GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
概述：RF2131是RF Micro Devices公司生产的一款高效率的AMPS/ ETACS放大器。它采用先进的砷化镓异质结双极型晶体管(HBT)处理，设计用于AMPS和ETACS手持设备的末级
2021-05-18 07:59:09
概述：RF2132是RF Micro Devices生产的一款高效率线性放大器。它采用先进的砷化镓异质结双极型晶体管(HBT)处理，设计用于双模式4节电池的CDMA／AMPS手持数字式蜂窝系统设备
2021-05-18 06:03:36
的Jimenez说道，“一种可能是改变氮化镓的结构。氮化镓采用的是场效应管（FET）结构，而手机功放则是用异质双结型晶体管（HBT）结构，HBT结构的效率和线性度更好。”射频氮化镓器件可以考虑垂直结构，或者
2016-08-30 16:39:28
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13:27
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
的是用于蓝光播放器的光盘激光头）。
在光子学之外，虽然氮化镓晶体管在1993年就发布了相关技术，但直到2004年左右，第一个氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）才开始商用。这些晶体管通常用于需要高效
2023-06-15 15:50:54
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工厂开发的特点；纳微半导体的GaNFast方案则可以通过高频实现充电器的小型化和高效率（小米65W也是采用此方案）。对于氮化镓快充普及浪潮的来临，各大主流电商及电源厂
2020-03-18 22:34:23
功率晶体管(如GaN和碳化硅(SiC))有望在高压和高开关频率条件下提供高功率效率，从而远远超过硅MOSFET产品。 GaN可以为您做什么 根据应用的不同，高效率的高频开关可以将功率模块的尺寸缩小
2018-11-20 10:56:25
本文讨论了商用氮化镓功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器方面的优势。介绍随着更高功率、更小尺寸和更高效率的明显趋势，高频 LLC 谐振转换器是业内隔离式
2023-02-27 09:37:29
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
650V的MOSFET。根据应用程序的要求，开发人员可以针对最高效率，最大功率密度或两者之间的折衷。 由于其“0反向恢复”行为，GaN晶体管使得一些拓扑实际上可用，例如图腾柱PFC，其需要比传统
2023-02-27 15:53:50
的热量，需要更大的散热器。不幸的是，这增加了系统成本、重量和解决方案总尺寸，这在空间受限的应用中是不期望的或不可接受的。氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）具有优于硅MOSFET的多种优势
2017-08-21 14:36:14
集成电路［7］。图7显示了单片功率级GaN IC的框图和实际芯片照片。将这种单片集成电路的实验测量效率（如图8所示）与使用具有相同导通电阻的eGaN®晶体管的分立电路进行比较，并由uPI半导体uP1966
2023-02-24 15:15:04
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
晶体管如今已与碳化硅基氮化镓具有同样的电源效率和热特性。MACOM 的第四代硅基氮化镓 (Gen4 GaN) 代表了这种趋势，针对 2.45GHz 至 2.7GHz 的连续波运行可提供超过 70
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
硅的限制，因此无法在单个硅功率FET中提供所有这些功能。宽带隙功率晶体管（如GaN和碳化硅（SiC））有望在高压和高开关频率条件下提供高功率效率，从而远远超过硅MOSFET产品。
GaN可以为您做什么
2019-03-14 06:45:11
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。 数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN
2018-08-17 09:49:42
2000 年代初就已开始，但 GaN 晶体管仍处于起步阶段。 毫无疑问，它们将在未来十年内取代功率应用中的硅晶体管，但距离用于数据处理应用还很远。
Keep Tops氮化镓有什么好处？
氮化镓的出现
2023-08-21 17:06:18
射频功率放大器被广泛应用于各种无线通信设备中。在通讯基站中，线性功放占其成本比例约占1／3。高效率，低成本的解决功放的线性化问题显得非常重要。因此高效率高线性的功放一直是功放研究的热门课题。
2019-09-17 08:08:11
` 本帖最后由 射频技术 于 2021-4-8 09:16 编辑
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化镓更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。 CGH40010，正在运行从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。 CGH40010，正在运行从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高效率，高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L，S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-25 09:37:45
