电子发烧友网站提供《30V N 沟道NexFET™ 功率MOSFET CSD17556Q5B数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 14:11:23
0 耐压30V降压恒压芯片的工作原理如下：
该芯片内部集成了开关管和同步整流管，通过它们进行电压的转换，将输入的30V电压降至所需的输出电压（如12V或5V）。在工作过程中，该芯片通过PWM
2024-03-22 11:31:10
器件采用SOP8封装。**详细参数:**- **沟道类型:** P沟道- **额定电压:** -30V- **额定电流:** -11A- **导通电阻:** 10m
2024-03-19 14:55:57
电路和系统。
DC-DC30V降压24V、12V、5V、3.3V/1A H4110降压稳压芯片
产品描述
H4110是一种内置30V耐压MOS，并且能够实现精确恒压以及恒流的异步降压型 DC-DC
2024-03-19 10:28:19
AH8696是一款非隔离AC-DC大电流转换芯片，适用于220V降12V 500mA的电源方案。这款芯片具有高效、稳定、安全等特点，广泛应用于各种电子设备的电源供应需求。AH8696采用先进
2024-03-12 14:25:14
全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 被拉低，系统关机，此时流入芯片内部的电流小于0.1uA，进入低功耗待机模式。H6392采用ESOP-8封装，可为产品应用加强散热装置。
产品特征
l 输出可调，最高可达12V
l 支持输入电流可调范围
2024-03-12 10:04:27
MX6501T+MXPP8-30-1103套片实现一拖二的12V转12V隔离驱动方案或者MX6501T+MXPP8-30-1250套片实现一拖二的5V转12V隔离驱动方案，原理图如下所示：
由于MX6501T
2024-03-07 22:01:45
Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08353 
**AP2309GEN-VB****丝印：** VB2355 **品牌：** VBsemi **参数：** SOT23；P—Channel沟道, -30V；-5.6A；RDS
2024-02-19 16:52:37
压的应用需求。
产品特性
l内置30V耐压MOS,支持2.5V-24V输入
l低静态电流：100uA
l输出电流：16~2000mA
lPWM调光：最高频率25KHz，分辨率可达1000：1
l输出电流精度
2024-02-01 16:44:39
150V转3.3V 5V 12V 等不同的输出。
恒流主要是：各种照明场景，包括：舞台灯 车灯 摄影灯 球泡灯 台灯 投影仪 磁吸灯 吸顶灯等等，它们有大功率，大电流，发热小，共阳等特性，往往需要12V
2024-01-20 15:30:35
二极管至输出电感到GND存在电流通路，
由于存在此电流通路，启动时芯片内部应该启动保护了，再也启动不了了。
目前的解决办法：在-12V输出并联了一只肖特基二极管（导通压降为0.2V）将上述通路进行旁路后
2024-01-05 13:22:35
在双电源±15V的供电的状态下，ADG1408的模拟通道能输入30V（相对GND）的模拟电压吗？
2024-01-05 12:57:40
近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57316 请教下是否可以使用ADP7142将开关电源的12v转化为12v高精度的线性电源，效果怎么样呢？
2024-01-04 07:27:47
ADP5070 ,输入12V，可以输出±12V吗？这样的设计是否OK?
2024-01-04 07:03:33
型号：RSR025P03TL-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：- P沟道- 最大耐压：-30V- 最大电流：-5.6A- 静态导通电阻：47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V
2023-12-20 15:58:08
型号：IRF9317TRPBF-VB丝印：VBA2305品牌：VBsemi参数：- P沟道- 最大耐压：-30V- 最大电流：-15A- 静态导通电阻：5mΩ @ 10V, 8mΩ @ 4.5V
2023-12-20 15:25:28
ADAS3022 VDDH和VSSH设为+12V和-12V对性能有影响吗
2023-12-19 06:22:37
型号: HM4447-VB丝印: VBA2305品牌: VBsemi参数:- 沟道类型: P沟道- 额定电压: -30V (负值表示P沟道)- 最大电流: -15A (负值表示P沟道)- 静态导通电阻
2023-12-15 09:44:05
ST2341S23RG (VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介
2023-12-13 11:01:02
支持最大2.5A的输出电流，可以满足大部分电源应用的需求。
该芯片的最大特点是其降压能力，可以将40V的输入电压降至12V或5V，具有非常广泛的应用范围。由于其精度高、稳定性好、响应速度快等优点
2023-12-12 16:11:08
SI2319CDS-T1-GE3 (VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23
2023-12-09 15:02:20
P2402CAG (VB7322)参数说明:极性：N沟道；额定电压：30V；最大电流：6A；导通电阻：30mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V；门源电压范围：20Vgs (±V)阈值电压
2023-12-08 16:34:43
NTR4502PT1G (VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介
2023-12-08 16:31:11
