麒麟9000系列芯片将可能变成麒麟高端芯片的最后一代

在中国信息化百人会2020年峰会上，华为的消费者业务CEO余承东直言：华为要没芯片可用了。

余承东表示，今年秋季华为将发布品牌Mate40系列5G新品手机，并选择搭载麒麟9000系列芯片。不过，该系列手机或将成为最后一代搭载华为自产麒麟芯片的产品。

由于美国对华为的第二轮制裁，麒麟9000系列芯片将可能变成麒麟高端芯片的最后一代，绝版。原因，余承东说的很清楚：现在国内的半导体工艺上还没有赶上。

正如余承东所说的，华为代表着中国芯片产业所走过的艰难的道路，从严重落后、到有点落后、到赶上来、再到领先。

可是美国政府要摧毁所有领先于美国公司的外国公司，所以华为就受到美国以国家之力的打压。

这是光荣，也很悲壮。

而要破除技术壁垒，只有一条难走的路：在壁垒之外构建一条完整的产业链和一条完整的生态系统。

近期，有媒体报道称，据权威人士透露，“十四五”规划之中，我国计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。

事实上，近年来，包括LED企业在内，中国企业正加速推动中国第三代半导体产业的快速发展，在国际巨头筑起的高墙下奋力进击与突围。

第三代半导体产业现状

根据世纪证券公司陈建生的研究报告《从新基建与消费电子看第三代半导体材料》，从应用范围来说，第三代半导体领域还具有学科交叉性强、应用领域广、产业关联性大等特点。在半导体照明、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域拥有广阔的应用前景，是支撑信息、能源、交通、国防等产业发展的重点新材料。

第三代半导体主要包括氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）。

图：SiC与GaN处于稳步爬升的光明期

然而，第三代半导体技术的高技术门槛导致其市场被日美欧寡头垄占，美欧等经济体持续加大化合物半导体投入。2018年，美国、欧盟等国家和组织启动了超过15个研发项目，其中，美国的研发支持力度最大。

2018年美国能源部（DOE）、国防先期研究计划局（DARPA）、和国家航空航天局（NASA）和电力美国(Power America)等机构纷纷制定第三代半导体相关的研究项目，支持总资金超过4亿美元，涉及光电子、射频和电力电子等方向，以期保持美国在第三代半导体领域全球领先的地位。

此外，欧盟先后启动了“硅基高效毫米波欧洲系统集成平台（SERENA）”项目和“5GGaN2”项目，以抢占5G发展先机。

图：全球第三代半导体产业格局

在中国，先进半导体材料已上升至国家战略层面，2025年目标渗透率超过50%。

底层材料与技术是半导体发展的基础科学，在2025中国制造中，分别对第三代半导体单晶衬底、光电子器件/模块、电力电子器件/模块、射频器件/模块等细分领域做出了目标规划。在任务目标中提到2025实现在5G通信、高效能源管理中的国产化率达到50%；在新能源汽车、消费电子中实现规模应用，在通用照明市场渗透率达到80%以上。

图：中国第三代半导体产业发展历程

来源：前瞻产业研究院整理

目前第三代半导体材料已逐渐渗透5G、新能源汽车、绿色照明等新兴领域，被认为是半导体行业的重要发展方向。未来，5G对高功率射频的需求，手机和笔电对高效轻小快充的需求将在2020-2021年爆发，疫情对深紫外UVC的需求将在2020年短期内集中爆发。中长期来看，三类需求面对的都是GaN器件的蓝海市场，具有可观的增长空间。

中国LED企业布局第三代半导体

国家重要政策大力支持第三代半导体行业，半导体板迎来重大利好。中国LED产业链企业纷纷布局。

光莆股份

昨(14)日，光莆股份发布公告宣布拟出资7500万参与投资产业投资基金，以加快公司在第三代半导体光应用领域战略布局落地。目前，基金尚处于筹备阶段。

公告显示，光莆股份拟与厦门火炬集团创业投资有限公司(以下简称“火炬创投”)、厦门火炬中传新板投资合伙企业(有限合伙)(暂定名，以下简称“火炬中传”)等共同投资设立厦门火炬光莆中传新兴产业股权投资基金合伙企业(有限合伙)(暂定名，以下简称“产业基金”)。

产业基金为有限合伙制，总认缴规模为人民币1.5亿元，火炬创投作为普通合伙人认缴出资额为人民币7,400万元，火炬中传作为普通合伙人认缴出资额为人民币100万元，光莆股份作为有限合伙人拟以自有资金认缴出资额为人民币7,500万元，其中光莆股份首期出资额为人民币750万元，具体出资时间在基金完成设立后以基金管理人发出的缴款通知为准。

产业基金的投资目标涵盖第三代半导体光应用、5G、人工智能、物联网、类医疗器械、大数据、云计算、智能制造、电子信息、光电信息等新兴科技领域国家政策支持的高科技、高成长公司，并优先布局光莆股份可并购的项目。

三安光电

6月16日，三安光电发布《关于签署<项目投资建设合同>的公告》，公司决定在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，投资总额160亿元。

根据公告，三安光电在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期项目建设并实现投产，48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产，72个月内实现达产。公司与长沙高新技术产业开发区管理委员会于2020年6月15日签署《项目投资建设合同》。公司设立子公司的名称、经营范围等相关信息最终以有权机关核准为准，公司将在取得设立的子公司营业执照后，履行信息披露义务。

士兰微电子

士兰微电子是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业。公司主要产品包括集成电路、半导体分立器件、LED（发光二极管）产品等三大类。官方消息显示，士兰微电子已成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体（IDM）的企业之一。

