NMOS LDO和PMOS LDO的Dropout Voltage简析

LDO规格书中标注Dropout Voltage 这个指标一般都是有特定条件的，一般有负载电流、输出电压条件，在备注或者测试条件中还有温度范围，以及输入输出电容大小等。

对于目前手机上用的多路LDO 输出电压都是可调的，可调的LDO Dropout Voltage 参数一般也只是标注的特定条件下的值，但其实可调的LDO Dropout Voltage 和输出电压是有关系的，为什么有关系呢，这其实是和LDO的架构有关的，NMOS LDO 和PMOS LDO的 Dropout Voltage和输出电压的关系变化趋势还不一样。

一.NMOS LDO Dropout Voltage 和输出电压的关系

下面是某输出可调的NMOS LDO Dropout Voltage 和输出电压的关系，相同条件下，可以看到：

输出电压增加，Dropout Voltage 也增加，

输出电压减小，Dropout Voltage 就减小。
增加为什么会增加的，这就涉及到NMOS的架构。

NMOS的LDO在Vbias一定的情况下：

Vout电压↑，Vgs↓，NMOS Rdson ↑，所以Dropout Voltage 增加。

Vout电压↓，Vgs↑，NMOS Rdson ↓，所以Dropout Voltage 减小。

二.PMOS LDO Dropout Voltage 曲线。

下面某输出可调的PMOS LDO Dropout Voltage 和输出电压的关系，相同条件下，可以看到：

输出电压增加，Dropout Voltage 也减小，

输出电压减小，Dropout Voltage 就增加。

增加为什么会增加的，这就涉及到PMOS LDO的架构有关。

PMOS管的LDO，输出电压增大，意味着输入电压也需要增大，比如：

如果输出1.8V，输入电压最小1.8V+Dropout，Vsg=1.8V+Dropout

如果输出2.8V，输入电压最小2.8V+Dropout，Vsg=2.8V+Dropout

PMOS管的 Vsg越大，PMOS Rdson 越小，这就是为什么PMOS架构的LDO输出电压大的时候，Dropout Voltage却减小的原因。

重点：

对于目前手机客户在用的某些可调的PMOS LDO，因为规格书只是标注的特定输出电压情况下的Dropout Voltage，并且没有给出输出电压和Dropout Voltage曲线，如果你需要设定的电压小于标注Dropout Voltage的电压的时候，需要咨询厂家，确认你需要的输出电压条件下的Dropout Voltage。当然如果你需要的电压大于标注Dropout Voltage的电压的时候，可以用标注电压来评估。