IRLML6401TRPBF (VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，门源电压范围12V(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23
2023-12-08 15:36:21
，森利威尔SL4010、SL4011、SL4012广泛应用于锂电池升压5V、12V、30V等领域的DCDC升压IC有着大功率、高转换效率、低静态电流等特点，森利威尔DCDC降压恒流驱动芯片涵盖了高端电流
2023-12-07 16:44:03
BSS308PE (VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介
2023-12-06 14:04:08
APM4435KC-TRL (VBA2317)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-30V；最大电流：-7A；导通电阻：23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V；门源
2023-12-06 13:52:12
AO4805 (VBA4317)参数说明：2个P沟道，-30V，-8.5A，导通电阻21mΩ@10V，28mΩ@4.5V，门源电压范围12V(±V)，阈值电压-1.8V，封装：SOP8。应用简介
2023-12-06 11:59:47
AO3407 (VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介
2023-12-06 11:52:49
我在阅读AD5293数据手册的时候，有的地方描述单电源供电的时候，VDD可以设置为9-33V。而在另外的地方描述VDD要设置为21V-30V。我现在设计的原理中输入电源只有12V。因此想请问一下，AD5293在单电源供电的时候，VDD是否可以为12V，而VSS设置为0V(GND)呢。
2023-12-04 07:30:37
保护等功能，提高系统可靠性。 SL3038 采用SOP8 封装。特点： 宽输入电压范围：8V~150V 输出电压从4.2V 到30V 可调 支持输出恒压恒流 支持输出12V/5A，5V/5A 高效率：可
2023-11-28 17:03:22
需要将一个有效值1MHz,3~4V的交流信号放大到10V左右，本来打算用AD811这款芯片。
买了几片AD811JR，但是看到手册上说
供应伏 18 V
AD811JR Grade Only±12 V这种封装只能正负12V供电吗？
请问有没有别的类似的高带宽压扁率低噪声的芯片可以用呢？
2023-11-24 08:26:32
在当今的电子设备中，电源管理系统的设计是非常重要的。为了保证设备的稳定运行，升压和恒压电源的应用已经成为不可或缺的一部分。在这篇文章中，我们将介绍森利威尔SL4010升压恒压电源，它可以实现12V
2023-11-23 15:27:08
/0.6A稳压芯片
DCDC60V降压12V/0.6A稳压芯片是一种常见的电源管理芯片，它可以将输入的60V直流电压降低到12V，并输出0.6A的电流。这种芯片通常采用PWM控制技术，具有高效率
2023-11-21 15:30:37
电路和外置场效应晶体管驱动电路等，具有外部元件少，电路简单等优点。
当接通输入电源后，FS4067进 入充电状态，控制外置N沟道MOSFET导通，电感电流上升，当上升到外部电流检测电阻设置的上限时，外置
2023-11-21 12:14:43
AD698可否±12V供电？
2023-11-21 06:19:28
的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电 路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻
2023-11-20 01:30:56189 利用AD5522怎么设计一个正负30V的PPMU? AD5522输出电压最大只能输出正负11V左右。但我们客户的需求是30V的。不知道用AD5522能否设计出30V的ppmu?。如果利用升压电路可以解决，硬件的方案是如何的呢？
2023-11-16 07:09:56
如何设计一个高效率低功耗低噪声的直流3V升压到30V的电路？
电流1ma之内即可。
2023-11-16 06:36:14
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。
2023-11-09 17:39:10459 中国上海， 2023 年 11 月 7 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备
2023-11-09 15:19:57663 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N沟道共漏MOSFET，适用于带USB的设备和电池组保护。产品发货即日起开始。
2023-11-08 16:22:22319 型号 20P03丝印 VBE2338品牌 VBsemi详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 26A 开通电阻（RDS(ON)） 33mΩ @ 10V, 46m
2023-11-06 11:24:18
型号 AP6679GH丝印 VBE2309品牌 VBsemi详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 60A 开通电阻（RDS(ON)） 9mΩ @ 10V, 12
2023-11-06 09:41:12
型号 SI2323DST1GE3丝印 VB2355品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 5.6A 导通电阻 47mΩ @10V, 56m
2023-11-06 09:17:31
新洁能NCE30P12S NCE P通道增强模式电源MOSFET新洁能NCE30P12S，一款卓越的P通道增强模式电源MOSFET，采用前沿的沟槽技术，尽显卓越性能。民信微其低RDS（ON）特性
