FRAM在医疗领域和智能电表中的应用及发展
与传统非易失性存储器相比,FRAM的功耗要低很多,而且写入速度更快。对于类似的写入,FRAM功耗只有EEPROM的1/1000。FRAM的写入时间是EEPROM的1/40000,达到SRAM和DRAM这些传统易失性存储器的级别。而且,FRAM的读/写耐久性能远远优于EEPROM和Flash存储器。EEPROM和Flash存储器能写入大约100万次(106次),FRAM最高可写入1013次,或者说写入次数可以达到前两种存储器的1000万倍以上。
2017-03-29 关键字: fram
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