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碳化硅芯片国际发展的现状与总体趋势

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碳化硅发展趋势及其在储能系统中的应用

碳化硅(SiC)技术比传统硅(Si)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和其他技术更具优势,包括更高的开关频率、更低的工作温度、更高的电流和电压容量以及更低的损耗,从而提高功率密度、可靠性和效率。本文将介绍碳化硅发展趋势及其在储能系统(ESS)中的应用,以及Wolfspeed推出的碳化硅电源解决方案。
2023-11-17 10:10:29393

国内碳化硅功率器件的发展现状及未来趋势

主驱采用碳化硅,综合损耗比硅器件降低70%,行程里程提升约5%。在OBC上采用碳化硅,器件数量减半,意味着被动器件直接减半,且配套的驱动电路也减少了,体积下降的同时成本也在下沉。这也是为什么OBC应用碳化硅比驱动应用早的原因。
2023-11-20 16:23:36415

碳化硅如何革新电气化趋势

碳化硅如何革新电气化趋势
2023-11-27 17:42:14204

碳化硅是如何制造的?碳化硅的优点和应用

碳化硅,又称SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度很多,但半导体级质量的碳化硅只是在过去几十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438

碳化硅的5大优势

碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47:33456

碳化硅功率器件的特点和应用现状

,因此在电动汽车、风力发电、轨道交通等领域得到了广泛应用。本文将对碳化硅功率器件的原理、特点、应用现状、挑战以及未来发展趋势进行详细介绍。
2023-12-14 09:14:46241

三种碳化硅外延生长炉的差异

碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工,需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆,这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现,高质量的碳化硅同质外延材料是碳化硅器件研制的基础,外延材料的性能直接决定了碳化硅器件性能的实现。
2023-12-15 09:45:53607

碳化硅功率器件的原理和应用

随着科技的快速发展碳化硅(SiC)功率器件作为一种先进的电力电子设备,已经广泛应用于能源转换、电机控制、电网保护等多个领域。本文将详细介绍碳化硅功率器件的原理、应用、技术挑战以及未来发展趋势
2023-12-16 10:29:20360

碳化硅功率器件的优势应及发展趋势

应用以及发展趋势。 一、碳化硅功率器件的优势 碳化硅功率器件具有高频率、高效率、高耐压和高耐流等优势,使得其在能源转换、电动汽车、轨道交通、智能电网等领域具有广泛的应用前景。碳化硅功率器件
2024-01-06 14:15:03353

碳化硅功率器件简介、优势和应用

碳化硅(SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

碳化硅特色工艺模块简介

材料的生长和加工难度较大,其特色工艺模块的研究和应用成为了当前碳化硅产业发展的关键。 碳化硅特色工艺模块主要包括以下几个方面: 注入掺杂 在碳化硅中,碳硅键能较高,杂质原子难以在其中扩散。因此,在制备碳化硅器件时
2024-01-11 17:33:14294

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