电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>电源/新能源>电源设计应用>实验:PN结电容与电压的关系

实验:PN结电容与电压的关系

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

电容的伏安关系及实际电路模型

通过变换得到电流,电压电容之间的数学关系
2023-02-17 18:03:055450

二极管势垒电容和扩散电容讲解

二极管结电容分为两种:势垒电容和扩散电容。二极管的结电容等于两者之和,在PN结反偏的情况下,势垒电容主导作用。在PN结正偏的情况下,扩散电容主导作用。节电容并不是两个管脚引起杂散电容,是由于PN节的特性产生的。
2023-06-27 16:34:294932

说说IGBT中PN结的导通状态

下面简要推导PN结导通状态下的电荷浓度分布以及电流、电压关系
2023-11-28 16:32:04479

MOS结电容(上)MOS里的寄生电容到底是什么?

EE工程师都会面临MOSFET的选型问题,无论是功率级别应用的Power MOS还是信号级别的Signal MOSFET,他们的Datasheet中,一定会给出MOSFET的三个结电容随Vds电压变化的曲线。
2023-12-05 17:32:552319

0402贴片电容不同容值相对应的电压关系

` 0402作为小体积贴片式陶瓷电容,主要针对的应用领域是通讯设备类,0402的常用容值范围:1PF-10UF,那么,0402贴片电容不同容值相对应的电压关系是什么呢? 04021PF—10NF电压
2017-07-07 08:55:53

100V17A低结电容低开启低内阻MOS管加湿器雾化器方案

【100V17A低结电容低开启低内阻MOS管加湿器雾化器方案】【惠海MOS管】高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、温升低、转换效率高、过电流达、抗冲击能力强、SGT工艺,开关损耗
2020-10-13 11:14:00

100V35Amos管 35N10 高频大电流 低开启电压 结电容小 TO-252封装

型号:HC021N10L参数:100V 35A 类型:N沟道场效应管内阻20mR低结电容1880pF 封装:贴片(TO-252)低开启电压1.8V低结电容,低内阻,低开启电压,温升低,转换效率高
2021-01-12 16:08:55

100Vmos管 打火机专用mos管 HC030N10L 低开启电压1.5V 结电容2000PF

) HC030N10L是一款采用SGT工艺MOS管,低开启电压1.5V,低内阻,低结电容,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强 HC030N10L可以应用于LED驱动电源,电弧打火机
2020-12-12 11:41:22

100V耐压MOS低开启电压1.5V电弧打火机100V39A 低结电容MOS管

:贴片(TO-252),低开启电压1.5V,低内阻,低结电容,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强HC018N10L是一款专门为应用于电弧打火机市场设计开发的一款结MOS管,低开启电压
2020-10-15 11:51:46

60V50A低内阻低结电容N沟道MOS管HG012N06L

HG012N06LMOS管参数:60V50A(50N06)内阻:13mR(VGS=10V)结电容:550pF 类型:SGT工艺NMOS开启电压:1.8V封装:TO-252惠海半导体HG012N06L特点:高频率
2020-09-24 16:34:09

PN 结电容电压有何关系?通过实验告诉你

的电场和掺杂浓度呈函数关系PN 结电容分为势垒电容和扩散电容两部分。在反向偏置条件下,不会发生自由载流子注入;因此,扩散电容等于零。对于反向和小于二极管开启电压(硅芯片为 0.6V)的正偏置电压,势垒
2020-01-02 08:00:00

PN结电容电压之间的关系是什么?

PN结电容电压之间的关系是什么?
2021-06-17 06:30:56

PN结电容电压有何关系

PN 结电容电压有何关系?通过实验告诉你
2021-03-16 11:11:50

PN结电容相关资料下载

PN结电容分为两部分,势垒电容和扩散电容PN结交界处存在势垒区。结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变,从而显现电容效应。 当所加的正向电压升高时,多子(N区的电子、P区的空穴
2021-06-01 07:55:49

PN结的电容特性

;推导过程参见《晶体管原理》。当外加反向电压时  I = Is , CD趋于零。3、 PN结电容PN结的总电容Cj为CT和CD两者之和Cj = CT+CD ,外加正向电 压CD很大
2008-09-10 09:26:16

PN结的原理/特征/伏安特性/电容特性

>vt时,;  当vd<0,且时,id≈–is≈0。  由此可看出pn结的单向导电性  5、 PN结的电容特性是什么?  两个相互靠近的导体,中间夹一层不导电的绝缘介质,这就构成了电容器。当加反电压
2021-01-15 16:24:54

pn结是如何形成的?

