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电子发烧友网>测量仪表>基于氧化镓材料性能调控及高性能日盲紫外光电探测器的研究

基于氧化镓材料性能调控及高性能日盲紫外光电探测器的研究

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光电探测器是一种将光信号转化为电信号的传感器件。高性能光电探测器,尤其是红外光电探测器,在光通信、热成像、医疗、军事和环境监控等领域有着重要的应用。根据探测波长的分类,红外光电探测器可以分为近红外
2022-11-14 14:33:512626

PbSe量子点被用于制备高性能光电探测器

光电探测器在图像传感、环境监测、通信等领域引起广泛关注。近年来,量子点作为一种光电性能优异的半导体纳米材料,被广泛应用于光电探测器。PbSe量子点具有优异的吸光性能,被用于制备高性能光电探测器
2022-11-21 10:10:352222

北邮在氧化镓基日盲雪崩探测器研究领域取得新突破

研究组在前期Ga₂O₃/ITO n-n型雪崩探测器件成果的基础上(ACS Nano,2021,15:16654),经过不断探索,通过插入合适的宽带隙材料(MgO)对势垒高度进行了调整,成功研发了由β-Ga₂O₃/MgO/Nb:SrTiO₃异质结组成的n-Barrier-n单极势垒型雪崩光电探测器
2023-02-06 15:35:28418

氧化镓基日盲雪崩探测器研究领域取得新突破!

研究组在前期Ga₂O₃/ITO n-n型雪崩探测器件成果的基础上(ACS Nano,2021,15:16654),经过不断探索,通过插入合适的宽带隙材料(MgO)对势垒高度进行了调整,成功研发了由β-Ga₂O₃/MgO/Nb:SrTiO₃异质结组成的n-Barrier-n单极势垒型雪崩光电探测器
2023-02-10 11:45:04677

高灵敏、自供电氧化镓日盲紫外光电探测器研究取得进展

氧化镓(Ga2O3)是一种新兴宽禁带半导体(禁带宽度为4.9 eV),具有热稳定性好、禁带宽度大、紫外吸收系数大、材料易加工等优点,是日盲紫外探测理想的半导体材料。基于Ga2O3的日盲紫外光电探测器已有很多的报道。
2023-03-28 11:48:012798

混合硅基光电探测器的各项性能研究

在本例中,我们将研究混合硅基光电探测器的各项性能。单行载流子(uni-traveling carrier,UTC)光电探测器(PD)由InP/InGaAs制成
2023-04-23 09:31:10897

基于碳化硅的PIN紫外光电探测器仿真介绍

随着碳化硅等第三代半导体材料的制备和研究工作取得巨大的进展,对基于碳化硅材料紫外探测器件的研究得到了业界更多的关注。
2023-04-24 16:54:091600

有机光电倍增探测器的原理

与有机太阳能电池类似,有机光电倍增探测器的结构主要包含单质结及体异质结两种类型。最早提出的有机光电倍增探测器包含了阳极、活性层及阴极三个部分,夹在两电极之间的活性层由单一的N型或P型有机化合物构成,这种类型的器件被称为单质结器件。另外一种器件的活性层为给/受体(D/A)混合材料,被称为体异质结器件。
2023-04-25 07:22:13463

高性能探测器(APDs)

Photonis高性能探测器(APDs)满足从质谱仪到UV和X射线天文学的多种应用,高性能探测器用于一些世界上较快的飞行时间探测,物理研究和太空任务中,它们具有高灵敏度可以探测非常低水平的光子,电子
2023-05-08 07:15:09323

InGaAs/InP光电探测器

要摘InGaAs光电探测器被广泛地应用于光纤通讯领域,由于其特有的优点,国外已应用于空间遥感领域.本文简要介绍了InGaAs/InP的物理特性、PIN光电探测器结构和主要性能指标,讨论了研制InGaAs/InP空间遥感用光电探测器的意义.
2023-06-19 16:42:212

厦门大学张洪良团队在氧化镓半导体带隙工程和日盲紫外光电探测器研究取得进展

另一方面,作者也通过高分辨X射线光电子能谱与密度泛函理论(DFT)计算对(AlxGa1-x)2O3的电子结构进行了深入的研究,并从电子结构和能带的角度分析了光电探测器中器件优异性能的来源
2023-07-04 16:48:56637

