采用LFCSP和法兰封装的RF放大器的热管理计算-电子发烧友网

简介

射频(RF)放大器可采用引脚架构芯片级封装(LFCSP)和法兰封装，通过成熟的回流焊工艺安装在印刷电路板(PCB)上。PCB不仅充当器件之间的电气互联连接，还是放大器排热的主要途径（利用封装底部的金属块）。

本应用笔记介绍热阻概念，并且提供一种技术，用于从裸片到采用LFCSP或法兰封装的典型RF放大器的散热器的热流动建模。

热概念回顾

热流

材料不同区域之间存在温度差时，热量从高温区流向低温区。这一过程与电流类似，电流经由电路，从高电势区域流向低电势区域。

热阻

所有材料都具有一定的导热性。热导率是衡量材料导热能力的标准。热导率值通常以瓦特每米开尔文(W/mK)或瓦特每英寸开尔文(W/inK)为单位。如果已知材料的热导率，则采用以下公式，以C/W或K/W为单位计算材料单位体积的热阻(θ)：

(1)

其中：

Length表示材料的长度或厚度，以米为单位。

k为材料的热导率。

Area表示横截面积，以m2为单位。

温度

利用热流量等效于电流量的类比，本身具备热阻且支持热流流动的材料的温差如下：

∆T = Q × θ (2)

其中：

∆T表示材料不同区域之间的温差（K或°C）。

Q表示热流(W)。

θ表示材料的热阻（C/W或K/W）。

器件的热阻

器件的热阻相当复杂，往往与温度呈非线性关系。因此，我们采用有限元分析方法建立器件的热模型。红外摄影技术可以确定器件连接处的温度和操作期间封装的温度。基于这些分析和测量结果，可以确定等效的热阻。在对器件实施测量的特定条件下，等效热阻是有效的，一般是在最大操作温度下。

参考表1，查看典型的RF放大器的绝对最大额定值表。

表1.典型的RF放大器的绝对最大额定值

参数	额定值
漏极偏置电压(VDD)	60 V dc
栅极偏置电压(VGG1)	-8 V至0 V dc
射频(RF)输入功率(RFIN)	35 dBm
连续功耗(PDISS) (T = 85°C)（85°C以上以636 mW/°C减额）	89.4 W
热阻，结至焊盘背面(θJC)	1.57°C/W
温度范围
存储	-55°C至+150°C
工作温度	-40°C至+85°C
保持百万小时平均无故障时间(MTTF)的结温范围(TJ)	225°C
标称结温（TCASE = 85°C，VDD = 50 V）	187°C

对于LFCSP和法兰封装，假定封装外壳是封装底部的金属块。

最高结温

在给定的数据手册中，会在绝对最大额定值表中给出每个产品的最大结温（基于器件的半导体工艺）。在表1中，指定的维持百万小时MTTF的最大结温为225℃。指定的这个温度一般适用于氮化镓(GaN)器件。超过这个限值会导致器件的寿命缩短，且出现永久性的器件故障。

工作温度范围

器件的工作温度(TCASE)已在封装底座上给出。TCASE是封装底部金属块的温度。工作温度不是器件周围空气的温度。

如果已知TCASE和PDISS，则很容易计算得出结温(TJ)。例如，如果TCASE=75°C，PDISS=70 W，则可以使用以下公式计算TJ：

TJ = TCASE + (θJC × PDISS)
= 75°C + (1.57°C/W × 70 W)
= 184.9°C

考量到器件的可靠性时，TJ是最重要的规格参数，决不能超过此数值。相反，如果可以通过降低PDISS，使TJ保持在最大可允许的水平之下，则TCASE可以超过指定的绝对最大额定值。在此例中，当外壳温度超过指定的最大值85°C时，可使用减额值636 mW/°C来计算最大可允许的PDISS。例如，使用表1中的数据，当PDISS的限值为83 W时，可允许的最大TCASE为95°C。PDISS可使用以下公式计算：

PDISS = 89.4 W − (636 mW/°C × 10°C)
= 83 W

使用此PDISS 值，可以计算得出225°C结温，计算公式如下：

TJ = TCASE + (θJC × PDISS)
= 95°C + (1.57°C/W × 83 W) (3)

器件和PCB环境的热模型

为了充分了解器件周围的整个热环境，必须对器件的散热路径和材料进行建模。图1显示了安装在PCB和散热器上的LFCSP封装的截面原理图。在本例中，裸片生热，然后经由封装和PCB传输到散热器。要确定器件连接处的温度，必须计算热阻。利用热阻与热流，可计算得出结温。然后将结温与最大指定结温进行比较，以确定器件是否可靠地运行。

在图1中，器件连接处到散热器的散热路径定义如下：

• θJA是器件连接处到封装顶部周围空气的热阻。

• θJC是连接处到外壳（封装底部的金属块）的热阻。

• θSN63是焊料的热阻。

• θCU是PCB上镀铜的热阻。

• θVIACU是通孔上镀铜的热阻。

• θVIASN63是通孔中填充的焊料的热阻。

• θPCB是PCB层压材料的热阻。

在典型电路板中，包含多个通孔和多个PCB层。在计算系统截面的热阻时，会使用热电路计算各个热阻，并将串联热阻与并联热阻结合起来，以此确定器件的总热阻。

图1.安装在PCB和散热器上的LFCSP封装的热模型

系统的热阻计算

对于每个散热路径，都使用公式1来计算其热阻。要计算得出各个热阻值，必须已知材料的热导率。参见表2，查看PCB总成中常用材料的热导率。

表2.常用PCB材料的热导率

材料	热导率(W/inK)
铜(Cu)	10.008
铝(Al)	5.499
Rogers 4350 (RO4350)	0.016
FR4或G-10层压材料	0.008
氧化铝(Al2O3)	0.701
SN63焊料	1.270
导热环氧树脂	0.020
砷化镓(GaAs)	1.501
模塑料	0.019