制作稳压二极管和雪崩二极管;利用高掺杂pn结隧道效应制作隧道二极管;利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与pn结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入
2016-11-29 14:52:38

电容与电池容量的关系是什么

电容单位如何进行换算?电容与电池容量的关系是什么
2021-03-11 06:11:00

电容和负载电流关系

有一个12V/20A的直流电机,电源端需要一个大电容储能滤波,这个大电容选型和负载的电流关系很大吗,如果关系大,应该怎么选型
2020-03-07 20:35:02

结电容对微波pin二极管温度性能分析

与二极管的击穿电压、器件结构以及钝化材料没有太大的关系,击穿电压高二极管的寿命因子不一定大或小,而结电容相近的二极管,即便钝化方式不同,但却有着相近的m值。也就是说,结电容的大小对m值的影响最大
2011-07-17 19:25:41

HC160N10LS小结电容香薰机100V/5ANMOS

HC160N10LS内阻为130mR,结电容为400PF,开启电压1.6V,内阻低的同时结电容也低,使得温升低,电流能够做得大 HC160N10LS效率高,损耗低,低内阻,小结电容,低开启电压
2020-04-24 17:52:14

LED汽车灯电源驱动用MOS管50N06 低结电容 HC037N06L 散热能力好

`型号:HC037N06L【30N06】参数:60V 30A 类型:N沟道场效应管内阻28mR低结电容650pF 封装:贴片(TO-252)低开启电压1.8V低结电容,低内阻,低开启电压,温升低
2021-03-10 15:21:05

MLCC电容电容量与直流偏执电压关系

Ⅰ类电容:NP0,;此类电容的容量与加载的电压几乎没有关系,可以忽略不计。Ⅱ类电容:X5R,X7R,z5u,y5v等;此类与其加载的电压关系较大,尤其Y5V,比如在100uF,在其额定电压下,容量才
2017-09-26 11:22:08

pin二极管电阻的温度性能主要依赖于二极管结电容的大小

、迁移率与温度的关系以及电阻与温度的关系,研究表明:pin二极管电阻的温度性能主要依赖于二极管结电容的大小。
2019-06-25 06:06:38

pin结与pn结的特性比较

型层的厚度),这时势垒区与空间电荷区并不完全一致(势垒厚度远大于空间电荷区)。(3)势垒电容pn结的势垒电容也就是空间电荷区的电容,而空间电荷区的厚度与外加电压有关,则势垒电容是一种非线性电容;并且
2013-05-20 10:00:38

二极管是绝对的单向导电吗?

是来自于非平衡少数载流子(简称非平衡少子)在pn结两边的中性区内的电荷存储所造成的电容效应;简单来说就是因为PN结加正向电压的时候由于P\N区的电荷浓度差的变化就会有电荷的积累和释放,这个积累和释放
2021-01-11 15:44:12

二极管的导通电压/结电容解析

将二极管应用在高速信号上时,尽量选择结电容小的型号。  如果二极管型号已经确定无法修改,而又要降低结电容时该怎么办呢?    从上表看到,二极管结电容和其承受的反向电压呈反比,反向电压越大,结电容越小
2020-12-11 16:44:59

交流电源输出直流电压的纹波和滤波电容、负载大小的关系

1、本文梗概低压交流电源到直流电压的变换主要是通过整流桥和滤波电容处理的,本文主要分析输出直流电压的纹波和滤波电容、负载大小的关系。2、电路图及其输出波形待分析的电路如图 1所示,R1相当于负载。图
2019-12-25 17:47:57

