还未设置个性签名
成为VIP会员 享9项特权: 开通会员

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦, 立即完善>

3天内不再提示

摩尔定律未来还能不能继续下去

半导体动态 来源:wv 作者:快科技 2019-10-26 11:05 次阅读

半导体行业,任何大腕及重要公司都无法绕开一个话题——摩尔定律,作为半导体产业的金科玉律,它已经指导了芯片发展50多年。摩尔定律未来还能不能继续下去?这个问题上业界分成了两派,坚信摩尔定律与认为摩尔定律已死的阵营各执一词。

摩尔定律是Intel创始人戈登·摩尔提出的,Intel自然是坚定的挺摩派,NVIDIA则是坚定的反摩派,AMD公司的立场比较中庸,不认为摩尔定律已死,但也认为摩尔定律正在放缓。

日前在上海,Globalfoundries格芯(简称GF)举行了GTC 2019大会的第三站会议,格芯财务、战略与业务转型执行副总裁Tim Breen发表了题为「共同成长」的主题演讲,强调了半导体在日常生活和创新发展中扮演着越来越重要的角色。

格芯副总Tim Breen也谈到了摩尔定律,他认为未来所要讨论的并不是摩尔定律是否还有效,而是能持续多长时间。「摩尔定律并不会死去,只是其意义发生了变化。以往的摩尔定律聚焦于如何让芯片变得越来越小,而未来,摩尔定律将聚焦于如何让芯片变得越来越好。」

Tim Breen强调,要想要实现这一目标,除了进行制程的微缩之外,还存在很多方法。格芯的目标不是如何保证摩尔定律继续持续下去,而是让芯片更好的适用于产品,为产品服务。格芯战略的转变也在于,如何为客户提供更好的定制化的产品。

格芯公司在2018年放弃了7nm及以下工艺的研发,专注14/12nm FinFET及22nm、12nm FD-SOI工艺创新。目前AMD的7nm锐龙、霄龙处理器中的IO核心使用的就是GF的14/12nm工艺代工制造。

  • 半导体
    +关注

    关注

    297

    文章

    16588

    浏览量

    191559
  • 摩尔定律
    +关注

    关注

    4

    文章

    448

    浏览量

    75663
  • 格芯
    +关注

    关注

    2

    文章

    181

    浏览量

    24191
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    基于锑化物Ⅱ类超晶格InAs/InAsSb的研究进展

    在半导体超晶格材料体系中,基于Ⅲ-V族半导体的超晶格材料是人们的研究热点,其带隙在0.1~1.7eV....
    的头像 MEMS 发表于 08-13 10:21 94次 阅读

    测试专场直播:部分演讲嘉宾已公布,抓紧抢占报名席位!

    在半导体制造产业链中,测试工序是一个十分重要的环节。后摩尔时代,在现有极限工艺制程的条件下,平面IC....
    的头像 半导体芯科技SiSC 发表于 08-12 17:21 198次 阅读
    测试专场直播:部分演讲嘉宾已公布,抓紧抢占报名席位!

    世强先进与多家供应商签署授权代理协议

    近日,世强先进(深圳)科技股份有限公司(下称“世强先进”)与两家集成电路芯片供应商——思泰迪半导体、....
    的头像 世强SEKORM 发表于 08-12 16:33 175次 阅读

    摩尔定律为处理器创新让路

    从数据中心到网络边缘传感器,摩尔定律、冯诺依曼和哈佛在人工智能和图像处理的信号处理新方法方面排名第二
    发表于 08-12 16:04 21次 阅读
    摩尔定律为处理器创新让路

    2022世界半导体大会:8月18日,同联世界芯,共筑未来梦

    “2022世界半导体大会(World Semiconductor Conference Expo 2....
    的头像 科技见闻网 发表于 08-12 15:56 183次 阅读

    激光分类的方法

    固体激光器(Solid state laser)一般体积小而坚固,脉冲辐射功率较高,应用范围较广泛。....
    的头像 倩倩 发表于 08-12 14:30 43次 阅读

    半导体行业——加热工艺解析

    硅局部氧化(LOCOS)的隔离效果比整面全区覆盖式氧化效果好。LOCOS工艺使用一层很 薄的二氧化硅....
    的头像 倩倩 发表于 08-12 11:18 137次 阅读

    美芯片法案对中国芯片产业意味什么 EDA软件是否受限

    美芯片法案对中国芯片产业意味什么 EDA软件是否受限 在阻碍我国半导体产业发展上,美国似乎不会停止,....
    发表于 08-11 17:44 530次 阅读

    台积电赴美建厂,成本预计多5成,语音芯片会涨价吗?

