三星表示正在将14纳米FinFET制程导入到1.44亿像素影像传感器的生产上

已经在2019年发展出1亿像素影像传感器（CIS）的韩国三星，目前似乎并不打算停止他们再推出相关高端产品的步伐。因为三星在最近的IEDM 2019大会上，介绍了该公司正在将目前用于逻辑处理器生产的14纳米FinFET制程导入到未来的1.44亿像素影像传感器的生产上，藉此以生产高效能，且低耗能的影像传感器。

据了解，目前相机模组中常见的CMOS影像传感器就是一种典型的半导体芯片。透过接收光线，并将其转换为电子信号。再藉由CMOS影像传感器上内建的ADC转换器，用于将电子信号转换成数字信号，然后数字信号被送入其他处理器进行处理，最后进一步成像。所以，CMOS影像传感器本质上就是一种半导体芯片，自然就会受到半导体制程技术的影响。

不过，CMOS影像传感器并不像逻辑处理器那般复杂，需要很先进的制程技术，这使得现阶段还能在CMOS影像传感器的生产上看到40纳米、60纳米等过时的成熟制程。只是，在感光层之下的信号处理器就有很大的差别了，由于这里是协助数字信号转换成图像的地方，使得这部分与各种处理器兴同，将会对制程技术有一定的敏感度，可藉由在新制程生产，达到更低的工作功耗，以节省电量。

不过，目前最大的问题还是电压，CMOS影像传感器工作时需要一个较高的电压，这个电压值虽然在我们看来仍旧算低的，但对于1x纳米制程下的半导体元件来说，已经算是非常高的。现阶段三星也似乎是解决了这个电压问题，在原本用于逻辑处理器生产的14纳米制程基础上，新开发了一种适用于CMOS影像传感器的制程技术。

三星指出，在新的正成技术下，传感器的整体功耗降低了非常多。尤其是数字信号处理方面，对新制程技术更加敏感。整体来说，在1.44亿像素下进行10fps的连拍时，最高可以节约42%的电能。而这样的结果对于功耗敏感的行动产品来说将是非常大的突破。而除了性能与功耗都叫现阶段产品有更进一步的提升之外，市场人士认为，三星以14纳米FinFET制程来生产CMOS影像传感器，还有一样重大因素，就是为了抢攻市场而来。

先前有媒体报导，近半年来受惠于5G题材的发酵，智能手机对照相品质要求大无提升的情况下，影像像传感器市场持续火热，但如今供应链产能紧张问题仍未得到缓解。因此日前是常传出目前全球图像传感器龙头SONY，因产能不足首次释单给台积电的40纳米制程来生产，而其他包括联电与力积电等晶圆代工厂商业陆续也都拿下CMOS影像传感器产品的大单，显见当前影像传感器的市场热络。

另外，根据市场研究公司调查结果显示，SONY在2019年第1季以51.1%市占率位居图形传感器市场龙头。紧跟在后的是三星电子17.8%，Omni Vision以13.5%排名第3，之后为安森美半导体5.7%以及SK海力士2.7%。三星电子也正在积极投入影像传感器发展，企图力赶SONY的市场领导地位。

所以，透过较先进制程的生产，三星除了企图能以更高效能的产品抢攻SONY的市占率之外，还能够带动本身在晶圆代工市场的营收。至于，整体的最后成果如何，就有待日后密切观察。
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