只要问任何经验丰富的电气工程师——如我们今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 栅极前要放什么,你很可能会听到“一个约 100 Ω 的电阻”。
2018-04-16 08:53:16
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,为什么设计MOFET驱动电路时,栅极驱动电流要大呢? 要想回答上面的问题,就不得不聊聊MOSFET中的米勒平台电压,也就是Miller Plateau Voltage,它是指在MOSFET开关过程中,由于MOSFET寄生电容的米勒效应,MOSFET的栅极-源极电压 (VGS) 会保持在一个固定电压水平的现象。这一现
2025-01-02 09:27:50
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MOSFET的栅极电阻有什么关键作用?
2019-05-11 09:32:11
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为了稳定性,必须在 MOSFET 栅极前面放一个 100 Ω 电阻吗?
2023-03-13 10:18:05
1681 在 MOSFET 的栅极和源极之间添加一个外部齐纳二极管,可以有效防止发生静电放电和栅极尖峰电压。但要注意,齐纳二极管的电容可能有轻微的不良影响。
2023-03-15 09:44:34
1075 为什么有时候需要MOSFET栅极电阻?它应该是什么价值?它应该在下拉电阻之前还是之后?事实上,有许多电路是在没有栅极电阻的情况下工作的,但添加一个可以防止一些潜在的问题。1000Ω很可能会起作用。
2023-07-06 11:10:48
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在各类电路图中,我们经常可以看到MOSFET在作开关时,其漏极和源极之间有一个寄生二极管,如图1所示。那么这个二极管是用来做什么的?
2023-11-14 16:04:21
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必须在基极和发射极之间施加电流,以在集电极中产生电流。图1.2示出了MOSFET,当在栅极和源极端子之间施加电压时在漏极中产生电流。
2024-04-22 15:07:42
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。以N沟道增强型为例,其结构为在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极,半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。由于mos管本身的
2024-05-09 08:10:32
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MOSFET栅极与源极之间加一个电阻?这个电阻有什么作用?
2024-12-26 14:01:05
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MOSFET栅极电路常见的作用MOSFET常用的直接驱动方式
2021-03-29 07:29:27
(1)Vth是指当源极与漏极之间有指定电流时,栅极使用的电压;
(2)Vth具有负温度系数,选择参数时需要考虑。
(3)不同电子系统选取MOSFET管的阈值电压Vth并不相同,需要根据系统的驱动
2025-12-16 06:02:32
防止两个MOSFET管直通,通常串接一个0.5~1Ω小电阻用于限流,该电路适用于不要求隔离的中功率开关设备。这两种电路特点是结构简单。 功率MOSFET 属于电压型控制器件,只要栅极和源极之间施加
2019-06-14 00:37:57
,在栅极G和源极S之间加正电压,即UGS﹥0时,如图2—55(a)所示,则在栅极与衬底之间产生一个由栅极指向衬底的电场。在这个电场的作用下,P衬底表面附近的空穴受到排斥将向下方运动,电子受电场的吸引
2018-08-07 14:16:14
MOS栅结构是MOSFET的重要组成部分,一个典型的N沟道增强型结构示意图如图1所示。其中栅极、源极和漏极位于同一个平面内,半导体的另一个平面可以称为体端,所以在一些书籍和资料中,也将MOSFET
2024-06-13 10:07:47
MOSFET的VGS(th):栅极阈值电压MOSFET的VGS(th):栅极阈值电压是为使MOSFET导通,栅极与源极间必需的电压。也就是说,VGS如果是阈值以上的电压,则MOSFET导通。可能有
2019-05-02 09:41:04
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗?栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗?
2023-05-16 14:33:51
你好,我打算使用FQD7P20TMCT-ND和FDD7N20TMCT-ND。为了驱动这些MOSFET,我正在使用MD1822K6-GCT-ND。我的问题是我需要在门到源之间安装二极管和电阻,如下
2018-10-26 14:46:14
栅极与源极之间加一个电阻,这个电阻起到什么作用?一是为场效应管提供偏置电压;二是起到泻放电阻的作用:保护栅极G-源极S;
2019-05-23 07:29:18
和发射极。为了操作MOSFET/IGBT,通常须将一个电压施加于栅极(相对于器件的源极/发射极而言)。使用专门驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。本文讨论栅极驱动器是什么,为何需要栅极驱动器,以及如何定义其基本参数,如时序、驱动强度和隔离度。
2021-01-27 07:59:24
驱动器,以及如何定义其基本参数,如时序、驱动强度和隔离度。需要栅极驱动器IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极形成一个非线性电容。给栅极电容充电会使功率器件导通,并允许电流在其漏极和源极引脚之间流动
2021-07-09 07:00:00
IGBT栅极的下拉电阻要靠近栅极放置,作用是给IGBT寄生电容Cge放电,那么这个电阻一般选择多大?