交流纯电容电路中电容的容抗、容量和频率以及电压与电流的关系如何

交流纯电容电路中电容的容抗、容量和频率以及电压与电流的关系如何
2021-10-13 07:07:53

什么是二极管结电容和反向恢复时间

是扩散电容PN结反偏的时候,结电容主要是势垒电容。我们再回到最初的疑问:反向恢复时间和结电容(扩散电容)什么关系?反向恢复时间由PN结构成的二极管都会有一个Trr的参数,这个参数就是二极管的反向恢复
2021-10-18 10:28:06

光电二极管结电容测量偏差很大

去搭,看看测量结果。3. 我有一台安捷伦的阻抗分析仪,不知道这个仪器能不能发挥作用呢?它能测光电管在特定偏置电压下的结电容吗?具体操作中该怎么接?非常感谢您的解答,谢谢!
2019-02-21 09:42:49

关于电容和频率的关系

关于电容和频率的关系,在放大电路中常用到耦合电容和滤波电容 旁路电容等等,想知道电容容量、电容类型和频率的关系。比如容量在什么范围通过怎样的信号频率?就是容量对应频率的关系。比如1P-100P通过
2018-12-10 13:50:11

分享肖特基二极管与电路的特性关系

流的关系  在肖特基二极管两端加正向偏置电压时,其内部电场区域变窄,可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某-数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,肖特基
2018-10-18 18:19:30

加湿器MOS管SOT23-3小结电容100V5A性价比高

加湿器MOS管SOT23-3小结电容100V5A性价比高内阻130mR,节电容400PF,开启电压1.6V,内阻低的同时节电容也低,使得温升更低,电流做得大效率高,损耗低,低内阻,小节电容,低开启
2020-05-14 17:24:10

加湿器专用100V耐压MOS管低结电容低开启电压

HC160N10LS 低结电容 MOS:100V,N沟道,大电流,小封装MOS,实际电压可以达到100V,可以满足LED电源,充电器,小家电等需要低压,大电流,小封装的要求。 HC160N10LS
2020-10-10 14:10:51

如果MOS管的GS端的结电容充电后没有电阻放电,那MOS管会一直开通吗?

这个我不设计一个放电电阻,这个gs端的结电容是不是一直会存在这个开通电压值?那么这个MOS管是不是会保持一段长时间的开通?
2019-08-22 00:32:40

惠海半导体60V50A低结电容SGT工艺NMOS管HG012N06L

管(MOSFET)MOS管型号:惠海半导体HG012N06LMOS管参数:60V50A(50N06)内阻:11mR(VGS=10V)结电容:550pF 类型:SGT工艺NMOS开启电压:1.8V封装
2020-08-29 14:51:46

求解继电器并联的续流二极管断开后尖峰电压

通过multisum 仿真发现断开开关,开关上的电压峰值和二极管的结电容关系,具体是如何计算电压峰值?
2018-12-25 07:29:02

实验证明,二极管PN结中的玻尔兹曼常数

constant」[4] 文献中描述,测量A,B两点的电压,便可以建立起的发射结对应的电压与电流之间的关系。▲ 基于2N3904的PN结测量Boltzmann常数后级的 「LF351」[5] 组成
2020-07-13 07:50:36

电解液电容器老化电压与电解液火花电压关系

有关铝电解电容器的老化电压与电解液的关系,1、高压规格电容器老化电压可以高出电解液火花电压吗?可以高出多少?2、电解液的火花电压电容器内密闭状态下,电解液火花电压会发生变化吗?
2013-12-30 16:23:37

触摸屏按键防静电保护低结电容TVS二极管

触摸屏按键防静电保护低结电容TVS二极管G2553做触摸按键,加TVS管防静电的问题如下图所示,在用G2553做触摸按键的时候,在引脚(pinosc)与地(GND)之间接一个双向TVS管(5V
2020-01-07 14:13:03

请问二极管的最高工作频率由什么因素决定?

如题,本人在学习华成英老师的模电时候,看到ppt上的一句话不太理解,为什么点接触型PN结可以从结电容小,允许的电流小,就会导致最高工作频率高? 电容电流跟最高工作频率有什么关系呢?请各位同行和前辈们指点一下呗。
2020-04-12 17:33:56

请问我能拿PN结电容效应在电路中用作电容使用吗?