Wolfspeed的CGHV40030是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高效率，高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L，S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-24 10:48:00
` 本帖最后由 射频微波技术 于 2021-4-8 09:15 编辑
Wolfspeed的CGHV60040D是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化镓更高的性能
2021-04-07 14:24:11
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）衬底上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。这种GaN内匹配（IM）场效应晶体管与其他技术相比，提供了优异的功率附加效率。GaN与硅或砷化镓相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
产品采用符合RoHS的SMD封装提供。功能 内部匹配的GAN功率晶体管射频带宽（GHz）最小值-最大值 2.7-3.4功率（W） 65岁PAE（％） 55封装 QFN塑料包装CHKA011aSXA氮化
2021-04-02 16:25:08
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
脉冲功率。 在没有外部调谐的情况下，所有设备都在宽带RF测试夹具中100％屏蔽了大信号RF参数。硅双极匹配50欧姆210W输出功率经过100％大功率射频测试C级操作IB0607S10功率晶体管
2021-04-01 10:07:29
应用。加拿大多伦多大学教授吴伟东分享了关于用于GaN功率晶体管的智能栅极驱动器IC的精彩报告，并提出了一种适用于氮化镓功率晶体管的智能栅极驱动集成电路，该集成电路带有电流传感特性、可调节输出电阻、可调
2018-11-05 09:51:35
基于SiC HEMT技术的GaN输出功率> 250W预匹配的输入阻抗极高的效率-高达80％在100ms，10％占空比脉冲条件下进行了100％RF测试IGN0450M250功率晶体管
2021-04-01 10:35:32
MACOM六十多年的技术传承，运用bipolar、MOSFET和GaN技术，提供标准和定制化的解决方案以满足客户最严苛的需求。射频功率晶体管 - 硅基氮化镓 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑
整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上氮化镓射频功率技术，瞄准主流消费
2018-02-12 15:11:38
，可帮助系统设计人员简化和加快产品开发，使其能够轻松微调射频能量输出水平，从而最大限度地提高效率和增强性能。MACOM的射频能量工具包将其硅基氮化镓功率晶体管的优势与直观、灵活的软件和信号控制能力相结合
2017-08-03 10:11:14
用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革，特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动，这将对无线
2017-08-30 10:51:37
`作为一家具有60多年历史的公司，MACOM在射频微波领域经验丰富，该公司的首款产品就是用于微波雷达的磁控管，后来从真空管、晶体管发展到特殊工艺的射频及功率器件（例如砷化镓GaAs）。进入2000年
2017-09-04 15:02:41
（GaN）那么，问题来了，怎么解决高昂的价格？首先，先了解下什么是硅基氮化镓，与硅器件相比，由于氮化镓的晶体具备更强的化学键，因此它可以承受比硅器件高出很多倍的电场而不会崩溃。这意味我们可以把晶体管
2017-07-18 16:38:20
化镓或砷化铝镓技术的这类二极管。产品型号：NPT2020产品名称：射频晶体管NPT2020产品特性GaN上硅HEMT耗尽型晶体管适合线性和饱和应用从直流3.5 GHz调谐48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
和医疗应用。我们的产品组合利用了MACOM超过60年的传统，即使用GaN-on-Si技术提供标准和定制解决方案，以满足客户最苛刻的需求。我们的硅基氮化镓产品采用0.5微米HEMT工艺制成分立晶体管和集成
2019-11-01 10:46:19
产品名称：氮化镓晶体管QPD1004产品特性频率范围：30 - 1200 MHz输出功率（p3db）：40 W在1 GHz线性增益：20.8分贝典型的1 GHz典型的pae3db：73.2%在1
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化镓晶体管产品介绍QPD1018报价QPD1018代理QPD1018咨询热线QPD1018现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1018内部匹配离散GaN
2018-07-27 09:06:34
`QPD1018氮化镓晶体管产品介绍QPD1018报价QPD1018代理QPD1018咨询热线QPD1018现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1018内部匹配离散GaN
2019-07-17 13:58:50
QPD1020射频功率晶体管产品介绍QPD1020报价QPD1020代理QPD1020咨询热线QPD1020现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50欧姆输入
2018-07-27 11:20:12
