用市场规模58.2亿元。
吴玲建议，探索构建第三代半导体产业创新生态，摸索“平台+孵化器+基金+基地”以及大中小企业融通发展的新模式，加强精准的国际与区域深度合作，共同努力使全链条进入世界先进行列。
吴玲预计，到2025年，5G通信基站所需GaN射频器件的国产化率将达到80%；第三代半导体功率器件将在高速列车、新能源汽车、工业电机、智能电网等领域规模应用；Mini/Micro LED、深紫外等材料及芯片产业化可实现在健康医疗、公共安全、信息交互等领域的创新应用。到2030年，国内将形成1~3家世界级龙头企业，带动产值超过3万亿元，年节电万亿度。
责任编辑:pj
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