IGBT的栅极加一个稳压二极管,是为了防止寄生电容Cgc在IGBT关断的时候(集电极电压耦合
2024-06-16 22:09:24
普通N MOS管给栅极一个高电压 ,漏极一个低电压,漏源极就能导通。这个GS之间加了背靠背的稳压管,给栅极一个4-10V的电压,漏源极不能导通。是不是要大于栅源击穿电压VGSO(30v)才可以?
2019-06-21 13:30:46
MOS管的开关电路中栅极电阻R5和栅源极级间电阻R6是怎么计算的?在这个电路中有什么用。已知道VDD=3.7V,在可变电阻状态中,作为开关电路是怎么计算R5和R6?
2021-04-19 00:07:09
MOSFET 切换高于5V 的电压,则需要另一个晶体管(某种晶体管)来打开和关闭它。P 沟道场效应管P沟道区域位于P沟道MOSFET的源极和漏极之间。它是一个四端子器件,具有以下端子:栅极、漏极、源极和主体
2023-02-02 16:26:45
电阻低,通道电阻高,因此具有驱动电压即栅极-源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化(下降)逐渐减少,接近
2018-11-30 11:34:24
什么样的现象。绿色曲线表示高边SiC-MOSFET的栅极电压VgsH,红色曲线表示低边的栅极电压VgsL,蓝色曲线表示Vds。这三个波形都存在振铃或振荡现象,都不容乐观。比如一旦在低边必须关断的时间点
2018-11-30 11:31:17
应用角度来看,驱动回路和功率回路共用了源极的管脚。MOSFET是一个电压型控制的开关器件,其开通关断行为由施加在栅极和源极之间的电压(通常称之为VGS)来决定。 从图1模型来看,有几个参数是我们需要
2023-02-27 16:14:19
有一个图表代表一个电路,其目的是根据微控制器中编程的逻辑启用/禁用两个LED。在下面的电路中,据我所知,有两个n型晶体管,它们分别有一个电阻连接它们的栅极和它们的源极。我的问题是:为什么需要标记电阻?(红圈)
2018-08-21 10:35:11
。
再进一步讲,为什么电阻是100Ω呢?
我在网上看到一个仿真试验,实验在MOSFET电路中的栅极串联电阻R3,分别对它取1欧姆,10欧姆,50欧姆进行仿真实验:
当R3为1欧姆时,输出电压Vds上
2025-12-02 06:00:31
1、为什么要加电阻下图是典型的 MIC 应用电路以及 MIC 内部的电路图。在 MIC 内部,驻极体电容将声音信号变为电信号,并立即通过一级共源 FET 放大输出。加电阻的目的是为了给 MIC 内部
2021-07-27 08:25:22
极性三极管,它是电流控制器件。它的基极串联电阻是为了了限制基极电流的大小,否则对于驱动信号源来说,三极管的基极对地之间就等效成一个二极管,会对前面驱动电路造成影响。 而MOS管,由于它的栅极相对于漏极
2023-03-10 15:06:47
,发现N-MOSFET管的源极S和漏极D之间存在两个背靠背的pn结,当栅极-源极电压VGS不加电压时,不论漏极-源极电压VDS之间加多大或什么极性的电压,总有一个pn结处于反偏状态,漏、源极间没有导电沟道
2023-02-10 15:33:01
大家好,问个在网上经常碰到的问题,但我想再问得深入些。 关于MOSFET,就说NMOS管吧,平时说到栅极,大家都习惯性的串接一个栅极电阻大小从10欧--100欧不等。 而且有人说为了提高开通速度甚至
2013-02-08 15:28:29
和漏极电荷Qgs:栅极和源极电荷栅极电荷测试的原理图和相关波形见图1所示。在测量电路中,栅极使用恒流源驱动,也就是使用恒流源IG给测试器件的栅极充电,漏极电流ID由外部电路提供,VDS设定为最大
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的结构特点为什么要在栅极和源极之间并联一个电阻呢?
