艾迈斯推出具有卓越噪声性能的A30新型高性能模拟技术

　　艾迈斯是什么？

　　原名奥地利微电子2014 年正式更名为艾迈斯半导体。 Premstaetten。主要的研发设计中心坐落于奥地利，其光学器件设计中心坐落于美国的德州普拉诺市，另外16 家设计中心坐落于世界其他地方。公司在超过20 个国家拥有共约2，100 名员工，并于世界各地的重要市场设立了销售办事处。艾迈斯半导体同时与世界知名器件分销商建立了合作关系，其中包括具备全球分销能力的伙伴：DigiKey、Future Electronics 及Mouser。艾迈斯半导体于SIX 瑞士证券交易所上市 （股票代码：AMS） 。

　　艾迈斯半导体设计和制造高性能的模拟半导体产品，以创新的解决方案为客户解决最具挑战性的难题。

　　艾迈斯半导体公司的产品旨在为那些要求极致精密、精准、灵活、灵敏以及极低功耗的应用而设。公司的产品包括传感器、传感器接口、电源管理芯片及无线产品，适用于消费类、工业类、医疗类、移动通信及汽车类的客户。艾迈斯半导体的总部位于奥地利格拉兹附近的

　　中国，2016.12月6日，全球领先的高性能传感器和模拟IC供应商艾迈斯半导体（ams AG，瑞士股票交易所股票代码：AMS）今天宣布推出高性能模拟低噪声CMOS制程工艺（“A30”）。这种新型的A30制程工艺具有卓越的噪声性能，并通过光刻工艺使体积缩小至艾迈斯半导体高级0.35µm高压CMOS制程工艺系列产品的0.9倍。

　　A30技术包括性能优化的绝缘3.3V器件（NMOSI和PMOSI）、绝缘3.3V低压器件（NMOSIL和PMOSIL）、一个具有薄栅氧化层厚度的绝缘高压器件（（NMOSI20T）、垂直双极型晶体管（VERTN1和VERTPH）以及一个绝缘3.3V超级低噪声晶体管（NMOSISLN），可以提供0.46 pA/ÖHz水平的闪烁噪声（@ 1kHz，ID = 1µA @ Vds = 3V，10x1.2µm²）。与H35制程工艺相比，可以降低高漏电流的闪烁噪声至少4至10倍。整个器件还包括各种电容（聚酯电容、插入式电容和MOS电容）和电阻（扩散电阻、阱电阻、聚酯电阻、高阻聚酯电阻和精密电阻）等无源器件。
 

 

　　A30制程工艺非常适用于超低噪声传感应用和需要噪声优化输入级或高信噪比的模拟读出集成芯片，可为消费类电子产品、汽车、医疗和物联网设备开发出创新型的解决方案。A30制程工艺由艾迈斯半导体先进的200mm制造工厂制造并全面检测，可确保极低的缺陷密度和最高产量。所有0.30µm元件均按照0.35µm器件绘制并验证。在光罩车间内根据完整的GDSII数据进行制程微缩（0.9倍），使得单位面积的晶圆可以生产出更多尺寸较小的芯片。

　　艾迈斯半导体晶圆代工事业部总经理Markus Wuchse表示：“我们的A30高性能模拟低噪声制程工艺可以帮助开发出更具竞争力的传感应用和模拟读出集成芯片，噪声性能优越是其一大关键。代工客户利用A30制程工艺生产复杂的集成芯片可以获得双重收益，超低噪声晶体管具有行业标准的闪烁噪声系数，提高了性能，而光学收缩又大大减少了噪声敏感应用的芯片面积。”

　　A30制程工艺由艾迈斯半导体知名的行业设计套件hitkit提供支持。基于Cadence公司的Virtuoso®定制集成芯片技术6.1.6，新的hitkit套件可帮助设计团队大幅缩减竞争激烈的密集模拟混合信号产品的上市时间。新的hitkit套件具备高精确仿真模型和基于Calibre和Assura以及灵活的SKILL参数单元（PCells）的提取和验证运行设置，可提供全面的设计环境和成熟的硅路线。