固态功率放大器与TWTA竞争ECM系统适用权

电子对抗或 ECM 系统通常由接收器、处理器、显示器和干扰发射器组成。到最近为止，固态放大器还不能满足 ECM 系统的发射器对功率、带宽和效率的要求。得益于逐渐成熟的 GaN 功率放大器 MMIC 和低损耗宽带合成技术，现在能够利用固态功率放大器 (SSPA)，满足 ECM 系统对功率、带宽和效率的要求。与 GaAs 和其他固态半导体材料相比，GaN 的晶体管功率密度呈数量级提升，器件具备的更高阻抗也使匹配网络的设计变得简单。

传统上，一直由行波管 (TWT) 和其他真空管为 ECM 发射器提供微波功率。自 20 世纪 50 年代以来，ECM 发射器所需的宽带、高功率微波放大都只能采用真空管技术实现，特别是使用行波管放大器 (TWTA)。ECM 干扰发射器通常需要在多个倍频范围内产生数百瓦微波功率。放大器的效率必须足够高，可以满足空中平台有限的功率预算，且可以耗散产生的热能。TWTA 是唯一能够满足这些关键要求的技术。

固态与管

长久以来，固态器件一直是真空器件的首选。相比采用电压电源（例如，低于 50 V）的固态器件，采用高压电源（通常在几千伏范围内）的真空管的可靠性要低得多。真空管制造商和用户正面临着供应源减少和材料短缺的问题。

相比真空管，固态器件产生的噪声较低，线性度更好。例如，处于“待机模式”（即采用 DC 偏置电压，无 RF 输入信号）的固态器件在整个频谱范围内产生的噪声功率要低得多。中等功率 TWT 的噪声系数在 30 dB 左右，固态 GaN MMIC PA 的噪声系数则在 10 dB 左右。在 ECM 系统中，这是一个显著差异，因为噪声更低时，发射器的输入级在不发射时可以保持处于待机模式。总开关时间缩短，这是因为 PA 的主 DC 电源不需要开启和关闭。

图 1：具备 15 dBm CW 输入功率、28 V 偏置电压和 650 mA 功耗的 Qorvo QPA1003P GaN MMIC 的输出功率、频率与温度。

图 2：Spatium 放大器的结构。

图 3：集成 16 个 QPA1003P MMIC 的 Spatium 放大器的测量输出功率。

固态发射器还有一个优点：可以减少输出信号中的谐波成分。对于在一个倍频或更高带宽上运行的固态 PA，在饱和输出功率下，最不理想的谐波成分一般为低于基波约 8 dB。在同样的工作条件下，真空管的谐波成分仅比基波低 2 dB。这些更高的谐波使得发射器必须满足更严格的滤波要求，使得整个 ECM 系统必须采用更大型、更昂贵的组件。

使用 GaN 增强力量

虽然与其他异质结半导体技术相比，GaN 器件大幅提高了功率密度、功率和带宽，但单个器件或 MMIC 仍无法为大多数 ECM 系统发射器提供足够功率。在 2 至 7.5 GHz 范围内，其要求的功率一般为 100 W 或更高。图 1所示为单个 Qorvo GaN 功率 MMIC 的输出。这种封装式 MMIC 在 1 至 8 GHz 范围内提供 10 W 额定功率，但是，在 85°C 背面温度下，输出功率会降低至最低 8 W。在 ECM 系统要求的频段和温度范围内，提供 100 W 需要采用超过 10 个这种 MMIC。

有许多方法可以为组合器件供电，从而实现 SSPA。对于 ECM 系统发射器，采用的方法必须具有低损耗、宽带宽的特点。许多组合技术都使用双端口二进制合路器，例如 Wilkinson 或 magic tee。组合两个 MMIC 需要采用一个双端口合路器，组合四个 MMIC 需要采用三个合路器，组合 16 路 MMIC 需要采用 15 个组合元素。magic tee 的损耗相对较低，但是，它们一般在最高 10% 的带宽上运行，双脊型 magic tee 只有约一个倍频带宽，不足以满足 2 至 7.5 GHz ECM 的要求。在双向组合中，需要四级组合才能达到所需的功率。在这些频率下，典型双脊型 magic tee 的损耗为 0.3 dB，所以通过合路器的总损耗为 1.2 dB。通过 16 路 magic tee，将图 1 中所示的 30% 效率 GaN PA MMIC 组合起来，组合之后的输出效率约达到 23%，在 85°C、6 GHz 时提供约 95 W 输出。但是，典型双脊型 magic tee 网络仅在一个带宽（例如，2 至 4 GHz）倍频上有效。