2021-03-10 06:19:21
调节分压电阻的阻值、栅极与源极并联的电容来降低冲击电流。
问题13:功率MOSFET管关断时VDS电压发生振荡,在同一个电路上测试两个不同厂商的功率MOSFET管,得到关断波形并不相同。器件1
2025-11-19 06:35:56
,就会形成一个薄的高质量的氧化层,从而产生沟道。 工作原理是:栅极和源极间加正向电压,P-区中的少数载流子,即“少子”,也就是电子,被电场吸引到栅极下面的表面,随着栅极和源极正向偏置电压的增加,更多
2016-10-10 10:58:30
极)及D(漏极),如图1d所示。从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的,D与S之间有两个PN结。一般情况下,衬底与源极在内部连接在一起。图1是N沟道增强型场效应管(MOSFET)的基本结构图
2011-12-19 16:52:35
增大MOSFET栅极电阻可消除高平震荡,是否栅极电阻越大越好,为什么?请你分析一下增大栅极电阻能消除高平震荡的原因。
2023-03-15 17:28:37
增大MOSFET栅极电阻可消除高平震荡,是否栅极电阻越大越好,为什么?请你分析一下增大栅极电阻能消除高平震荡的原因
2023-05-16 14:32:26
均采用 TO-247-4L 封装,其中包括一个驱动器发射极/源极引脚。两种情况均仅使用单极栅极驱动:IGBT为15V/0V,SiCMOSFET为18V/0V。表 1 显示了使用相应条件执行的测试列表
2023-02-21 16:36:47
!它在高侧栅极驱动器源连接(R57、R58 和 R59)中也有 4R7 电阻,我不明白为什么需要这些。是否有任何设计指南可以告诉我如何定义栅极电阻器、自举电容器以及为什么高侧栅极驱动器可能需要对 MOSFET 源极施加一些电阻?
2023-04-19 06:36:06
MOSFET模型, 3个电容为硅结构,分别位于各个连接引脚之间:栅漏电容Cgd、漏源电容Cds和栅源电容Cgs.键合丝产生了MOSFET寄生电感:栅极寄生电感Lg1、漏极寄生电感Ld1和源极寄生电感Ls1。这个
2018-10-08 15:19:33
的产生机理 由功率MOSFET的等效电路可知,3个极间均存在结电容,栅极输入端相当于一个容性网络,驱动电路存在着分布电感和驱动电阻,此时的桥式逆变电路如图1所示。以上管开通过程为例,当下管V2已经完全
2018-08-27 16:00:08
绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。找元器件现货上唯样商城在这里,将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解,其实所讲解的内容也适用于一
2022-09-20 08:00:00
源导通电阻,它表示MOSFET在某一条件下导通时,漏源极之间的导通电阻。这个参数与MOSFET结温,驱动电压Vgs相关。在一定范围内,结温越高,Rds越大;驱动电压越高,Rds越小。Qg,栅极电荷
2020-03-04 10:11:00
器件。一旦在MOSFET的栅极端施加电压,源极沟道的漏极电阻将变得更大。当栅源电压增加更多时,从漏极到源极的电流将减少,直到电流从漏极到源极的流动停止。耗尽型MOSFET有两种类型,分别是P沟道和N沟道
2022-09-13 08:00:00
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52:09
两层电源板,板子设计中有4个MOSFET管串联,由于只有两层,四个MOSFET管的3个源级要过大电流,所以用铜连接在一起;四个MOSFET管栅极串联的线走在器件源级和漏极之间(请看图片),不知道这样的栅极走线会不会受影响?
2018-07-24 16:19:28
本文概述了与低频MOSFET工作相关的各种特性和规格。相关信息了解MOSFET导通状态的漏源电阻MOSFET沟道长度调制假设您正在设计一个电动机控制电路,一个继电器驱动器,一个反极性保护电路或一个
2019-10-25 09:40:30
防止两个MOSFET管直通,通常串接一个0.5~1Ω小电阻用于限流,该电路适用于不要求隔离的中功率开关设备。这两种电路特 点是结构简单。 功率MOSFET属于电压型控制器件,只要栅极和源极之间施加
2023-02-27 11:52:38
驱动器,以及如何定义其基本参数,如时序、驱动强度和隔离度。为什么需要栅极驱动器IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极形成一个非线性电容。给栅极电容充电会使功率器件导通,并允许电流在其漏极和源极引脚之间
2018-10-25 10:22:56
是什么,为何需要栅极驱动器,以及如何定义其基本参数,如时序、驱动强度和隔离度。需要栅极驱动器IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极和源极/发射极之间形成一个非线性电容。给栅极电容充电会使功率器件导
2018-11-01 11:35:35
MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构,直流电不能通过,因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs,因而在高频率的交替
2019-07-03 16:26:55
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电子发烧友网为你提供功率MOSFET,为什么要在栅极和源极间并联一个电阻?资料下载的电子资料下载,更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料,希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-03-29 16:49:37
20 分立MOSFET数据手册中最突出的规格之一是漏极 - 源极导通电阻,缩写为R DS (on)。这个R DS (on)的想法看起来非常简单:当FET截止时,源极和漏极之间的电阻非常高 - 我们假设零电流流动。
