解析Intel Optane SSD写寿命翻倍

尽管OptaneDC Persistent Memory（傲腾数据中心持久内存）在整体性能表现和寿命上都要好于之前NVMeSSD接口的Optane，但毕竟3D XPoint Memory采用传统块设备接口还有广大的市场空间，包括依赖传统存储协议栈的应用，以及U.2驱动器的热插拔维护优势都是DIMM内存形态不足以覆盖的。

比如我在《性能修正：Intel Optane DC持久化内存更多测试》中就通过整理性能数据发现，“Optane持久化内存不是在所有情况下都比Optane SSD快，特别是直接在块设备上建传统文件系统或者数据库”。

《Dell EMC PowerStore详解：NVMe+SAS全闪存阵列，还是一体机？》中新一代存储支持的NVMe SCM，就是双端口的Intel Optane D4800X。不过我觉得这种配置是否有点超出闪存的范围——因为严格说3DXPoint Memory不属于闪存：）

今天给大家分享点看到的关于Optane SSD DC P4800X/P4801X的新消息，当然也是我从Intel网站找资料确认过的。

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如上图，Intel最新给出的Optane P4800X/P4801X写寿命，已经从之前宣传的30 DWPD翻倍到60 DWPD。

回到3年前写的《Optane P4800X比闪存写快3倍，杀手应用在哪里？》，我最初看到375GB P4800X的最大写入量还是12.3PBW，刚推出时Intel保守只写了3年的DWPD=30；后来该数字提高到20.5PBW——即5年DWPD=30，750GB型号以此类推——如今这两个容量点同时保留30DWPD的数字，估计是新旧批次的OptaneSSD在市场中并存吧？

如今375GB的最大写入量达到41PBW，仍然是按照JESD219工作负载；一同升到60DWPD的还有100GB、200GB、750GB、1.5TB的Optane P4800X/P4801X。

当前一代容量最大的1.5TB Optane SSD、U.2型号，不像小容量点那样有黑色散热片，我理解可能是内部空间被电路板占的比较满了。

作为新一代SCM（存储级内存），3D XPoint Memory介质的写寿命早就有余地，我在《Optane DIMM写速度比SSD慢？内存接口可能并非完美》里面也列出过Intel提供的图表：

Optane DIMM 256GB的360PBW相当于5年770 DWPD。这个耐久度是在4 CacheLine（256Byte）情况下，如果全换成64Byte访问会不会只有1/4的写寿命——即大约192DWPD？

Intel对Optane持久内存的质保上没有写入限制，毕竟换成DIMM接口之后，写和读之间的性能差距拉得大一些。其实我理解Optane SSD也可能产生“写放大”，比如用小于4KB来写入——从SSD开始流行后这样做已经是性能优化时尽量避免的。

由于之前做过P4800X的评测所以了解比较多，以前我没太多留意P4801X，今天发现它并不都是M.2 22x110mm的外形，还有一款100GB U.2 SSD。

100GB和200GB容量点的P4801X性能上也有点折扣，比如200GB的随机写IOPS降到40万；100GB的随机写IOPS 25万，带宽相应减半为1000MB/s。

在375GB以下，定位商用（非企业级，用于PC/工作站）的Optane 900P性能倒是满血。（扩展阅读《Optane SSD 900P评测（2）：比拼4x闪存NVMe RAID0》）

不过900P和905P对写寿命不那么敏感，标称10 DWPD已经远超绝大多数SSD，这次我也没有特别去看这一点。