恩智浦半导体在美设厂生产5G芯片

荷兰恩智浦半导体公司周二表示，已在美国亚利桑那州钱德勒市（Chandler）开设了一家工厂，生产用于5G电信设备的氮化镓芯片。

氮化镓是硅的替代品。 这种材料是5G网络中的一个关键成分，因为它可以处理5G网络中使用的高频，同时比其他芯片材料消耗更少的功率和占用更少的空间。

恩智浦表示，这座新工厂将生产6英寸芯片，此类芯片的尺寸是大多数传统硅芯片的一半，但在替代材料中很常见。该公司表示，新工厂将有一个研究和开发中心，以帮助工程师加速氮化镓半导体的开发和专利申请。恩智浦表示，预计该厂将于年底前达到全部生产能力。

美国两党议员提出多项与芯片相关的法案，计划耗资数百亿美元的巨额补贴，推动本国芯片产业发展，其原因是担忧中国崛起。

美国联邦国会为了推动半导体的国内生产，开始讨论新投入250亿美元规模的补贴。希望通过巨额的公共支援对抗中国，提升英特尔等美国大型企业的开发能力。其背景是如果对半导体生产的海外依存置之不理，除了产业竞争力的下降之外，还担忧有可能对安全保障和军事实力产生负面影响。

美国信息技术与创新基金会(ITIF)的分析显示，在世界半导体市场，以最大厂商英特尔为代表的美国企业的份额占到47％，远远超过居第2位的韩国（19％）和第3位的日本（10％）。不过，美国波士顿咨询集团统计显示，从产能来看，美国仅占世界的12％。

这是因为美国英伟达和美国高通等专注于半导体电路设计的无厂企业众多，生产委托给台湾等海外的情况很多。

如果直接关系到军事技术的半导体的美国国内生产出现空洞化，供给渠道将变得不稳定，成为安全保障方面的风险。另一方面，中国大陆产能的全球份额已达到15％，超过了美国。有预测称到10年后将增至24％，在世界范围跃居首位。

担忧中国崛起的美国国会和政权希望通过对半导体的巨额补贴，推动供应链回归美国国内。对半导体的公共支援计划列入2021财政年度（2020年10月～2021年9月）预算。参议院和众议院都在超党派审议自主的半导体支援法案，两院已启动了统一行动。推动制造业回归美国的特朗普政权还计划推动相关法案的通过。

截至9月26日浮出水面的超党派的两院统一法案的草案提出，面向半导体工厂和研究设施等，联邦政府每1件支付最多30亿美元的补贴。半导体工厂存在建设费达到100亿美元的情况，明显左右竞争力。建立150亿美元规模的基金，用10年时间展开投资的方案最有可能。

此外，对于安全保障方面机密性更高的半导体生产，存在国防部等提供50亿美元开发资金的方案。在美国半导体行业，英特尔在新一代产品的微细化技术上，落后于台积电（TSMC）。为了扭转劣势，还将向研究开发追加分配50亿美元的预算。对半导体的补贴仅联邦政府就达到合计250亿美元规模，各州和地方政府也将通过税收优惠等提供支援。

中国正在政企合作将半导体打造为支柱产业，2014年设立政策性基金。截至2019年的投资额达到1400亿元（约合205亿美元）。如果加上地方政府的相关基金，累计投资额为超过5千亿元的规模。中国提出到2025年使半导体的70％在国内生产的目标。高科技领域已经成为中美的主战场。

信奉市场主义经济的美国此前对于向特定产业投入巨额补贴持慎重态度。曾向尖端技术的研究开发等投入公共预算，但向工厂建设等直接投入补贴实属罕见。高科技领域的公共支援大战存在扭曲自由市场竞争的风险。

半导体是美国屈指可数的出口产业，巨额补贴的投入也有违反世界贸易组织（WTO）规则的可能性。美国此次的补贴构想打算涵盖台积电等海外企业在美国生产的情况，美国国会相关人士表示，“不属于违规出口补贴”。草案还提出创建与日欧等同盟国共同开发最新半导体的“多边基金”，这被认为意在缓解国际批评。

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