    美国政府投入超过520亿美元,补助台积电等半导体业者用于研发与制造,但创办人张忠谋却以先前俄勒冈厂房....
    的头像 九芯电子语音IC 发表于 08-11 16:47 296次 阅读

    OCP服务器网卡:半导体行业怎么了

    美国意在通过这一法案补助美国半导体企业,以求继续在科技层面实施干预。
    的头像 胡沅丽 发表于 08-11 16:31 122次 阅读

    研究人员将完全集成的可清洗电子设备直接打印到织物上

    剑桥大学的材料科学家和工程师最近通过成功地将简单的电路印刷到衣服和其他软质基材上,展示了真正可穿戴电....
    的头像 李猛 发表于 08-11 16:29 87次 阅读

    FIGARO半导体式/气体传感器

    TGS3830对广泛运用于空调与冰箱制冷剂的R-12的最佳替代品R-134a有极高的灵敏度,而且响应....
    的头像 创意电子 发表于 08-11 15:15 126次 阅读

    概伦电子NanoDesigner产品的技术优势

    8月10日,《NanoDesigner全定制IC设计解决方案》在线研讨会火热举办,概伦电子高级应用经....
    的头像 概伦电子Primarius 发表于 08-11 11:26 438次 阅读

    “节卡机器人牵手半导体龙头 构建中国智造“芯”格局 ”

    01客户背景 天水华天电子科技有限公司(以下简称“华天科技”)主要从事半导体集成电路、半导体元器件的....
    的头像 话说科技 发表于 08-11 11:05 87次 阅读
    “节卡机器人牵手半导体龙头 构建中国智造“芯”格局 ”

    一维纳米结构(量子线)和零维结米结构(量子点)

    讨论了一维纳米结构(量子线)和零维结米结构(量子点),它们的各种制作方法和可调节的物理性质,介绍的主....
    的头像 中科院半导体所 发表于 08-11 10:54 76次 阅读

    极海推出基于Arm Cortex-M4内核的高性能、高安全APM32F405/415工业级MCU新品

    极海半导体注重并持续在产品需求、产品定义、迭代升级、应用方面与各相关厂商加深合作,目前APM32系列....
    的头像 Geehy极海半导体 发表于 08-11 10:39 92次 阅读

    概述推动异构集成的封装选项,以及对工程师的影响

    高级封装采用了另一种方法,其中裸片使用基板加中介层结构连接在一起。使先进的半导体封装变得可行和经济的....
    的头像 city_prolove 发表于 08-11 09:54 78次 阅读

    拜登签署芯片法案 美国签署芯片法案目的是什么

    此前,该法案已经相继在美国国会参众两院获得通过。拜登在白宫的签署仪式表示,这项法案将协助美国赢得21....
    的头像 电子发烧友网 发表于 08-11 09:34 296次 阅读

    电动化与智能化驱动下的车用半导体发展机遇

    泰克科技技术经理刘剑为本次论坛的观众带来《泰克智能座舱域自动驾驶域解决方案》的主题分享。刘剑表示,当....
    发表于 08-11 09:24 114次 阅读

    拜登签署芯片法案,美国芯片制造业发展有望?对中国有何影响?

    电子发烧友网报道(文/李弯弯)8月9日晚,美国总统拜登在白宫签署《芯片和科学法案》,该法案将为美国半....
    的头像 Carol Li 发表于 08-11 09:22 1433次 阅读
    拜登签署芯片法案,美国芯片制造业发展有望?对中国有何影响?

