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电子发烧友网>电源/新能源>电源设计应用>SiC功率元件的典型事例 - 功率器件的开发应用与实例(图解)

SiC功率元件的典型事例 - 功率器件的开发应用与实例(图解)

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IGBT功率器件功耗

IGBT等功率电子器件在工作中,由于自身的功率损耗,将引起IGBT温度升高。引起功率器件发热的原因主要有两个,一是功率器件导通时,产生的通态损耗。二是功率器件的开通与关断过程中产生的开关损耗
2024-07-19 11:21:001921

罗姆与台积公司携手合作开发车载氮化镓功率器件

”)正式建立了战略合作伙伴关系,共同致力于车载氮化镓功率器件开发与量产。 此次合作,双方将充分利用各自的技术优势。罗姆将贡献其卓越的氮化镓器件开发技术,而台积公司则以其行业领先
2024-12-10 17:24:441179

功率器件热设计基础(十一)——功率半导体器件功率端子

/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件
2025-01-06 17:05:481329

功率器件热设计基础(十二)——功率半导体器件的PCB设计

/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件
2025-01-13 17:36:111819

功率器件热设计基础知识

功率器件热设计是实现IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠运行的基础。掌握功率半导体的热设计基础知识,不仅有助于提高功率器件的利用率和系统可靠性,还能有效降低系统成本。本文将从热设计的基本概念、散热形式、热阻与导热系数、功率模块的结构和热阻分析等方面,对功率器件热设计基础知识进行详细讲解。
2025-02-03 14:17:001355

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