2003年，士兰微电子的第一条芯片生产线投入运行之后，士兰微的组织结构转型为IDM的模式。

2017年12月18日，士兰微电子与厦门半导体投资公司签订了总投资220亿元的两个项目；在厦门规划建设两条12英寸90～65nm的特色工艺芯片生产线和一条4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线。

2018年10月18日，士兰微厦门12英寸特色工艺芯片生产线暨先进化合物半导体生产线在厦门海沧动工。

据悉，厦门士兰明镓化合物半导体有限公司总投资50亿元，分两期实施，建设4英寸、6英寸的化合物芯片生产线。项目一期计划2021年达产；项目二期计划2021年启动，2024年达产。

2019年12月23日，士兰化合物半导体芯片制造生产线试产。截止当时，一期项目主要设备已全部进场安装调试完成，砷化镓与氮化镓芯片产品已分别于2019年10月18日、12月10日正式通线点亮。

利亚德

早在2017年初，利亚德全资子公司利亚德香港就出资350万美元认购了赛富乐斯（SAPHLUX）公司1,501,220股AA级优先股，占赛富乐斯总股本的14%。

作为一家专注于第三代半导体的技术企业，经过从耶鲁大学实验研发到产业化的十几年积累，赛富乐斯拥有两项全球领先的第三代半导体技术：半极性氮化镓材料以及NPQD（纳米孔量子点）Micro LED。

利亚德目前在大尺寸自发光领域已经布局了Micro LED显示，而在赛富乐斯上的布局，对于利亚德未来在更广阔的消费显示及第三代半导体应用方向上或将大有裨益。

华灿光电

2019年11月14日，华灿光电成功获批浙江省第三代半导体材料与器件重点实验室，为义乌市首家省级重点实验室。标志着浙江省科技厅对华灿光电在第三代半导体材料与器件领域的技术储备以及科研实力的肯定。

2020年7月8日，华灿光电院士工作站在义乌制造基地正式挂牌。院士工作站由长期从事宽禁带半导体材料及关键技术研究的中国科学院院士叶志镇教授领衔，华灿光电研发团队支持，将助力华灿光电在第三代半导体材料和器件领域加速提升核心技术，为国家产业发展提供有力技术支撑。

乾照光电

乾照光电作为国内红黄光芯片最大供应商之一，在稳固LED产业竞争优势的同时，也在积极拓展VCSEL激光、Mini LED、Micro LED、紫外UVLED、红外探测器、砷化镓衬底等第二代、第三代半导体产业机会。

截止目前，其VCSEL芯片产品已经实现小批量出货，有望抢占3D感测的先机。除了高度看好VCSEL芯片，乾照光电在回复投资者提问时还表示，公司正在积极探索第三代半导体更多的应用领域。

第三代半导体方兴未艾，为了走在行业发展的前沿，乾照光电还积极参与了深圳第三代半导体研究院的建设，并成为研究院产业委员会成员单位。

国星光电

此前，国星光电在深交所互动易平台上回答了投资者的问题时表示，硅基AlGaN垂直结构近紫外大功率LED外延、芯片与封装研究及应用”及公司参与申报的“彩色Micro LED显示与超高亮度微显示技术研究”项目皆已获批广东省重点领域研发计划项目，按计划正常实施中。

同时，国星光电表示，国星半导体主要业务包括蓝宝石氮化镓基及硅基衬底为基材的LED芯片。氮化镓基产品包含蓝绿显屏芯片，数码用芯片，白光照明芯片，车灯用大功率倒装芯片，UVA紫光芯片等。

据悉，国星光电美国子公司RaySent科技公司将相关硅衬底GaN外延及垂直结构LED芯片的主要技术依照约定已转移给子公司国星半导体，由国星半导体在应用场景继续进行上述技术的后续研发和产业化推进。Raysent已在美国申请数项专利，国星半导体目前已申请氮化镓的专利200多篇，其中硅基氮化镓技术专利4篇。

澳洋顺昌

澳洋顺昌子公司淮安光电是行业内极少数具有从衬底切磨抛、PSS、外延片到芯片的完整产业链的公司，公司主要产品为蓝绿光LED芯片，即在蓝宝石衬底上生长制造氮化镓发光二极管，公司在LED芯片相关领域有专利技术。

聚灿光电

聚灿光电的主要产品为GaN基高亮度蓝光LED芯片及外延片。2019年12月20日公司在互动平台称：公司坚持聚焦资源、做强LED主业的发展战略。公司主营高光效LED外延片、芯片，并非OLED方面。所有LED芯片都属于公司业务范围，因此公司布局了mini LED方面的技术。

今年9月4日，聚灿光电发布关于子公司签署《投资合同书》的公告。

据披露，该项目为聚灿光电扩产项目，主要产品包括Mini/Micro LED氮化镓、砷化镓芯片，项目总投资约350000万元，其中固定资产投资约300000万元（含设备投入270000万元以上）。

项目用地位于聚灿光电现有厂区内南部及厂区西南侧新增43亩工业用地，于2020年第四季度陆续投入使用。厂房建设总建筑面积约3万平方米，聚灿光电在取得新增国有土地使用权证后36月内建成投产（包含既有老厂房改建、装修和新建厂房）。

南大光电

南大光电的高纯磷烷、砷烷研发和产业化项目已经列入国家科技重大专项。高纯磷烷和高纯砷烷都是LED、超大规模集成电路、砷化镓太阳能电池的重要原材料。

近日，南大光电还在互动平台表示：公司高纯三甲基镓产品可以用于生产第三代半导体材料氮化镓。新型硅前驱体可通过化学气相沉积或原子层沉积生成新型半导体所需要的特种含硅薄膜，可以满足高性能计算和低功耗需求的高级逻辑和存储器芯片制造要求，应用领域主要有电脑、手机芯片等。

原文标题：华为“断供”，LED企业加快第三代半导体布局

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