2021-05-15 09:49:56
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忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是栅极-源极间电压,当SiC MOSFET本身的电压和电流发生变化时,可能会发生意想不到的正浪涌或负浪涌,需要对此采取对策。在本文
2021-06-12 17:12:00
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忽略SiC MOSFET本身的封装电感和外围电路的布线电感的影响。特别是栅极-源极间电压,当SiC MOSFET本身的电压和电流发生变化时,可能会发生意想不到的正浪涌或负浪涌,需要对此采取对策。 在本文中,我们将对相应的对策进行探讨。 什么是栅极-源极电压产生的
2021-06-10 16:11:44
2954 在一周前看到在公众号“电机控制设计加油站”的一篇推文,“Why 100Ω? 较真的教授发现简单结论背后不简单的问题”(点击加黑文字可以跳转到该推文),对MOSFET管栅极为什么放置“一个约100Ω串联电阻”进行讨论。
2022-07-25 10:09:14
4431 SiC MOSFET具有出色的开关特性,但由于其开关过程中电压和电流变化非常大,因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作-前言”中介绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。
2022-09-14 14:28:53
1289 在 MOSFET 的栅极和源极之间添加一个外部齐纳二极管,可以有效防止发生静电放电和栅极尖峰电压。但要注意,齐纳二极管的电容可能有轻微的不良影响。
2023-01-02 06:54:00
1764 从本文开始,我们将进入SiC功率元器件基础知识应用篇的第一弹“SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作”。前言:MOSFET和IGBT等电源开关元器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。
2023-02-08 13:43:22
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上一篇文章中介绍了LS开关导通时栅极 – 源极间电压的动作。本文将继续介绍LS关断时的动作情况。低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作:下面是表示LS MOSFET关断时的电流动作的等效电路和波形示意图。
2023-02-08 13:43:23
1163 
本文的关键要点:通过采取措施防止栅极-源极间电压的正电压浪涌,来防止LS导通时的HS误导通。如果栅极驱动IC没有驱动米勒钳位用MOSFET的控制功能,则很难通过米勒钳位进行抑制。作为米勒钳位的替代方案,可以通过增加误导通抑制电容器来处理。
2023-02-09 10:19:15
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本文的关键要点・通过采取措施防止SiC MOSFET中栅极-源极间电压的负电压浪涌,来防止SiC MOSFET的LS导通时,SiC MOSFET的HS误导通。・具体方法取决于各电路中所示的对策电路的负载。
2023-02-09 10:19:16
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关于SiC功率元器件中栅极-源极间电压产生的浪涌,在之前发布的Tech Web基础知识 SiC功率元器件 应用篇的“SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作”中已进行了详细说明,如果需要了解,请参阅这篇文章。
2023-02-09 10:19:17
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在N沟道MOSFET中,源极为P型区域,而在P沟道MOSFET中,源极为N型区域。在MOSFET的工作中,源极是控制栅极电场的参考点,它是连接到源极-漏极之间的电路,电流会从源极流入器件。通过改变栅极和源极之间的电压,可以控制源极和漏极之间的电流流动。
2023-02-21 17:52:55
3591 MOSFET是一种三端器件,其三个电极分别是栅极、漏极和源极。在MOSFET中,栅极可以控制漏极和源极之间的电流流动。
2023-02-28 17:41:07
12388 绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。在这里,将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解,其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件,尽情参考。
2023-04-06 09:11:46
1833 
本文是“SiC MOSFET:栅极-源极电压的浪涌抑制方法”系列文章的总结篇。介绍SiC MOSFET的栅极-源极电压产生的浪涌、浪涌抑制电路、正电压浪涌对策、负电压浪涌对策和浪涌抑制电路的电路板
2023-04-13 12:20:02
2133 绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。在这里,将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解,其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件,尽情参考。
2023-05-08 11:23:14
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共源极放大器电路的原理是将信号引入放大管的栅极,放大管的漏极作为输出端,同时在漏极与源极之间接入一个负载电阻。当信号经过栅极输入后,放大管的漏极会产生一个电压信号,这个信号经过负载电阻之后就成为放大后的信号输出。
