0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

中芯国际或直接跳过10nm工艺节点 今年有望看到国产7nm工艺

半导体动态 来源:快科技 作者:宪瑞 2020-01-07 09:54 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

作为中国半导体行业最薄弱但也是最重要的环节,芯片工艺一直是国内的痛点,所以国内最大的晶圆代工厂中芯国际任重而道远。此前中芯国际已经表态14nm工艺已经试产,今年就会迎来一轮爆发,年底的产能将达到目前的3-5倍,同时今年内还有可能试产更先进的7nm工艺。

中芯国际的14nm工艺从2015年开始研发,已经进行了多年,在2019年就已经解决技术问题了,之前有报道援引中芯国际高管的表态,称14nm工艺的良率已经达到了95%,技术成熟度还是很不错的。

不过良率达标之后,大规模量产还是个一道坎,这个过程需要有14nm工艺客户的支持,精英代工是看客户需求的,客户需求高,产能才有可能建设的更大。在这一点上,中芯国际相比台积电、三星是有劣势的,后两家的14nm同级工艺都已经过了折旧期了,成本优势明显,中芯国际只能依靠国内的客户。

截至2019年底,中芯国际的14nm产能据悉只有3000到5000晶圆/月,不过2020年14nm产能会增长很快,年底的时候将达到15000片晶圆/月,是目前的3-5倍,最多能增长400%。

14nm之后还有改进型的12nm FinFET工艺,根据中芯国际之前介绍,该工艺相比14nm晶体管尺寸进一步缩微,功耗降低20%、性能提升10%,错误率降低20%,预计今年上半年就会贡献收入。

再往后中芯国际表示还会有N+1及N+2代FinFET工艺,其中今年内有望小规模量产N+1代工艺。

只是中芯国际没有明确这里的N指代的是哪种工艺,考虑到他们很有可能会跳过10nm工艺节点,那么N+1代应该就是7nm节点了,意味着我们今年就有可能看到国产的7nm工艺。

即便中芯国际不跳过10nm节点,那么今年国内的工艺也能追赶到10nm节点,跟台积电、三星还是会落后一到两代,但是已经足够先进了。

责任编辑:wv

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    336

    文章

    29985

    浏览量

    258326
  • 中芯国际
    +关注

    关注

    27

    文章

    1447

    浏览量

    67612
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    国产芯片真的 “稳” 了?这家企业的 14nm 制程,已经悄悄渗透到这些行业…

    的控制芯片,甚至工业设备的传感器,都能看到它的身影。 之前总担心国产芯片 “产能跟不上、良率不够高”,但查了下国际的最新动态:2025
    发表于 11-25 21:03

    “汽车智能化” 和 “家电高端化”

    ,对算力和稳定性要求极高。而车规芯片要通过 - 40℃~125℃的极端环境测试,7nm 工艺的低功耗、高可靠性刚好匹配需求。目前我国汽车芯片对外依赖度超 90%,高端计算芯片国产化率不足 20%,
    发表于 10-28 20:46

    国产AI芯片真能扛住“算力内卷”?海思昇腾的这波操作藏了多少细节?

    最近行业都在说“算力是AI的命门”,但国产芯片真的能接住这波需求吗? 前阵子接触到海思昇腾910B,实测下来有点超出预期——7nm工艺下算力直接拉到256 TFLOPS,比上一代提升了
    发表于 10-27 13:12

    【「AI芯片:科技探索与AGI愿景」阅读体验】+半导体芯片产业的前沿技术

    。 叉行片:连接并集成两个晶体管NFET和PFET,它们之间同时被放置一层不到10nm的绝缘膜,放置缺陷的发生。 CFET:属于下一代晶体管结构,采用3D堆叠式GAAFET,面积可缩小至原来的50
    发表于 09-15 14:50

    【「AI芯片:科技探索与AGI愿景」阅读体验】+工艺创新将继续维持着摩尔神话

    还放置一层不到10nm的绝缘膜,以防止缺陷的出现。比利时微电子研究中心曾预计叉形片将在2028年得到采用,当然也可能会直接跳跃到CFET技术。 CFET是先在叉形片上将NFET和PFET的两个晶体管按
    发表于 09-06 10:37

