关于静电保护(ESD) 中的CDM需求的发和应用

和on-chip ESD 中的HBM，MM不同，CDM的指标与IC layout ，封装，BONDING TYPE强相关。 因此很多IC公司会在一个测试芯片上，制作一个和实际产品相近的IC IO RING来选择最优的CDM方案。随着技术节点的减小和面对各种新型消费，工业产品，对ESD的要求变得更多样和更强大。 特别重要的是，first-time-right IC release对设计公司来说，越来越迫切，在这里，我们引用SOFICS的一些文章来介绍在CDM这块和设计公司共同合作的成果。 比如下面的这篇文章讲述了在引用了公司的ESD结构，在富士通的工艺线上的IO TESTCHIP上做不同的实验后，共同验证了对于CDM的性能影响是多方面的。

在这些不同的测试让我们得到以下结论，在同样的on-chip ESD 结构下：

DT-SCR ESD 结构在LV IO DOMAIN 里面还是外面有比较大影响

2. 通过低电阻的VSS和SUBSTRATE相连，可以大幅提高器件CDM 性能

3. 使用低电阻的衬底也会大大改善CDM性能

4. 单单通过IO TESTCHIP CDM测试，会误判内部核心器件的静电保护能力

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公司在on-chip ESD 领域给客户提供私人定制的需求，比如高速，高压，超低功耗等等，工艺覆盖所有半导体厂主流工艺并且IP转移非常方便。在给客户解决ESD和IO 方面问题的同时，帮助客户省芯片面积，省MASK，提高性能和TIME-TO-MARKET。