基于ε-Ga2O3的日盲紫外探测器研究

一种能够在日光下工作而不受可见光干扰的紫外光探测器。日盲紫外探测器对可见光具有很低的响应,在环境监测、太阳辐射测量、航天科学、太阳能电池优化和军事应用等领域都有重要的应用。由于紫外光在很多领域中具有重要的研究和应用价值,日盲紫外探测器的发展对于提高测量的精确性和可靠性具有重要意义。
2023-08-04 11:21:08762

华林科纳用于硅探测器设计的紫外线抗反射涂层

我们华林科纳报道了用于电荷耦合器件(CCD)探测器的涂层的开发,该探测器优化用于固定色散紫外光谱仪。由于硅的折射率快速变化,单层宽带抗反射(AR)涂层不适合在所有感兴趣的波长下提高量子效率。相反
2023-08-11 17:13:56227

低维宽禁带半导体紫外光探测器

semiconductors for UV photodetectors”的综述论文。光电研究院青年教师李自清和材料科学系博士研究生严婷婷是论文共同第一作者,光电研究院、材料科学系方晓生教授是通讯作者。
2023-09-07 09:31:30440

光电探测器工作原理和应用领域

其转换为电信号,以实现数据传输和控制。光电探测器的快速响应和低噪声性能使其成为高速光纤通信系统的理想选择。2.工业自动化与生产在工业自动化和生产领域中,光电探测器
2023-09-09 08:30:262076

硅基MCT红外探测器的钝化初步研究

碲镉汞(MCT)材料的表面钝化是红外探测器制备中的关键工艺之一。高性能MCT器件需要稳定且可重复生产的钝化表面和符合器件性能要求的界面。因此,探究MCT表面钝化技术具有重要意义。国际上,MCT钝化
2023-09-12 09:15:46358

宽禁带半导体紫外光电探测器设计研究

宽禁带半导体光电探测技术在科学、工业和医疗领域中发挥着重要作用,提供了高效的光电转换和探测功能,推动了许多现代科技应用的发展。
2023-09-20 17:52:09748

基于铜卤化物单晶薄膜生长的深紫外光电探测器设计

紫外光电探测器在导弹预警、臭氧层监测、火焰探测等军事和民用领域均有着广泛的应用。
2023-10-09 18:16:12386

氧化钒非制冷红外探测器敏感材料详解

红外探测器是红外热成像技术的核心元器件,它能够感知红外辐射并且将红外辐射转化成电信号输出,目前世界上主流的红外探测器的敏感材料主要是氧化钒和非晶硅两种,本文详细介绍红外热成像氧化钒敏感材料氧化
2023-11-03 16:54:37280

铌酸锂与二硫化钼的异质集成宽带、偏振敏感和自驱动高性能光电探测

高性能光电探测器在各种领域中具有巨大的应用潜力,例如光通信、光学成像、医疗诊断和环境监测。近年来,二维材料特别是层状过渡金属硫族化合物(TMDCs)因其优异的光电性能在集成光电探测器领域受到广泛关注。其中MoS2具有较弱的暗电流、高稳定性、可调节的带隙、高载流子迁移率和在可见光波段具有强的光吸收的特点
2023-11-12 09:21:57307

基于CVD生长的HfS₂/MoS₂异质结高性能光电探测器

这项研究首次提出了一种由层间激子驱动的高性能红外光电探测器,该红外探测器由化学气相沉积(CVD)生长的范德华异质结所制备。这项研究标志着光电器件领域进步的一个重要里程碑。
2023-11-13 12:42:51163

基于范德瓦尔斯材料的红外光电探测器光电响应机制、性能优化方法研究

近年来,基于二维范德瓦尔斯材料的本征吸收、能带调制、结构设计以及新原理的红外光电探测器展现了巨大的潜力,并取得了突出的研究成果。对该领域的研究进展进行系统总结和分析,有助于进一步促进范德瓦尔斯材料
2023-12-03 14:35:37294

基于交变栅压调制的Ga2O3光电探测器

近日,中国科学技术大学龙世兵课题组提出了一种Ga2O3光电探测器的交变栅压调制方案,为光电探测器研究提供了新的思路。
2023-12-05 11:33:31107

一种用于调控Ga2O3薄膜的表面电子结构的的热重组工程

氧化镓(Ga2O3)因其超宽的带隙和高临界击穿电场,可满足当前器件大功率和微型化的发展需求,已成为新一代电力电子和光电器件的热门材料。目前日盲紫外光电探测是Ga2O3的一个重要应用,而提高其光电探测
2024-01-19 15:35:20220

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