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-250H-R为S波段雷达应用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作电压和高达120µsec脉冲宽度的脉冲条件
2021-03-30 11:14:59
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-600H-R为S波段雷达应用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作电压和高达120µsec脉冲宽度的脉冲条件
2021-03-30 11:24:16
`住友电工的GaN-HEMT为具有50V工作电压的高功率L波段放大器提供了高效率，易于匹配，更高的一致性和更宽的带宽，并为您提供了更高的增益。该器件的目标应用是高电压的低电流和宽带应用。高压操作
2021-03-30 11:37:49
`SUMITOMO的SGNE045MKGaN-HEMT为具有50V工作电压的高功率L波段放大器提供了高效率，易于匹配，更高的一致性和更宽的带宽，并为您提供了更高的增益。该器件的目标应用是高电压的低
2021-03-30 11:32:19
附加效率为70.5%，这使得tgf2023-2-20适合高效率的应用.产品型号:TGF2023-2-20产品名称：碳化硅晶体管TGF2023-2-20产品特性频率范围：直流至14 GHz50.5
2018-06-22 11:09:47
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB压缩。这种性能使tgf2040适合高效率的应用。带有氮化硅的保护层提供了环境鲁棒性和划痕保护级别。产品型号：TGF2040产品名称：砷化镓晶体管
2018-07-18 12:00:19
在功率增益10.4 dB和63%的功率附加效率在1 dB压缩。这种性能使tgf2160适合高效率的应用。产品型号：TGF2160产品名称：砷化镓晶体管TGF2160产品特性频率范围：直流- 20千兆
2018-07-19 10:35:47
-on-SiC HEMT由DC-12 GHz。在3 GHz的tgf2954通常提供44.5 dBm的功率增益为19.5 dB的饱和输出功率。功率附加效率为71.5%，这使得tgf2954适合高效率的应用。产品型号
2018-11-15 14:01:58
-on-SiC HEMT由DC-12 GHz。在3 GHz的tgf2955通常提供46.4 dBm的功率增益为19.2 dB的饱和输出功率。功率附加效率为69%，这使得tgf2955适合高效率的应用。产品型号
2018-11-15 14:06:57
、测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。产品型号: TGF2977-SM产品名称：氮化镓晶体管TGF2977-SM产品特性频率范围：直流- 12 GHz输出功率（p3db）：6 W在9.4 GHz线性增益
2018-07-25 10:06:15
结合传统类型的射频功率放大器对开关E类射频功率放大器进行了探讨，并推导了具有并联电容结构的E类功放的各元器件的理论计算公式，选用了M／ACOM公司的MRFl66C型号的功率晶体管，并结合理论计算
2021-12-16 19:31:39
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
度为1.1 eV，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度，耗尽区窄短，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如，一个典型的650V横向氮化镓晶体管，可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16
的模拟揭示了为何ITO不能在氮化镓晶体管中形成良好的欧姆接触。模拟结果表明，ITO和在AlGaN和GaN界面的二维电子气之间存在着一个高能势垒（见图3（a））。这个势垒阻碍电子在氧化铟锡和氮化镓三角阱
2020-11-27 16:30:52
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59
包含关键的驱动、逻辑、保护和电源功能，消除了传统半桥解决方案中相关的能量损失、成本过高和设计复杂的问题。
纳微推出的世界上首款氮化镓功率芯片同时能提供高频率和高效率，实现了电力电子领域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化镓相比传统的硅，可以在更小的器件空间内处理更大的电场，同时提供更快的开关速度。此外，氮化镓比硅基半导体器件，可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证，特推出“氮化镓系列”，告诉大家什么是氮化镓（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
电器，使用传统的功率开关无法改变充电器的现状。[color=rgb(51, 51, 51) !important]而GaN技术可以做到，因为它是目前全球最快的功率开关器件，并且可以在高速开关的情况下仍保持高效率
2019-07-08 04:20:32
应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
明佳达电子优势供应氮化镓功率芯片NV6127+晶体管AON6268丝印6268，只做原装，价格优势，实单欢迎洽谈。产品信息型号1：NV6127丝印：NV6127属性：氮化镓功率芯片封装：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