比如有时设计电路时,需要用个电容,但是我们知道这个PN结有一个结电容效应,那么我们能不能拿PN结来当电容在电路中使用?
2019-07-26 04:36:03

PN结的形成及特性ppt

PN结的形成及特性一、 PN结的形成 二、 PN结的单向导电性 三、 PN结的电流方程 四、 PN结的伏安特性 五、 PN结的电容效应
2008-07-14 14:09:290

PN结电容 MOS变容管 cadence参数变量仿真

MOSFET元器件电容PNpn结原理模拟与射频
勇敢虎虎不怕困难发布于 2022-05-31 10:53:07

PN结物理特性的测量

图一 PN结物理特性的测量实验装置全图 伏安特性是PN结的基本特性,测量PN结的扩散电流与PN电压之间的关系,可以验证它们遵守波尔兹曼分布,并进而求出波尔兹曼常数
2010-07-17 08:49:4731

pn结静电特性

1.正偏p-n结的能带(P+,N-)2.正偏时载流子的运动和电流成分 3.正偏下的电流密度 4.反偏时的p-n结(P-,N+) 6. 理想pn结模型四、pn结电容低频,pn结有整流作用;高
2010-07-17 08:58:1013

PN结物理特性的测量

伏安特性是PN 结的基本特性,测量PN 结的扩散电流与PN电压之间的关系,可以验证它们遵守波尔兹曼分布,并进而求出波尔兹曼常数的值.PN 结的扩散电流很小,为10-6~10-8
2010-07-17 10:00:5129

常用变容二极管的识别

    变容二极管是根据普通二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而
2006-04-16 23:43:04917

pn结的特性,PN结的击穿特性,PN结的电容特性

PN结的击穿特性: 当反向电压增大到一定值时,PN结的反向电流将随反向电压的增加而急剧增 加,这种现象称为PN
2008-09-10 09:26:0412986

电阻、电容电压和电流的测量

电阻、电容电压和电流的测量   一、实验目的  1、了解电源、测量仪表以及数字万用表的使用方法;  2、掌握测量电阻、电容电压和电流的方法;
2008-10-17 23:02:464070

温度传感器—PN结温敏二极管

实验 温度传感器—PN结温敏二极管实验原理:半导体PN 结具有良好的温度线性,根据PN 结特性表达公式I Is( RT 1)qv= l - 可知,当一个PN 结制成后,其反
2009-03-06 15:37:424142

变容二极管,变容二极管是什么意思

变容二极管,变容二极管是什么意思 又称"可变电抗二极管"。是一种利用PN结电容(势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制
2010-02-27 11:29:431583

变容二极管,变容二极管电路,变容二极管原理

变容二极管,变容二极管电路,变容二极管原理 变容二极管是根据普通二极管内部 "PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变
2010-03-05 10:01:382508

pn结电容及结击穿(1)#硬声创作季

PN半导体器件
学习电子发布于 2022-11-30 18:15:53

pn结电容及结击穿(2)#硬声创作季

PN半导体器件
学习电子发布于 2022-11-30 18:16:17

测量电容上电流和电压的相位差

本内容讲解了测量电容上电流和电压的相位差,具体包括实验目的,实验原理,实验步骤分析等
2011-11-10 16:56:24100

Littelfuse推出超低结电容SIDACtor保护晶闸管

全球电路保护领域的领先企业Littelfuse公司推出超低结电容保护晶闸管,SDP系列SIDACtor®保护晶闸管。采用SOT23-6封装,可为宽带/xDSL电信设备提供强大的过压保护,对连接速度和接通率的影响微乎其微。
2013-08-27 14:13:341089

PN结的形成、单向导电性和电容效应等知识的解析

本文介绍了PN结的形成及特性,相关内容包括载流子的漂移与扩散、PN结的形成、PN结的单向导电性、PN结的反向击穿和PN结的电容效应。 漂移运动:在电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动。 扩散运动:由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动。 PN结的形成:
2017-11-23 11:37:0814

PN结电容效应的解析

本文介绍了PN结电容效应。
2017-11-23 14:10:0218

什么是pn结的电容效应

PN结的电容效应限制了二极管三极管的最高工作效率,PN结的电容效应将导致反向时交流信号可以部分通过PN结,频率越高则通过越多。
2018-01-22 09:05:4644115

