“中国制造”让韩国产生了紧张感

来源：半导体行业观察

由于新冠肺炎在全球范围内蔓延，波及世界经济。国际货币基金组织（IMF）在近期公布的报告中指出，2020年全球经济增长率预计为负4.9%。据预测，韩国经济也是负增长（-2.1%）。但是，三星电子、SK海力士这些韩国的巨型半导体厂家却依旧按照初始计划积极进行设备投资。

三星电子继续投资存储半导体

在2019年年末三星电子就已经积极致力于对DRAM和NAND闪存进行设备投资。这是因为韩国三星电子认为度过2019年的半导体的不景气、2020年存储半导体需求肯定会出现恢复。三星电子表示，在2020年计划将DRAM和NAND闪存的产能分别提高5万个/月、6.5万个/月（都以12英寸晶圆为基准），且计划在韩国平泽工厂（P1+P2）增产DRAM，在中国西安工厂增产NAND闪存。 就韩国的半导体行业情况而言，在2020年1月-3月期间，西安工厂已经成功导入月产2万个的设备，平泽的DRAM产线也在筹备中。且从韩国专门调达专用设备到西安工厂、安排约200名工程师分批乘坐专机去西安工厂，为量产做准备。 据说由于新冠肺炎的影响，设备的导入也不可避免地受到了一定影响。三星电子为了把对设备导入的影响降至最小，采取了各种措施。例如，将原计划出货给西安工厂的材料，优先出货给物流情况相对稳定的平泽工厂。

SK海力士7月份开始在中国无锡工厂导入新设备

SK海力士也已经开始对存储半导体进行积极的设备投资。计划对中国无锡工厂（C2F）投资约3.2兆韩元（约人民币171.42亿元）。SK海力士计划在C2F工厂的空余空间内建设月度产能达到3万个的DRAM 产线，自2020年7月已经开始导入设备。 SK海力士计划以保守的态度实施最初制定的投资计划。且认为存储半导体市场肯定会出现恢复，因此再次启动投资。此外，原计划自2021年1月起，对利川工厂（京畿道）的M16进行设备投资，现在计划在2020年之内完成设备导入，且正与设备厂家在进行调整。此外，SK海力士计划将DRAM产线（利川）的增产规模从原来的2万个提高至3万个，此外，还计划将NAND闪存（清州）的产能提高5,000个，且已经在推进。

DRAM出现了一时的供需紧张现象

如上所述，尽管出现了新冠肺炎这一前所未有的危机，两家韩国巨头半导体厂家依然积极进行设备投资，其主要原因是他们都对存储半导体市场持有积极的态度。首先，虽然受新冠肺炎影响全球经济出现低迷，服务器和PC方向的DRAM需求却在增长。此外，以互联网未中心的居家办公、在线教育、业余活动、在线购物等的大量出现，导致服务器、PC的销售增多，从而带动了DRAM的需求增长。 最近DRAM出现了供不应求的现象，且在持续。两家韩国半导体巨头的库存水准均低于景气时约2-3周左右。运营大型服务器、数据中心的线上服务企业（Online Service）对于DRAM的需求的大幅度增长起到了推动作用。 这种倾向不仅存在于韩国厂家，台湾的DRAM厂家---南亚科技同样如此。由于新冠肺炎的到来，促使在线教育、居家办公、在线购物等不断普及，因此促进了2020年1月-3月期间的业绩增长。 新冠肺炎虽然使全球经济充满了不确定性，但促进半导体需求增长的因素却不少，因此三星电子和SK海力士才继续进行积极的投资。某位熟悉韩国半导体行业的分析人士指出，“从两家韩国半导体巨头的投资计划来看，可以说他们对半导体市场情况持有肯定的态度”。 问题的关键在2020年下半年！4月-6月期间半导体市场情况保持良好，这种“良好的情况”到底会持续到什么时候，令人担心！南亚科技在1月-3月期间的业绩说明会上表示，存储半导体将会在4月-6月和7月-9月继续保持稳定的增长。

韩国通过EUV技术与中国厂家拉开距离

两家韩国半导体巨头在DRAM领域的 “王牌”是极紫外光刻（EUV）工艺。据说中国新兴企业已经开始量产用于普通PC的DRAM，为了摆脱中国厂商的穷追猛赶，韩国厂家正在实施“差异性战略”。随着数据技术的高度化发展，需要在DRAM的有限的面积上迅速存储、处理大量的信息，并且这一需求在日益突出。 三星电子于2020年四月成功生产了100万个采用了EUV技术的10纳米通用DRAM（1x）。之所以将EUV技术应用于1xDRAM，是出于测试的目的。真正要采用EUV技术的产品是计划在2021年量产的第四代（4G）10纳米DRAM（1a）。就1a产品的工艺而言，是将EUV技术灵活运用在位线（Bit Line，将信息向外部输送）的生产中。据说，三星已经将EUV应用于现有的工序中（据说是2-3层）。 此外，SK海力士也在准备将EUV技术应用于DRAN生产。SK海力士已经在利川总部工厂导入了约2台EUV曝光设备，用于研究开发，目标是计划在2021年通过EUV技术批量生产DRAM。 三星电子计划在2020年下半年完成平泽工厂的EUV专用产线（被称为“P-EUV”）。1x的测试虽然在华城工厂（V1产线）进行，1a产品计划在平泽的P-EUV生产，以建成EUV技术的DRAM专用生产据点。 SK海力士的利川新产线（M16）计划在2020年10月建成，且导入EUV。M16产线计划在2021年上半年量产。

“中国制造”让韩国产生了紧张感

在2019年时间点，两家韩国的巨型半导体厂家的DRAM、NAND闪存市场占比分别高达72.7%、45.1%。据市场调查公司IHS Markit的资料显示，2020年全球存储半导体市场规模为1,259亿美元（约人民币8,813亿元），2021年预计会增至1,519亿美元（约人民币10,633亿元）。 然而，近年来由于中国提出了“半导体崛起”战略，中国半导体企业不断崛起，这让韩国企业产生了紧张感。 比方说，中国的长鑫存储（CXMT）宣布在2020年上半年量产用于PC的DDR4 DRAM。由于DDR4是目前最常用的DRAM半导体的规格，因此，相关产品的量产也意味着中国企业对韩国厂家形成了威胁。换句话说，正是因为有这样的竞争环境，韩国厂家才急于采用EUV工艺。 上文中提到的分析师还表示，“EUV工艺是目前中国厂家无法模仿的先进技术”，“率先采用EUV工艺的DRAM，对于要求较高的数据中心而言，是十分有利的”。

汇总

就2020年上半年的存储半导体市场而言，由于新冠肺炎带来的数据中心/云需求、“居家办公（Work From Home）”的需求，带动了PC方向的DRAM 和NAND的市场。但是，下半年智能手机方向需求的下滑、数据中心方向需求的放缓，也有企业做出了相对保守的预测。各家存储半导体厂家的投资计划、立场不断发生着变化，未来我们将继续关注行业趋势。

来源：半导体行业观察

原文标题：市场 | 面对中国的潜在竞争，韩国存储厂押注EUV

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