空间组合

相比基于电路的技术，空间组合技术的损耗可能更低。Spatium是 Qorvo 已获得专利的同轴空间功率组合方法（参见图 2）。它采用宽带对极鳍线天线向/从同轴模式发射，分裂成多个微带电路，然后采用功率 MMIC 放大，将来自这些电路的功率集合到一起。它以自由空间作为组合介质，提供一个高效紧凑的宽带方式，可以在一级中组合多个功率 MMIC。典型的 Spatium 设计在一级中组合 16 个器件，组合损耗仅为 0.5 dB。

将图 1 中 16 个 MMIC 组合在一起，会得到 27% 的 SSPA 效率，而每个 MMIC 的效率却为 30%。使用 magic tee 组合时，效率可以达到 23%，这是两者之间的明显差异。组合效率提高之后，可以从给定的基本功率获得更高的输出功率，还可以降低散热量。

实际的 Spatium 放大器在设计时，组合 16 个径向叶片，每个叶片上都配有 Qorvo GaN MMIC PA。图 3显示了测量得出的输出功率和钳位表面温度；MMIC 下方底板的温度比钳位温度高约 12℃，因此底板的最高温度为 85℃。该设备在 2 至 7.5 GHz 之间可以实现超过 100 W 的功率，平均效率为 25%。

热设计

在 ECM 发射器中使用固态放大器时，热管理是其中一个设计挑战。在典型应用中，Spatium SSPA 周围夹钳的外表面从一侧或多侧传导冷却（参见图 4）。对于某些系统，可以使用液体冷却剂，对于其他系统，则使用带有风扇的散热器。设计夹钳是为了让它与 Spatium 中的所有叶片接触，并为冷板或散热器提供传导路径。Spatium 叶片和夹钳可以由不同的金属制成，包括铝和铜。大小、重量和功率之间的权衡会确定给定应用适用的材料。

图 4：通过夹钳传导来自 MMIC PA 的热量的 Spatium 放大器。

图 5：Spatium SSPA 的热仿真，显示该架构的横截面。

从 MMIC 背面到安装板之间的热阻抗可以计算得出，并用于获取背面 MMIC 温度。从 MMIC 和封装的热阻，可以计算得出 MMIC 的结温，然后，利用该结温，估算出 SSPA 的可靠性。图 5所示为图 4 所示的 SSPA 的热仿真，其中 MMIC 在饱和输出功率下运行，效率为频段内（例如，每个 MMIC 消耗 25 W）的最低效率。热模型显示，在假设热阻为 6.56°C/W 的情况下，从夹钳外面最冷点到封装 MMIC 背面的温度上升了约 12°C，从封装背面到输出晶体管连接处的温度则额外上升了 164°C。MMIC 的结温估计为 247℃，夹钳表面的温度保持在 71℃。在 247℃结温下，MMIC 的 MTBF 约为 120 万小时。

整个 Spatium 模块的 MTBF 为单个 MMIC 的 MTBF 除以 MMIC 的数量：75,000 小时。这种计算将单个 MMIC 的故障视为整个放大器组件的故障，这是一个最坏的假设，因为 Spatium 放大器的性能会随着单次 MMIC 故障而降低（例如，每次 MMIC 故障时，输出功率降低约 0.7 dB）。

对于 TWT，MIL-HDBK-217F 通知 2 提供以下公式，用于在固定接地环境中计算 MTBF：

其中 P 表示额定功率，单位为瓦特，范围为 1 mW 至 40 kW，F 表示工作频率，单位为 GHz，范围为 100 MHz 至 18 GHz。按照该公式计算，在频率为 7.5 GHz 时，输出功率为 150 W 的 TWT 的 MTBF 为 29,609 小时。与处于类似环境条件下，可与之相比的固态 Spatium 功率放大器模块相比，此值要低约 2.5 倍。

表 1

总结

这是第一次 GaN MMIC 和宽带空间组合技术（例如 Spatium）允许 ECM 系统设计人员使用可靠的固态放大器来代替 TWTA。能够在宽频带上传输数百瓦的功率，同时保持在平台提供的基本功率范围内，并散热以确保可靠运行，这为固态 ECM 发射器开启了在系统中使用的新机遇。表 1显示了使用近期的三种 Spatium 放大器可以实现的频率、功率和效率。这些 SSPA 的大小和重量要比之前 TWTA 占用的盒子小得多。■