MOSFET栅极驱动调整电路优化关键要点

本文将对电源IC BD7682FJ的外置MOSFET的开关调整部件和调整方法进行介绍。

MOSFET栅极驱动调整电路：R16、R17、R18、D17

“为了优化外置MOSFET Q1的开关工作，由R16、R17、R18、D17组成一个调整电路，用来调节来自BD7682FJ的OUT引脚的栅极驱动信号（参见电路图）。这个电路会对MOSFET的损耗和噪声产生影响，因此需要一边确认MOSFET的开关波形和损耗，一边进行优化。”

开关导通时的速度由串联到栅极驱动信号线上的R16和R17来调整。

开关关断时的速度由用来抽取电荷的二极管D17和R16共同来调整。

通过减小各电阻值，可提高开关速度（上升/下降时间）。

在此次的电路示例中，R16＝10Ω/0.25W，R17＝150Ω，D17＝肖特基势垒二极管RB160L-60（60V/1A）。

准谐振转换器在导通时基本上不会产生开关损耗，关断时的损耗占主导地位。

要想降低开关关断时的开关损耗，需要减小R16，提高开关关断速度。但这会产生急剧的电流变化，开关噪声会变大。

开关损耗和噪声之间存在着此起彼消（Trade-off）的制约关系，所以需要在装入实际产品的状态下测量MOSFET的温度上升（＝损耗）和噪声情况，并确认温度上升和噪声水平在允许范围内。请根据需要将上述常数作为起始线进行调整。

另外，由于R16中会流过脉冲电流，因此需要确认所用电阻的抗脉冲特性。

R18是MOSFET栅极的下拉电阻，请以10kΩ～100kΩ为大致标准。

关键要点：

调整栅极驱动信号，并优化开关晶体管的损耗和噪声。

加快开关的导通/关断时间可减少损耗，但开关噪声会变大。