图2基于图1中所示的热模型，显示等效的热电路。TPKG表示封装底部的温度，TSINK表示散热器的温度。在图2中，假设封装(TA)周围的环境空气温度恒定不变。对于外层包有外壳的真实总成，TA可能随着功耗增加而升高。本分析忽略了散热路径至环境空气的温度，因为对于具有金属块的LFCSP和法兰封装，θJA要远大于θJC。

图2.等效的热电路

热阻示例：HMC408LP3评估板

HMC408LP3功率放大器采用一块0.01英寸厚，由Rogers RO4350层压板构成的评估板。图3所示的接地焊盘面积为0.065 × 0.065英寸，上有5个直径为0.012英寸的通孔。电路板顶部和底部分别有1盎司镀铜（0.0014英寸厚）。通孔采用½盎司铜进行镀层（0.0007英寸厚）。装配期间，会在通孔中填塞SN63焊料。分析显示，几乎所有的热流都会流经焊料填塞的通孔。因此，在本分析中，余下的电路板布局都可忽略。

图3.接地焊盘布局

各个热阻都使用公式1计算得出。计算θSN63时，采用的SN63焊料的热导率为1.27 W/inK，长度（或者焊接点的厚度）为0.002英寸，焊接面积为0.004225英寸（0.065英寸× 0.065英寸）。

(4)

接下来，以相似方式计算PCB顶部的铜镀层的值。铜镀层的热导率为10.008 W/inK，长度为0.0014 英寸（1盎司铜），镀层面积为0.00366平方英寸(in2)。

(5)

对于通孔上铜镀层的面积，采用以下公式进行计算

面积 = π × (rO2 – rI2) (6)

其中：

rO表示外径。

rI表示内径。

外径为0.006英寸，内径为0.0053英寸时，计算得出的面积为0.00002485 in2。通孔的长度为板的厚度（0.01英寸），铜的热导率为10.008 W/inK。

(7)

因为并排存在5个通孔，所以热阻要除以5。所以，θVIACU = 8.05°C/W。

以相似方式计算得出通孔的填塞焊料的值。

(8)

因为存在5个填塞通孔，所以等效热阻为θVIASN63 = 17.85°C/W。

接下来，使用0.01英寸长度、0.016 W/inK的Rogers RO4350热导率，以及0.00366 in2面积计算PCB的热阻。

(9)

在图2所示的等效热电路中，三个热阻（θPCB、θVIACU和θVIASN63）并联组合之后为5.37°C/W。在通孔中填塞焊料之后，热阻从8.05°C/W降低至5.37°C/W。最后，加上热阻串联的值，可以得出整个PCB总成的热阻。

θASSY = θSN63 + θCU + θEQUIV + θCU = 0.372 + 0.038 + 5.37 + 0.038 = 5.81°C/W (10)

其中，θASSY表示总成的热阻。

确定功耗

热阻值确定后，必须确定热流(Q)值。对于RF器件，Q的值表示输入器件的总功率和器件输出的总功率之间的差值。总功率包括RF功率和直流功率。

Q = PINTOTAL − POUTTOTAL = (PINRF + PINDC) − POUTRF (11)

其中：

PINTOTAL表示直流功率和RF输入功率之和。

POUTTOTAL表示器件输出的功率，与POUTRF相同。

PINRF表示RF输入功率。

PINDC表示直流输入功率。

POUTRF表示传输至负载的RF输出功率。

图4.HMC408LP3功耗与输入功率

对于HMC408LP3功率放大器，使用公式11来计算图4中所示的PDISS的值。图4显示了放大器的以下特性：

• 器件消耗约4 W功率，无RF输入信号。

• 采用RF信号时，PDISS的值由频率决定。

• 存在某一个输入功率，器件的功耗最低。

根据等效热阻、θTOTAL和Q，可以使用以下公式计算得出结温

ΔT = Q × θTOTAL (12)

θTOTAL = θASSY + θJC = 5.81 + 13.79 = 19.6°C/W (13)

对于无RF输入功率的静止状态，Q = 4 W，且

∆T = 4.0 × 19.6 = 78.4°C (14)

因为指定的HMC408LP3的最大结温为150°C，所以在PDISS = 4 W时，散热器的温度必须≤71.6°C（也就是说，78.4°C + 71.6°C = 150°C）。

HMC408LP3功率放大器正常运行时（例如，输入功率≤ 5 dBm），功耗小于4 W，这表示散热器的温度可以稍微高于71.6°C。但是，如果放大器在深度压缩环境中工作，且输入功率等效于15 dBm，则PDISS升高，且要求散热器的温度低于71.6°C。

表3.热工作数据表

描述	值	单位	注释
散热器最高温度	70	°C
θASSY	5.81	°C/W	从等效热电路计算得出
θJC	13.79	°C/W	来自数据手册
θTOTAL	19.6	°C/W	添加θASSY和θJC
Q	4.0	W
得出的结温	148.4	°C	散热器最高温度 + (θTOTAL × Q)；不超过数据手册中列出的最大通道温度