氮化镓（GaN）- 宽带隙（WBG）材料• GaN HEMT-高电子迁移率晶体管，代表着电力电子技术的重大进步• 用于更高的工作频率• 提高效率• 与硅基晶体管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
只能通过精心开发的与GaN配合使用的栅极驱动器来满足。 氮化镓栅极驱动的陷阱 GaN晶体管在功率应用中具有很大的潜力：更高的功率效率，更高的功率密度，潜在的散热器/无风扇设计，。。.然而，从GaN
2023-02-24 15:09:34
我经常感到奇怪，我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度；毕竟，大潮之下，没人能独善其身。每年，我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力，我们就能
2022-11-16 06:43:23
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品？
2021-06-15 06:30:55
第 1 步 – 栅极驱动选择 驱动GaN增强模式高电子迁移率晶体管（E-HEMT）的栅极与驱动硅（Si）MOSFET的栅极有相似之处，但有一些有益的差异。 驱动氮化镓E-HEMT不会消除任何
2023-02-21 16:30:09
。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。通过导通电阻选择器件内部氮化镓场效应晶体管（FET）的额定值为RDS(on) - 漏极-源极或导通电阻…
2022-11-10 06:36:09
功率/高频射频晶体管和发光二极管。2010年，第一款增强型氮化镓晶体管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后随即推出氮化镓功率集成电路- 将GaN FET、氮化镓基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47
(MicrosemiCorporation)扩展其基于碳化硅衬底氮化镓(GaNonSiC)技术的射频(RF)晶体管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄准大功率空中交通控制机场监视雷达(ASR
2012-12-06 17:09:16
针对可靠的高功率和高频率电子设备，制造商正在研究氮化镓(GaN)来制造具有高开关频率的场效应晶体管(FET)由于硅正在接近其理论极限，制造商现在正在研究使用宽带隙(WBG)材料来制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
，在这种情况下采用基于氮化镓（GaN）晶体管的解决方案意义重大。与传统硅器件相类似，GaN晶体管单位裸片面积同样受实际生产工艺限制，单个器件的电流处理能力存在上限。为了增大输出功率，并联配置晶体管已成为
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
处理，谢谢。GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）已经成为5G宏基站功率放大器的主流候选技术。GaN HEMT凭借其固有的高击穿电压、高功率密度、大带宽和高效率，已成为基站PA的有力候选技术。GaN是极
2019-04-13 22:28:48
请问一下GaN器件和AMO技术能实现高效率和宽带宽吗？
2021-04-19 09:22:09
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
的晶体管”。 伊斯曼和米什拉是对的。氮化镓的宽带隙（使束缚电子自由断裂并有助于传导的能量）和其他性质让我们能够利用这种材料承受高电场的能力，制造性能空前的器件。 如今，氮化镓是固态射频功率应用领域
2023-02-27 15:46:36
解决方案。GaN HEMT 提供高效率；高增益和宽带宽能力；使 CGH40006 成为线性和压缩放大器电路的理想选择。该晶体管采用焊接药丸封装和 3-mm x 3-m
2022-05-18 11:55:04
Wolfspeed 的 CGH40120 是无与伦比的；氮化镓（GaN）；高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGH40120；从 28 伏电压轨运行；提供通用的；适用于各种射频和微波应用的宽带
2022-06-13 10:19:53
Wolfspeed 的 CGHV40050 是无与伦比的；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGHV40050；从 50 伏电压轨运行；提供通用的；适用于各种射频和微波应用的宽带
2022-06-23 09:19:21
Wolfspeed 的 CGHV40100 是无与伦比的；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGHV40100；从 50 伏电压轨运行；提供通用的；适用于各种射频和微波应用的宽带
2022-06-23 14:28:12
Wolfspeed 的 CGHV40200PP 是无与伦比的；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CGHV40200PP；从 50 伏电压轨运行；提供通用的；适用于各种射频和微波
2022-06-24 09:54:07
应用的宽带解决方案。GaN HEMT 提供高效率；高增益和宽带宽能力使 CGHV59070 成为线性和压缩放大器电路的理想选择。该晶体管采用法兰和药丸封装。氮化镓 (Ga
2022-06-27 14:11:15
日前，射频功率技术领先供应商飞思卡尔宣布为其Airfast RF功率解决方案推出最新成员：包括三个LDMOS功率晶体管与一个氮化镓（GaN）晶体管，所有产品均超越地面移动市场要求。
2013-06-09 10:18:37
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