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电子发烧友网>模拟技术>一文详解IGBT的失效机制

一文详解IGBT的失效机制

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2022-07-21 17:53:513005

瞬态热阻抗准确计算IGBT模块结壳热阻的方法

随着半导体技术的迅速发展以及绝缘栅双极型晶体管(insulatedgatebipolartranslator,IGBT)模块的普遍应用,电力电子可靠性要求不断提高,而过热失效这一主要失效原因亦成为
2023-04-04 10:14:09965

IGBT模块的封装形式及失效形式

单元,IGBT模块得到越来越广泛的应用。IGBT器件封装形式主要有焊接式和压接式两种,其中焊接式发展成熟,应用广泛。IGBT模块的封装结构比较复杂,是由多种材料组合
2023-05-18 10:11:522952

IGBT逆变电路详解

IGBT逆变电路详解 IGBT逆变电路是一种高压、高功率驱动电路,广泛应用于工业、航空、船舶等领域。本文将为您详细介绍IGBT逆变电路的原理、结构、应用以及注意事项等内容。 一、IGBT逆变电
2023-08-29 10:25:543326

半导体器件击穿原理和失效机制详解

在日常的电源设计中,半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题,本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制,以及在设计应用中注意事项。
2023-09-19 11:44:382592

IGBT失效模式与失效机理分析探讨及功率模块技术现状未来展望

压接型IGBT器件与焊接式IGBT模块封装形式的差异最终导致两种IGBT器件的失效形式和失效机理的不同,如表1所示。本文针对两种不同封装形式IGBT器件的主要失效形式和失效机理进行分析。1.焊接式IGBT模块封装材料的性能是决定模块性能的基础,尤其是封装
2023-11-23 08:10:07724

详解常见的7大晶振失效原因

详解常见的7大晶振失效原因  晶振是现代电子设备中广泛应用的一种元器件,它可以提供基准时钟信号,用于设备的时序控制和数据传输。然而,晶振有时可能会失效,导致设备无法正常工作。下面将详细介绍常见的七大
2023-12-18 14:09:25524

ESD静电放电有几种主要的破坏机制 ESD失效的原因

ESD静电放电有几种主要的破坏机制 ESD失效的原因  静电放电(ESD)是由于静电的积累导致电荷突然放电到不同电势的物体上而引起的一系列现象。ESD可能对电子设备和电路产生不可逆的破坏,因此对于
2024-01-03 13:42:481274

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