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电子发烧友网>光电显示>基于交变栅压调制的Ga2O3光电探测器

基于交变栅压调制的Ga2O3光电探测器

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2023-04-25 07:22:13463

InGaAs/InP光电探测器

要摘InGaAs光电探测器被广泛地应用于光纤通讯领域,由于其特有的优点,国外已应用于空间遥感领域.本文简要介绍了InGaAs/InP的物理特性、PIN光电探测器结构和主要性能指标,讨论了研制InGaAs/InP空间遥感用光电探测器的意义.
2023-06-19 16:42:212

氧化镓(Ga2O3)沟槽二极管的相关研究进展

Ga2O3技术成熟的一个主要障碍是器件过热。对于Ga2O3沟槽器件,尽管与[010]沟槽侧壁相比,[100]沟槽侧壁的热导率(kT[010])更高,但具有[100]沟槽的Ga2O3沟槽器件很少被采用。
2023-06-21 11:40:58573

基于ε-Ga2O3的日盲紫外探测器件研究

一种能够在日光下工作而不受可见光干扰的紫外光探测器。日盲紫外探测器对可见光具有很低的响应,在环境监测、太阳辐射测量、航天科学、太阳能电池优化和军事应用等领域都有重要的应用。由于紫外光在很多领域中具有重要的研究和应用价值,日盲紫外探测器的发展对于提高测量的精确性和可靠性具有重要意义。
2023-08-04 11:21:08762

光电探测器工作原理和应用领域

光电探测器是一种用于检测光线的传感器,其应用范围非常广泛。下面将介绍一些主要的使用范围:1.通信与网络光电探测器在通信和网络领域中扮演着重要角色。在光纤通信系统中,光电探测器用于检测传输的光信号并将
2023-09-09 08:30:262077

光电探测器的主要噪声源及其成因

光电探测器的主要噪声源及其成因 光电探测器是一种基于光电转换原理实现信息传输和处理的电子元器件。它的核心部件是光电传感器,可以将接收到的光信号转换为电信号,从而实现信号的放大、滤波、调制、解调、数字
2023-09-19 16:44:541815

Ni掺杂β-Ga2O3单晶的光、电特性研究

作为超宽禁带半导体材料之一,Ga2O3禁带宽度高达4.8 eV,理论击穿场强为8 MV/cm,是继GaN和SiC之后的下一代超宽禁带半导体材料
2023-10-11 16:06:30526

一种用于调控Ga2O3薄膜的表面电子结构的的热重组工程

氧化镓(Ga2O3)因其超宽的带隙和高临界击穿电场,可满足当前器件大功率和微型化的发展需求,已成为新一代电力电子和光电器件的热门材料。目前日盲紫外光电探测Ga2O3的一个重要应用,而提高其光电探测
2024-01-19 15:35:20220

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