高通推出QC4.0快充技术，兼容新式高效率电力管理IC/PMIC

4月28日，高通宣布推出Quick Charge 3＋快充技术，最高20V／3A也就是60W功率，15分钟内可从0充到50％，比之前标准提速35％。

借以提供给仍因成本考虑、仍选择USB Type-A作为充电器连接接口的设备；QC3+强调较QC3提升充电速度与效率，但同时能减少充电温度，此外也承袭QuickCharge3能搭配USB Type-A与USB Type-C型态的供电输出接口。

事实上，高通目前的快充标准已经推进到QC4+，像目前主流旗舰机型搭载的骁龙865就支持这一标准，但对于一众老旧的QC2.0、QC3.0设备来说，就无缘这样高速的充电速度了。

而此次全新推出的QC3+则可以向下兼容QC2.0、QC3.0设备，这些设备只需配合QC3+充电头，就可以享受更高的快充速度了。

以特质来说，QC3+是延续QC3能使用USB Type-A与USB Type-C充电器接口特色、但加入QC4能够以20mV为单位进行更细腻电压控制的补遗版本，使其能够以更具效率的方式针对电池在不同阶段的能容忍的功率充电，使其温度与效率都能在最佳状况充电功率条件下进行。

作为针对主流到高阶设备提供的快充标准增强，高通准旗舰平台Snapdragon765G与Snapdragon765G将率先支持此项规范，即将发表的小米10青春版亦是全球首款同时支持QC3+与QC4+快充标准的设备。

QC3+具有几项特质：可在15分钟内将电池自0%充到50%，相较先前世代产品提高35%速度、但充电的温度降低了9度（表示充电时尽可能以充电器与电池在最佳转换效率下进行），同时可支持业界主流的USB Type-A与USB Type-C连接器，符合QC3+的缆线也同时支持QC4规范中的20mV级距的扩展电压（注：表示QC3+可进行以20mV为单位的电压微调），最后是能够向下兼容既有的QC版本，此外也兼容新式高效率电力管理IC/PMIC。

虽然从技术的演进，高通仍然发表QC3标准的增强版本QC3+似乎有点怪异，不过QC3与QC4实质上在基本定义并非前后世代，以技术规格的演进，QC3确实是作为QC、QC2的更新版本，然而QC4则是针对兼容USBPD规范的另一种分支，在官方的规格当中，QC3并不需、也不兼容USBPD规范（不过装置本身仍可选择同时兼容QC3与USBPD），但符合QC4规范就势必要兼容USBPD。

由于QC4是为了与USBPD兼容制定的规范，另一个关键差异也因此而生，也就是连接器的局限性，在QC3公布的时间点，也是USB Type-C开始兴起的时间，故QC3的定义可使用USB Type-A或是USB Type-C接口，但QC4则由于需符合USBPD定义，仅能选择使用双头USB Type-C作为接口。

此外， QC3+ 还支持具有可微调电压的任何 USB Type-A 转 USB Type-C 适配器，厂商可以借助SM1395（有线）和SMB1396（有线+无线）电源管理IC来进行部署，能够降低快充方案的实施成本。

而前一天发布的小米10青春版就是首台搭载这项技术的新机，它同时兼容QC3+和QC4+，QC3+能够在15分钟内将电量从0充到 50% ，高通这次的方案是希望QC3+能够全面降低快充方案的实施成本，以便与市面上其它厂家的方案展开更直接的竞争。

预计到今年年底，支持高通这些快充方案的产品会越来越多。

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