CMOS振荡器设计

　1 引言

　　　集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。 一个典型的数字锁相环结构如图1 所示，数控振荡器DCO（Digital-Controlled Oscillator）是其中最关键和核心的部分。数控振荡器DCO 输出了可变频率的振荡波形，决定了整个锁相环的噪声性能和功耗。数字时间转换器从原理上可分为协议转换器、接口转换器两大类。从应用上又可以分光纤转换器、光电转换器、视频转换器等等。例如视频转换器就是一种连接电脑和电视的设备，它可以把电脑上的内容转换并显示在电视机上，让人们可以在电视上学电脑，上网，玩游戏，做商业演示，看股票等等。

图1 数字锁相环的基本结构

　　2 电路结构和原理

　　数控振荡器有多种实现结构，本文设计了一种完全采用静态CMOS 逻辑电路的DCO结构，该DCO基于由CMOS 反相器构成的环形振荡器，其电路结构如图2 所示。

图2 电路结构图

　　如图2 所示，每一级环形振荡器均是5 个CMOS反相器串联，并构成闭环负反馈回路，每个反相器的输出也与下一级环形振荡器对应的反相器输出相连。根据巴克豪森准则：振荡器要产生振荡，那么环路增益必须大于等于一且总相移有360°。因此环路中进行反相的次数必须是奇数，三个以上的奇数个CMOS 反相器串联闭环回路，在一个微小的激励下都能够产生振荡。单级环形振荡器的振荡频率由反相器个数和其本征延迟决定，用n 表示反相器个数，tr 表示反相器上升沿延迟，tf 表示反相器下降沿延迟，频率可以用下式表示为：

　　反相器下降延迟t f 和上升延迟t r 根据下列公式定义，式中Rn、Rp 分别为图2（b）中反相器PMOS管M0、M1 和NMOS 管M2、M3 的等效电阻，Cout 为反相器输出电容。

　　设置电路中所有MOSFET的沟道长度都为90nm工艺设计规范的默认值0.1 μ m。因为在常温下N 沟道中的电子迁移率大约是P 沟道中的空穴迁移率的2~3 倍，因此设置PMOS 管的宽度Wp 是NMOS 管宽度Wn 的2 倍，使反相器中NMOS 管和PMOS 管的等效电阻近似相等，即Rn=Rp，也就使tr=tf。

　　下降延迟t r 和上升延迟t f 相等可以让环形振荡器产生对称性比较好的波形，提高振荡器的抗噪声性能。

　　每一级的5 个CMOS 反相器由一个高电平有效的输入信号控制，同时打开或者关闭，让DCO 中的环形振荡器逐级打开或者逐级关闭。当打开的环形振荡器级数越多，电路中的振荡电流越强，电路输出的振荡频率就越快。反之，当打开的环形振荡器级数越少，电路中的振荡电流减弱，但因为整个DCO中的环形振荡器总级数是一定的，因此整个DCO 中的等效电容并没有减少，所以输出的振荡频率就会下降。因此，该数控振荡器是通过控制打开的环形振荡器级数，数字化地控制振荡频率，在DPLL中需要一个前置的数字环形滤波器提供输入信号，控制各级振荡器的打开或关闭。

　　当所有环形振荡器都打开时，无论该DCO 中总共有多少级环形振荡器，DCO 输出的振荡波形的最大频率fmax 都为式（1）表示的单个环形振荡器振荡频率。输出的最小频率fmin 也就是当只有一级环形振荡器打开时的DCO 输出频率。由此分析，DCO 的增益可以如下式表示，式中N 为电路中总的环形振荡器级数：

　　由上述分析可见，当该DCO 中具有的总的环形振荡器级数越多，可以输出的fmin 越小，KDCO 也越小，也就是每一级环形振荡器开关，它是最常见的电子元件，功能就是电路的接通和断开。接通则电流可以通过，反之电流无法通过。在各种电子设备、家用电器中都可以见到开关。

所控制的频率增减也越小，振荡器线性度也就越好。