    主控MCU和触控IC之间的不同之处是什么

    其实,触摸IC触摸在此特指单点或多点触控技术;IC即集成电路,是半导体元件产品的统称。
    的头像 Hrf1234 发表于 08-11 08:56 178次 阅读

    弹性半导体制成可穿戴神经形态芯片

    美国芝加哥大学普利兹克分子工程学院研究人员开发了一种灵活、可拉伸的计算芯片,该芯片通过模仿人脑来处理....
    的头像 Hrf1234 发表于 08-11 08:52 81次 阅读

    拜登签署芯片法案美芯片股暴跌之后外交部回应拜登签署芯片法案

    拜登签署芯片法案美芯片股暴跌之后外交部回应拜登签署芯片法案 美国总统拜登签署《2022 芯片与科技法....
    的头像 汽车电子技术 发表于 08-10 19:28 326次 阅读

    Micro LED产业化面临哪些技术挑战

    2022年8月9日,集邦咨询第三代半导体前沿趋势研讨会圆满闭幕。此次大会主要讨论GaN/SiC等第三....
    发表于 08-10 17:33 116次 阅读

    芯片法案通过对全球半导体影响剧烈,中国内地语音芯片或将受阻!

    近日芯片代工大厂格罗方德声明中表示,将和全球IC设计龙头高通合作且签署协议,将延续5G收发器(tra....
    的头像 九芯电子语音IC 发表于 08-10 17:30 558次 阅读

    新的热力学:量子物理学如何改变规则

    与物理学和工程学的许多分支一样,争论和研究的一个共同点是:在什么条件下,物理学的经典定律和理论会崩溃....
    的头像 温暖镜头 发表于 08-10 17:02 149次 阅读
    新的热力学:量子物理学如何改变规则

    格芯公布第二季度初步财务业绩 营收同比增长23%

    格芯(纳斯达克:GFS)公布了截至2022年6月30日的第二季度初步财务业绩。
    的头像 GLOBALFOUNDRIES 发表于 08-10 16:40 162次 阅读

    推动半导体产业高质量发展,耐科装备上市IPO深耕先进封装技术

    先进半导体技术是我国必须抢占的高地,是推动我国现代高科技发展的核心。其中,先进封装技术的发展是我国半....
    的头像 一人评论 发表于 08-10 16:10 181次 阅读

    拜登签署芯片法案 美芯片股暴跌

    拜登签署芯片法案 美芯片股暴跌 美国芯片法案一直喧嚣尘上,现在拜登签署芯片法案引发了美芯片股暴跌,当....
    发表于 08-10 13:07 528次 阅读

    高通和格芯签订价值32亿美元芯片采购协议

    在这个总价差不多500亿元人民币的大订单中,有一点是值得关注的,那就是格芯自2018年就宣布终止7n....
    的头像 电子发烧友网 发表于 08-10 09:21 1480次 阅读

    蓝箭电子更新IPO上市最新进展

    此次蓝箭电子冲刺创业板上市,保荐机构为金元证券,拟公开发行不超过5000万股,募集6.02亿元,用于....
    的头像 电子发烧友网 发表于 08-10 09:09 478次 阅读

    总价500亿!格芯拿下高通超大额订单,给中国芯片制造带来哪些启示?

    电子发烧友网报道(文/吴子鹏)当地时间本周一,芯片巨头高通宣布,将从美国芯片制造商格芯(Global....
    的头像 Felix分析 发表于 08-10 08:47 1341次 阅读
    总价500亿!格芯拿下高通超大额订单,给中国芯片制造带来哪些启示?

    如何区分芯片CP测试和FT测试

    从工序角度上看,似乎非常容易区分cp测试和ft测试,没有必要再做区分,而且有人会问,封装前已经做过测....
    的头像 半导体行业相关 发表于 08-09 17:29 229次 阅读

    未来的芯片封装工艺之路——缩放、先进封装,或兼而有之

    来源:半导体芯科技编译 在过去几十年里,摩尔定律(Moore’s Law)已被淘汰的预言不绝于耳,对....
    的头像 半导体芯科技SiSC 发表于 08-09 17:25 445次 阅读
    未来的芯片封装工艺之路——缩放、先进封装,或兼而有之

    【Insight】抓住全球半导体供应链大变革机遇

    毫无疑问全球正处于半导体供应链的大变革时期。全球多个经济体陆续推出本土芯片扶持计划,包括美国、欧盟、....
    发表于 08-09 16:12 130次 阅读
    【Insight】抓住全球半导体供应链大变革机遇

