台积电公布3nm工艺细节，晶体管密度达2.5亿/mm2

（文章来源：比特网）

最近，台积电5nm工艺已经开始量产，年底苹果和华为已经将其产能预定，而台积电发展的步伐并没有停歇，他们不久前正式披露了最新3nm公寓的详情，根据公布的情况来看，3nm晶体管密度达到了破天荒的2.5亿/mm2。

目前，主流的麒麟990处理器采用了7nm工艺，其晶体管密度为103亿，尺寸为113.31mm2，核算下来是0.9亿/mm2，而3nm工艺晶体管密度为7nm的3.6倍。从数据上来看，台积电5nm工艺较7nm性能提升了15%，能耗比提升30%，而3nm较5nm性能则提升7%，能耗比提升了15%。

台积电表示，3nm工艺研发符合预期，并没有受到疫情的影响，预计将会在2021年进行风险试产阶段，2022年下半年进行量产。从工艺上看，台积电评估多种选择后，确定FinFET工艺在成本以及能效上更出色，所以，他们3nm首发会采用FinFET晶体管技术。

与台积电在制程工艺上竞争最激烈的三星，则希望在3nm节点上超越对手，所以，他们将会直接淘汰FinFET晶体管直接使用GAA环绕栅极晶体管，这也意味着三星将会采用更激进的态度来面对3nm工艺。

从今年下半年开始，5nm就将正式服役，苹果、华为、AMD等厂商将会把此工艺带入到手机、PC处理器、服务器处理器等等各领域中，届时，无论是在性能还是在功耗上，这些产品又将更进一步，此后，我们就要等待2022年3nm降临了。
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