    今日看点丨原股份计划收购来智融;消息称台积电加速 1.4nm 先进工艺

    智融的估值尚未最终确定。   原股份目前持有来智融2.99%股权,通过本次交易拟取得来智融全部股权控股权。本次交易的具体交易方式、交易方案等内容以后续披露的重组预案及公告信息为
    发表于 08-29 11:28 1844次阅读

    自主可控:度亘核成功推出全国产化830nm单模光纤耦合模块

    度亘核基于自主开发的高功率、高效率、高可靠性的980nm单基横模半导体激光芯片与单模光纤耦合模块技术平台,成功推出全国产化830nm单模半导体激光芯片与830
    的头像 发表于 08-26 13:08 1171次阅读
    自主可控:度亘核<b class='flag-5'>芯</b>成功推出全<b class='flag-5'>国产</b>化830<b class='flag-5'>nm</b>单模光纤耦合模块

    创飞40nm HV工艺OTP IP完成上架

    珠海创飞科技有限公司实现新突破!我司基于40HV(40nm 1.1V / 8V / 32V high voltage process)工艺制程的一次性可编程存储IP核已在国内两家头部晶圆代工厂经过
    的头像 发表于 08-14 17:20 1176次阅读

    国际 7 纳米工艺突破:代工龙头的技术跃迁与拓能半导体的封装革命

    流转。这家全球第三大晶圆代工厂,正以每月 3 万片的产能推进 7 纳米工艺客户验证,标志着中国大陆在先进制程领域的实质性突破。 技术突围的底层逻辑
    的头像 发表于 08-04 15:22 1w次阅读

    动科技独家推出28nm/22nm LPDDR5/4 IP

    面对近来全球大厂陆续停产LPDDR4/4X以及DDR4内存颗粒所带来的巨大供应短缺,动科技凭借行业首屈一指的内存接口开发能力,服务客户痛点,率先在全球多个主流28nm和22nm工艺
    的头像 发表于 07-08 14:41 1033次阅读

    北京市最值得去的十家半导体芯片公司

    A股上市,获中国移动、红杉资本等投资,技术应用于大模型训练与图形渲染。 4. 昆仑(Kunlunxin) *领域 :AI芯片 亮点 :前身为百度智能芯片部门,7nm工艺的昆仑2代已
    发表于 03-05 19:37

    创飞90nm BCD工艺OTP IP模块规模量产

    一站式 NVM 存储 IP 供应商创飞(CFX)今日宣布,其反熔丝一次性可编程(OTP)技术继 2021年在国内第一家代工厂实现量产后,2024 年在国内多家代工厂关于 90nm BCD 工艺上也
    的头像 发表于 01-20 17:27 1539次阅读

    消息称台积电3nm、5nm和CoWoS工艺涨价,即日起效!

    )计划从2025年1月起对3nm、5nm先进制程和CoWoS封装工艺进行价格调整。 先进制程2025年喊涨,最高涨幅20% 其中,对3nm、5nm
    的头像 发表于 01-03 10:35 1023次阅读

    台积电2nm工艺将量产,苹果iPhone成首批受益者

    近日,据媒体报道,半导体领域的制程竞争正在愈演愈烈,台积电计划在明年大规模量产2nm工艺制程。这一消息无疑为整个行业注入了新的活力。 早前,有传言称台积电将使用其2nm节点来制造苹果的
    的头像 发表于 12-26 11:22 1022次阅读

    台积电分享 2nm 工艺深入细节:功耗降低 35% 性能提升15%!

    来源:IEEE 台积电在本月早些时候于IEEE国际电子器件会议(IEDM)上公布了其N2(2nm级)制程的更多细节。该新一代工艺节点承诺实现24%至35%的功耗降低
    的头像 发表于 12-16 09:57 1856次阅读
    台积电分享 2<b class='flag-5'>nm</b> <b class='flag-5'>工艺</b>深入细节:功耗降低 35% <b class='flag-5'>或</b>性能提升15%!