    MOS管知识全面解析

    每一个MOS管都提供有三个电极:Gate栅极(表示为“G”)、Source源极(表示为“S”)、Dr....
    发表于 08-09 11:35 160次 阅读

    宏光获协鑫朱共山认购六千万股认购股份及六千万万份认股权证

    (2022年8月8日,香港)宏光半导体有限公司(「宏光半导体」,连同其附属公司统称「集团」;股份代号....
    的头像 科技数码 发表于 08-09 10:45 143次 阅读

    图形化方案对制造工艺的影响

    在摩尔定律的驱动下,存储器和逻辑芯片半导体制造商通过提高晶体管密度来减少产品成本、提升性能。
    的头像 city_prolove 发表于 08-09 09:34 57次 阅读

    基于EUV技术,制程工艺演进到intel4,激发千倍算力怎么做?英特尔宋继强揭示前沿半导体技术创新路径

    如何突破算力的瓶颈?如何让不同架构的处理器在硬件架构布局上发挥最大协同作用?从终端侧、到边缘再到服务....
    的头像 章鹰观察 发表于 08-09 08:28 869次 阅读
    基于EUV技术,制程工艺演进到intel4,激发千倍算力怎么做?英特尔宋继强揭示前沿半导体技术创新路径

    碳化硅开关会主导电动汽车的动力传动系统吗

    根据美国能源部的数据,如今美国道路上只有不到 1% 的汽车由电力驱动,但到 2050 年,这一比例可....
    的头像 敷衍作笑谈 发表于 08-09 08:02 127次 阅读
    碳化硅开关会主导电动汽车的动力传动系统吗

    CoolSiC™器件为台达双向逆变器提供助力

    英飞凌科技股份公司的 CoolSiC™产品被总部位于台湾的全球领先的电源管理及散热解决方案提供商台达....
    的头像 jf_72610005 发表于 08-09 00:16 52次 阅读
     CoolSiC™器件为台达双向逆变器提供助力

    国内“半导体”3大标杆:“卡脖子”,“中国芯”崛起的希望?

    科技无国界,可能是21世纪最大的笑话! 不知从何时起,国内的某些公知们,开始大肆的吹捧科技无国界。他....
    的头像 洋哥侃股 发表于 08-08 15:52 487次 阅读
    国内“半导体”3大标杆:“卡脖子”,“中国芯”崛起的希望?

    二极管基础知识与选型指南

    二极管选型指南-电子元器件选型指导系列(二),作为半导体元老级产品二极管,本文我们从二极管的分类、命....
    的头像 王地虎 发表于 08-08 13:52 141次 阅读
    二极管基础知识与选型指南

    先进封装呼声渐涨 Chiplet或成延续摩尔定律新法宝

    通富微电、华天科技也表示已储备Chiplet相关技术。Chiplet是先进封装技术之一,除此以外,先....
    发表于 08-08 12:01 418次 阅读

    宽带隙半导体提高新型功率器件的效率

    效率是所有工业部门的驱动力,包括消费部门。在电子系统中,效率会导致性能限制以及使用寿命缩短。然而,更....
    发表于 08-08 11:09 22次 阅读
    宽带隙半导体提高新型功率器件的效率

    宽带隙半导体为通向太空铺平道路

    自硅问世以来,宽带隙半导体,如氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC),已被证明是电力电子领域最有前....
    的头像 神之小风 发表于 08-08 10:57 94次 阅读
    宽带隙半导体为通向太空铺平道路

    Foveon 传感器背后的想法

    从纸面上看,这项技术承诺在色彩准确度、低光噪声和图像清晰度方面优于 CMOS 传感器。本文将解释为什....
    发表于 08-08 10:51 52次 阅读

    半导体行业最新动态

    行业相关 1、士兰微在厦投建生产线!实施“SiC功率器件生产线建设项目” 近日,知名半导体上市公司士....
    的头像 研精毕智 发表于 08-08 10:28 233次 阅读

    数据中心用碳化硅半导体

    在数据中心基础设施对以尽可能低的成本提供高效、可靠电力的要求的推动下,不间断电源 (UPS) 市场预....
    发表于 08-08 10:19 43次 阅读
    数据中心用碳化硅半导体

    半导体制冷片控制板开发技术用到的功能模块有哪些?