2023-06-01 11:37:39
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缓冲电路来降低线路电感,这是非常重要的。 首先,为您介绍 SiC MOSFET 功率转换电路中,发生在漏极和源极之间的浪涌。 · 漏极和源极之间产生的浪涌 · 缓冲电路的种类和选择 · C缓冲电路的设计 · RC缓冲电路的设计 · 放电型RCD缓冲电路的设计
2023-06-21 08:35:02
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金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种场效应晶体管(FET),由三个端子-栅极、源极和漏极组成。在MOSFET中,漏极由栅极端的电压控制,因此MOSFET是一种电压控制器件。施加在栅极上
2023-07-07 10:13:35
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IGBT/功率MOSFET的结构使得栅极形成一个非线性电容。给栅极电容充电会使功率器件导通,并允许电流在其漏极和源极引脚之间流动,而放电则会使器件关断,漏极和源极引脚上就可以阻断大电压。
2023-07-14 14:54:07
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mos管源极和漏极的区别 MOSFET,金属氧化物半导体场效应晶体管,是一种晶体管,其目的是通过改变其栅极和源极端子之间的电势差来控制电子电路内的电流流动。MOSFET在电子领域很受欢迎,因为
2023-08-25 14:49:58
8284 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)有三个主要电极,分别是栅极(Gate)、漏极(Source)和源极(Drain)。这三个电极的区分方法如下
2023-09-18 12:42:55
41693 源极跟随器的输出电阻与什么有关? 源极跟随器是一种常见的电路拓扑,它由一个N型场效应管和一个P型场效应管组成。它的输入信号加到N型管的栅极上,输出信号则是从P型管的源极获得。输出电阻是一个重要
2023-09-20 17:05:28
2017 是两个重要的参数,它们对电流的影响非常显著。 首先,我们来讨论MOSFET栅极电路电压对电流的影响。在MOSFET中,栅极电路的电压控制着源极和漏极之间的电流流动。当栅极电路的电压为零时,MOSFET处于关闭状态,即没有电流通过MOSFET。当栅极电路的电压为正时,会形成一
2023-10-22 15:18:12
3845 结组成。一个PN结是由P型半导体和N型半导体组成,另一个PN结是由N型半导体和P型半导体组成。漏极、源极和栅极分别位于这两个PN结之间。 1. 漏极(Collector):漏极是晶体管的主要输出引脚,它连接到N型半导体区域。漏极负责接收输出电流
2023-11-21 16:00:45
25005 SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作
2023-12-07 14:34:17
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2023-11-24 09:16:14
1 详细介绍如何区分MOSFET的三个引脚。 首先,我们需要了解MOSFET的基本工作原理。MOSFET是一种电压控制型器件,通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。当栅极电压为0时,MOSFET处于截止状态,源极和漏极之间没有电流流过;当栅极电压大于阈值电压时,MOSFET处于导
2023-12-28 15:22:17
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之间的连接是理解该器件工作原理的关键。 MOS管结构简介: MOS管是由一片半导体材料(通常是硅)构成的,通过在硅片上掺杂不同类型的杂质形成两个PN结。这些杂质掺入区域形成了源极和漏极,而栅极是通过在硅片上形成一层金属(通常是铝)来实现的。源极和漏极之间的区
2024-01-10 15:34:25
10151 极(Gate极)、一个隔离的绝缘层和P型或N型的半导体材料组成。这两个区域分别称为漏区(Drain Region)和源区(Source Region)。 MOSFET的工作原理依赖于栅极对漏极和
2024-01-31 13:39:45
3609 的自激振荡现象。这种振荡一般是由于MOSFET内部参数和外部电路条件导致的,并可能对电路性能产生负面影响。 栅源振荡的主要原因可以分为以下几点: 1. 内部电容耦合:MOSFET的栅电极与源电极之间会有一定的内部电容耦合。当信号频率较高时,栅极和源极
2024-03-27 15:33:28
3305 一、栅极驱动IC与源极的区别 栅极驱动IC和源极在电子器件中扮演着不同的角色,它们的主要区别体现在功能和位置上。 功能差异 : 栅极驱动IC :栅极驱动IC是一种专门用于驱动MOSFET(金属氧化物
2024-10-07 16:20:00
2470 在MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中,Vgs(栅极-源极电压)和Vds(漏极-源极电压)之间的关系是理解MOSFET工作特性的关键。 一、基本定义 Vgs(栅极-源极电压) :这是施加
2024-09-29 09:53:36
16758 PART01栅极电阻在MOSFET驱动中的核心作用在直流电机驱动电路中,MOSFET作为功率开关器件,其栅极与源极之间存在等效电容(Ciss=Cgd+Cgs),栅极电阻(Rg)的主要作用包括:1.
2025-09-27 10:17:54
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