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电子发烧友网>电源/新能源>电源设计应用>英飞凌携高能效增强模式和共源共栅配置硅基板GaN平台组合亮相2015年APEC

英飞凌携高能效增强模式和共源共栅配置硅基板GaN平台组合亮相2015年APEC

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2021-01-08 10:41:54

氮化镓GaN接替支持高能高频电源设计方案

在所有电力电子应用中,功率密度是关键指标之一,这主要由更高能和更高开关频率驱动。随着基于的技术接近其发展极限,设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓(GaN)来提供方案。
2020-10-28 06:01:23

氮化镓能否实现高能、高频电源的设计?

GaN如何实现快速开关?氮化镓能否实现高能、高频电源的设计?
2021-06-17 10:56:45

球泡灯新版ERP指令测试要求,新版能标签EU2019/2015怎么做

控制装置。  1新版能标签指令EU 2019/2015规定了光源以及用在组合产品内光源的能标签要求。  11新版ErP指令EU 2019/2020和能标签指令EU 2019/2015从2019
2021-03-30 14:19:02

球泡灯欧盟新版ERP能标签EU2019/2015怎么做,ERP能标签要求有哪些

适用于市场上销售的组合产品(例如:照明用灯具)中光源和分离式光源控制装置。  1新版能标签指令EU 2019/2015规定了光源以及用在组合产品内光源的能标签要求。  11新版ErP指令EU
2021-01-11 18:43:54

电流旁路对GaN晶体管并联配置的影响

的栅极驱动电路是并联配置的关键。由此开始,GaN晶体管并联配置晶体管相类似,但不完全相同。为保证并联晶体管均流,需要在设计阶段对PCB布线和器件选型进行优化。针对旁路电流对并联GaN晶体管的影响,在栅极和开尔文极路径中加入合适的模电感是必不可少的,这将有助于最大限度减小电压震荡。`
2021-01-19 16:48:15

电磁兼容基础: 模与差分噪声

模与差分噪声作为一个快速提醒,差动电流流向相反的方向通过和回路,而模电流流向相同的方向通过和回路,完成电路通过地面路径。图1。微分模式模噪声路径你怎么知道你处理的是模噪声还是差分噪声
2022-06-15 11:32:03

直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性

其RDSON低,其寄生二极管也不会导通。因此,最终在直接驱动配置中不会出现与Qrr相关的功率损耗。在配置中,由于GaN电容高(Cds),处于关断模式GaN和MOSFET之间的电压分布会
2023-02-14 15:06:51

请问如何推动物联网的高能创新?

请问如何推动物联网的高能创新?
2021-06-17 08:57:28

请问怎么设计一种单级全差分增益增强的折叠运算放大器?

怎么设计一种单级全差分增益增强的折叠运算放大器?
2021-04-20 06:26:29

请问折叠比较器怎么修改为迟滞比较器?

折叠比较器怎么修改为迟滞比较器
2021-06-24 07:36:52

面板灯ERP能报告怎么做,面板灯ERP能标签EU2019/2015测试要求

控制装置。  1新版能标签指令EU 2019/2015规定了光源以及用在组合产品内光源的能标签要求。  11新版ErP指令EU 2019/2020和能标签指令EU 2019/2015从2019
2021-01-08 10:42:35

面板灯欧盟ERP能报告EU2019/2020和ERP能标签EU2019/2015怎么做

控制装置。  1新版能标签指令EU 2019/2015规定了光源以及用在组合产品内光源的能标签要求。  11新版ErP指令EU 2019/2020和能标签指令EU 2019/2015从2019
2021-01-12 18:25:43

驱动新一代SiC/GaN功率转换器的IC生态系统

。功率开关 (SiC/GaN MOSFET) 的新技术将提高开关频率,从而减小电感和电容尺寸,同时要求更精确、更快速、能更高的检测、控制和驱动IC。到2021,在全部电站级逆变器中,30 kW至
2018-10-22 17:01:41

【谷景】模电感厂家 供应优质车规级品质模电感

:产品名称:模电感产品类型:电感产品特点:体积小,薄型,高能量存储,低直流电阻。产品价格:面议材质类型:108050-601贴片模电感   
2021-09-07 13:17:53

安森美半导体将在2015 APEC展示下一代电源系统

2015年3月12日 – 推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN) 将在美国应用电力电子会议 (APEC) 展台407展示最新的电源管理技术
2015-03-12 17:50:261306

英飞凌将与松下电器联袂,推出常闭型600V GaN功率器件

2015年3月20日,德国慕尼黑和日本大阪讯——英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)和松下电器公司(TSE代码:6752)宣布,两家公司已达成协议,将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构,与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。
2015-03-20 14:08:391729

使用GaN基板GaN功率元件FOM减至1/3

松下在GaN基板产品和Si基板产品方面试制了2.1mm×2.0mm测试芯片做了比较。Si基板产品的导通电阻为150mΩ,GaN基板产品的导通电阻为100mΩ。Qoss方面,Si基板产品为18.3nC
2016-12-12 10:15:212348

GaN功率器件市场趋热 英飞凌新方案细节曝光

CoolGaN是英飞凌GaN增强模式高电子迁移率晶体管(E-HEMT)系列产品。最近该公司推出了两款进入量产的产品——CoolGaN 600 V增强型HEMT和GaN开关管专用驱动IC GaN
2018-12-06 18:06:214652

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