安森美半导体推出世界级的高密度电源适配器方案 最小的65W USB

2018年3月7日 – 推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON) 推出全新世界级的高密度电源适配器方案，用于需要兼容USB供电（USB PD）或高通Quick Charge™规格的笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备。这一包含多项正待批专利的方案，包括有源钳位反激（ACF）控制器NCP1568和一个相应的高速半桥驱动器NCP51530。该方案是一个65 W 符合USB-PD的适配器，具有30 W/in^3的功率密度，以94.5%的峰值能效工作。

NCP1568是一款高度集成的AC-DC脉宽调制（PWM）控制器，采用ACF拓扑结构，包含零电压开关（ZVS），用于要求高功率密度和高能效的高频应用（高达1 MHz）。此外，NCP1568控制器可以应用经验证的超结（SJ）FET或高性能氮化镓（GaN）FET的ACF拓扑结构。

通过包含高压启动，一个基于NCP1568的方案只需少量外部元件，降低待机能耗。此外，工作的高频率使无源元件尺寸得以缩减，大幅提高功率密度。它能够无缝过渡到非连续导电模式（DCM），进一步提高轻载条件下的能效，使待机功率水平低于30毫瓦（mW）。这也使电源设计人员能通过全球能效监管标准。自适应ZVS频率调制提供可变输出电压，优化USB-PD和快速充电的实施。

NCP1568采用小型TSSOP-16封装，具有多重保护功能。静音跳跃功能消除工作时的可闻噪声，这是室内电源适配器应用的一个基本需求。

NCP51530A/B是700伏（V）高频率、高端与低端驱动器，可直接驱动高性能电源应用中的两个N沟道功率MOSFET。其特点是快速的动态响应，30纳秒（ns）的传播延迟对于高频工作是理想的，而5 ns的传播延迟匹配确保领先市场的能效性能。

这器件提供非常强固的方案，具有高dv/dt免疫性（高达50 V/ns）和负瞬态免疫性。它采用SOIC-8或DFN-10封装，后者提供了改进的爬电距离和一个裸露焊盘。另有一个采用SO-8封装、通过AEC-Q100认证的版本，适用于高要求的汽车应用。

安森美半导体AC-DC业务部市场与应用总监Ryan Zahn表示：“这方案代表现代电源适配器和电池充电器设计的重大进步。NCP1568 ACF控制器具备先进的功能和灵活的操作，提供卓越的能效；同时使用了SJ FET，且只需少量外部元件，实现USB PD的高密度设计。 NCP51530驱动器是一款高速、高性能、强固的电源方案，亦包括针对汽车应用的AEC Q-100认证选择。”

安森美半导体现提供NCP1568和NCP51530样品，并将于2018年第二季度全面量产。