    半导体制冷片控制板开发技术需要用到的功能模块有哪些?有知道的朋友吗?展开讲讲? ...
    发表于 05-22 18:26 11113次 阅读

    半导体激光焊锡电源相关资料下载

    半导体激光焊锡电源 连续直接输出激光器 高功率高精度电源直接半导体激光器输出功率涵盖10W至500W,具有更高的电光转换效率,输...
    发表于 12-29 08:00 2871次 阅读

    大功率半导体激光电源的作用有哪些

    大功率半导体激光电源 输出功率涵盖10W至500W,具有更高的电光转换效率半导体直接输出激光器介绍直接半导体激光器输出功率涵盖...
    发表于 12-29 07:24 2606次 阅读

    无源组件与有源元件及机电组件的功能区别

    无源组件不能放大信号,并且它们不会产生机械运动。有源元件可以放大信号。机电组件将电能转换为机械运动,将机械运动转换为电能...
    发表于 12-29 07:04 1436次 阅读

    半导体直接输出激光器介绍

    半导体直接输出激光器介绍研制的直接半导体激光器输出功率涵盖10W至500W,具有更高的电光转换效率,输出功率稳定。200W以下的...
    发表于 12-29 06:21 3204次 阅读

    LDO稳压器有何作用

       LDO稳压器通常是任何给定系统中成本最低的元件之一,但从成本/效益角度来说,它往往是最有价值的元件之一。除了输出电压...
    发表于 12-28 07:59 1144次 阅读

    怎样去使用vim的基础命令

    vim从入门到精通--基础命令使用                     ...
    发表于 12-23 06:23 1548次 阅读

    电源内阻对DC-DC转换器效率的影响

     DC-DC转换器常用于采用电池供电的便携式及其它高效系统,在对电源电压进行升压、降压或反相时,其效率高于95%。电源内阻是...
    发表于 11-16 08:52 1409次 阅读

    LDO类的电源转换芯片

     LDO是low dropout regulator,意为低压差线性稳压器,是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器,如78xx系列的芯片...
    发表于 11-16 08:50 1416次 阅读

    正确理解DC/DC转换器

     一、正确理解DC/DC转换器:  DC/DC转换器为转变输入电压后有效输出固定电压的电压转换器。DC/DC转换器分为三类:...
    发表于 11-16 06:32 1416次 阅读

    LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

    LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
    发表于 01-08 17:51 2103次 阅读
    LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

    TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

    TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
    发表于 01-08 17:51 625次 阅读
    TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

    TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

    TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
    发表于 01-08 17:51 521次 阅读
    TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

    LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

    LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
    发表于 01-08 17:51 666次 阅读
    LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

    TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

    TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
    发表于 01-08 17:51 1354次 阅读
    TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

    INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

    INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
    发表于 01-08 17:51 708次 阅读
    INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

    LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

    LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
    发表于 01-08 17:51 753次 阅读
    LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

    LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

    LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
    发表于 01-08 17:51 1313次 阅读
    LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

    AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

    AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
    发表于 01-08 17:51 2804次 阅读
    AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

    OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

    OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
    发表于 01-08 17:51 2303次 阅读
    OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

    TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

    TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
    发表于 01-08 17:51 489次 阅读
    TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

    DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

    DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
    发表于 01-08 17:51 603次 阅读
    DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

    TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

    TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
    发表于 01-08 17:51 646次 阅读
    TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

    TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

    这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
    发表于 01-08 17:51 675次 阅读
    TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

    LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

    LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
    发表于 01-08 17:51 1139次 阅读
    LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

    TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

    TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
    发表于 01-08 17:51 1212次 阅读
    TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

    LM358B 双路运算放大器

    LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
    发表于 01-08 17:51 1291次 阅读
    LM358B 双路运算放大器

    LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

    LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
    发表于 01-08 17:51 667次 阅读
    LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

    LM2902LV 行业标准、低电压放大器

    LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
    发表于 01-08 17:51 632次 阅读
    LM2902LV 行业标准、低电压放大器

    LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

    LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
    发表于 01-08 17:51 655次 阅读
    LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器