变容二极管有没有正负极_如何判断变容二极管正负极

变容二极管又称“可变电抗二极管”,是利用pN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大,变容二极管的电容量一般较小,其最大值为几十皮法到几百皮法,最大区容与最小电容之比约为5:1。
2018-01-25 16:15:1113098

变容二极管如何选型

变容二极管的作用是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件,在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。变容二极管属于反偏压二极管,改变其PN结上的反向偏压,即可改变PN结电容量。反向偏压越高,结电容则越少,反向偏压与结电容之间的关系是非线性的
2018-01-25 17:02:192911

变容二极管调频实验报告

变容二极管是利用pN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大,变容二极管的电容量一般较小,其最大值为几十皮法到几百皮法,最大区容与最小电容之比约为5:1。
2018-01-25 18:59:0430643

变容二极管基本特性与参数

变容二极管结电容的大小与反向电压的大小有关,反向电压越 高,结容量越小;反向电压越低,结容量越大。结电容和反向电压关系曲线如图8-2所示,它直观表示出变容二极管两端反向电压与结 容量的变化规律
2018-02-23 09:17:2116243

二极管的电容效应和等效电路与开关特性

势垒电容。势垒电容与普通电容不同之处,在于它的电容量并非常数,而是与外加电压有关。当外加反向电压增大时,势垒电容减小;反向电压减小时,势垒电容增大。目前广泛应用的变容二极管,就是利用PN结电容随外加电压变化的特性制成的。
2018-06-22 07:59:0026536

安规电容的容量大小和电压有没有关系

有客户咨询小编安规电容的容量大小和电压有没有关系,小编在这里做个详细的解答,有这方面疑问的客户,可以看看本文的内容哦,直接进入我们的主题吧! 一般电容内使用的极板间绝缘材料的介电常数是一个固定值
2018-08-03 11:39:3710646

安规电容的容量大小和电压有没有关系

有客户咨询小编安规电容的容量大小和电压有没有关系,小编在这里做个详细的解答,有这方面疑问的客户,可以看看本文的内容哦,直接进入我们的主题吧!一般电容内使用的极板间绝缘材料的介电常数是一个固定值,所以
2018-08-25 13:59:17607

pn结的基本特性是什么

本文主要详细阐述了pn结的基本特性是什么,其次介绍了PN结的击穿特性、PN结的单向导电性以及PN结的电容特性。
2018-09-06 18:09:11103777

ESD静电二极管结电容与极性的选型技巧

ESD静电二极管结电容与极性的选型技巧主要有以下两点
2022-07-04 14:40:462417

常用RS-485保护电路与低结电容保护电路

RS-485总线被广泛应用在工业环境,可能有高等静电或浪涌干扰,工程师通常会使用气体放电管和TVS管搭建防护电路,但该电路的结电容较高,应用不当将会影响通讯。本文将为大家介绍一种低结电容的外围电路。
2022-07-04 15:48:143671

如何获取压变电容(变容二极管)的电容曲线?

变容二极管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二极管",是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大。
2023-06-16 16:41:111003

结电容ESD防护器件,型号齐全

经常碰到客户询问这样的问题:“使用ESD静电保护二极管的时候,为什么要考虑它的结电容值大小?”ESD二极管生产时,其结电容根据工艺的不同,分为两种,一种是高结电容型TVS,电容值一般在几百皮法(pF
2022-04-07 16:44:49553

SR05-4二极管参数 5V电压 0.7pF低结电容

很多客户前来东沃电子DOWOSEMI询料,比较关注ESD静电保护器件的封装、工作电压、击穿电压、脉冲电流、结电容等参数。ESD二极管封装形式很多,SOT-23-6L封装是其中的一种。品牌
2021-11-17 16:45:36607

ESD防护器件,超低结电容,型号齐全

是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的单路或多路保护器件。ESD防护器件是用在通信接口上做静电保护,其结电容一般都比较低;TVS二极管是用在电源线上做防浪涌过电压保护,其结电容都很高。
2021-11-12 12:04:031173

什么是PN结的导通电压

什么是PN结的导通电压?  PN结是半导体器件中最常见的元器件之一,它将p型半导体和n型半导体的材料在一起,通过电场使它们连接在一起,并形成一个电子流的管道。在其中,导通电压PN结的一个重要参数
2023-09-13 15:09:292825

​电路设计中β、fβ和fT的三者关系

在三极管的通频带内,忽略耦合电容、旁路电容以及三极管的结电容、PCB走线的分布电容之后,我们可以有H参数小信号模型,如下图所示。此时的β更多是温度有关,不过多考虑与频率的关系(实际是有关系的)。
2023-10-10 10:33:172399

PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄?

PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄是因为:**PN结外加正向电压,此时外电场将多数载流子推向空间电荷区,使其变窄,削弱了内电场
2023-10-18 17:38:582419

pn结的电容效应 为什么在pn结间加入i层可以减小结电容

pn结的电容效应 为什么在pn结间加入i层可以减小结电容PN结是一种半导体器件,其中P型半导体和N型半导体间由弱耗尽区隔离。这种器件有许多应用,例如光电探测器、太阳能电池、场效应晶体管和整流器
2023-10-19 16:42:49507

为什么加正向电压PN结变薄,加反向会变厚呢?

N型区,从而使PN结导通。反之,如果将PN结的两端施加反向电压,则电子从P型区向N型区运动,空穴从N型区移动到P型区,从而使PN结截止。 PN结厚度与电场密度和外界垂直偏置电场强度之间的直接关系成正比例。在PN结正向偏置时,电子从N型半导体向P型
2023-10-19 16:42:521804

PN结加反向电压引起反向电流增大的主要原因是什么?

PN结加反向电压引起反向电流增大的主要原因是什么? PN结是一种极其重要的电子器件,其作用在于可以控制电流的流动方向及大小。在PN结中,当外加正向电压时,电子从N区向P区扩散,空穴从P区向N区扩散
2023-10-19 16:42:552177

PN结反向偏置时,随着反向电压的增加,势垒电容是增加还是减少?

PN结反向偏置时,随着反向电压的增加,势垒电容是增加还是减少? PN结是由N型半导体和P型半导体组成的。当PN结处于正向偏置时,电子从N型半导体流入P型半导体,而空穴从P型半导体流入N型半导体
2023-10-19 16:53:171635

点接触型二极管结电容小为什么适用高频电路?

点接触型二极管结电容小,为什么适用高频电路?面接触型二极管结电容大为什么适用低频? 二极管是一种半导体器件,具有单向导电性。它通常由p型和n型半导体材料组成。二极管的工作原理基于空间电荷区域的形成
2023-10-19 17:01:12538

结电容瞬态TVS二极管LCE系列 1500W DO-201

结电容瞬态TVS二极管LCE系列特性:Glasspassivatedchip1500Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform
2022-01-18 11:27:240

结电容瞬变抑制TVS二极管SAC系列规格书 DO-15

结电容瞬变抑制TVS二极管SAC系列特性:Glasspassivatedchip500Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform
2022-01-18 13:40:000

结电容瞬变抑制TVS二极管SACA系列 500W SMA

结电容瞬变抑制TVS二极管SACA系列特性:Glasspassivatedchip500Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform
2022-01-18 13:43:310

PN8200 国产X电容放电芯片-PN8200规格书

骊微电子供应PN8200国产X电容放电芯片提供PN8200SEC-R1规格参数是芯朋微代理商,更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2022-03-11 14:36:155

晶振的负载电容与外接电容的区别与关系

晶振的负载电容与外接电容的区别与关系
2023-12-05 16:18:302529

MOS结电容(下)MOS的结电容应用特性分解

我们需要先将结电容与关断波形联系起来。三个结电容的容值是Vds电压的函数,同时,电压Vds的变化(dv/dt)又与结电容相关。
2023-12-05 18:04:43877

电容电路中电压与电流的相位关系

电容电路中,电压和电流之间存在一定的相位关系。在电路中,电压和电流通常不会同步改变,会存在一定的偏移量,这就是相位差。相位差是指两个正弦波的相位差值,用于描述电流的滞后或超前于电压的情况。在纯电容
2024-02-25 16:15:25464

已全部加载完成