2023-11-05 09:54:550 型号 AOD425A丝印 VBE2317品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 40A 导通电阻 18mΩ@10V, 25mΩ@4.5V
2023-11-03 14:34:40
型号 FDS4435BZNL丝印 VBA2317品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 7A 导通电阻 23mΩ@10V, 29m
2023-11-03 14:04:50
型号 FDD6637丝印 VBE2309品牌 VBsemi参数说明 MOSFET类型 P沟道 额定电压(VDS) 30V
2023-11-03 11:57:26
AO4409详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 11A 导通电阻 11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V 门源
2023-11-03 11:37:23
MT4606详细参数说明 极性 N+P沟道 额定电压 ±30V 额定电流 9A (N沟道), 6A (P沟道) 导通电阻 15mΩ @ 10V (N沟道), 42mΩ @ 10V (P
2023-11-02 16:15:57
STM4639详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 11A 导通电阻 11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 阈值电压
2023-11-02 09:37:49
型号 AO4425丝印 VBA2311品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 11A 导通电阻 10mΩ @10V, 13mΩ @4.5V
2023-11-01 10:37:54
型号 ME9435丝印 VBA2333品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 6A 导通电阻 40mΩ @10V, 54mΩ @4.5V
2023-10-28 14:24:47
AO3401A详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 5.6A 导通电阻 47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 阈值电压
2023-10-28 11:08:48
30V 可调 支持输出恒压恒流 支持输出12V/2A，5V/2A 高效率：可高达96% 工作频率：140KHz 低待机功耗 内置过温保护 内置软启动 内置输出短路保护应用: 电瓶车定位器、电瓶车控制器、电瓶车USB充电器 POE分离器、平衡车电源供电原理图:
2023-10-25 17:45:15
范围：8V~150V 输出电压从4.2V 到30V 可调 支持输出恒压恒流 支持输出12V/5A，5V/5A 高效率：可高达96% 工作频率：140KHz 低待机功耗 内置过温保护 内置软启动 内置输出短路保护应用：电动车控制器、电动车防盗器、电动车定位器POE分离器、平衡车电源供电、电动车中控
2023-10-17 16:55:42
我们知道，SiC MOSFET现阶段最“头疼”的问题就是栅氧可靠性引发的导通电阻和阈值电压等问题，最近，日本东北大学提出了一项新的外延生长技术，据说可以将栅氧界面的缺陷降低99.5%，沟道电阻可以降低85.71%，整体SiC MOSFET损耗可以降低30%。
2023-10-11 12:26:49611 
1、超级结构 高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压
2023-10-07 09:57:362772 
AOS的 MRigidCSP 技术专为电池管理应用而定制。这项创新技术旨在降低导通电阻，同时增强机械强度。AOS 初提供 MRigidCSP 及其 AOCR33105E，这是一款 12V 共漏极双 N 沟道 MOSFET。
2023-10-04 16:01:0093 
供应AP30H80K 30V 80A N沟道MOS管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供30H80K规格书参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 10:52:000 3.3V信号驱动12V的MOS，用什么电路
2023-09-25 06:06:06
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
12V升30V升压芯片AH1160是一种电子元件，可以将电压从12V升高到30V。此芯片内置了60V NMOS升压型LED驱动器，可以有效地驱动LED灯。该芯片的反馈电流采样电压为250mV，可以用来监测LED驱动器输出电流的值。
2023-09-14 10:27:59509
内置接VIN 脚。
特点
宽输入电压范围：8V~120V
输出电压从4.2V 到30V 可调
支持输出恒压恒流
支持输出12V/1.5A，5V/1.5A
高效率：可高达95%
工作频率：140KHz
2023-09-07 15:32:21
可靠性。
SL3036H 采用ESOP8 封装，散热片内置接VIN 脚。
特点:
宽输入电压范围：8V~120V
输出电压从4.2V 到30V 可调
支持输出恒压恒流
支持输出12V/1.5A
2023-09-06 11:12:47
内置接VIN 脚。
特点
宽输入电压范围：8V~120V
输出电压从4.2V 到30V 可调
支持输出恒压恒流
支持输出12V/1.5A，5V/1.5A
高效率：可高达95%
工作频率：140KHz
2023-09-06 10:25:09
。
SL3038 采用SOP8 封装。
特点：
宽输入电压范围：8V~150V
输出电压从4.2V 到30V 可调
支持输出恒压恒流
支持输出12V/5A，5V/5A
高效率：可高达96%
工作
2023-09-05 09:57:04
10a，正常使用压降到了3.1v。
求教:
电源12v输出充足，能否再外挂一个dc-dc电路从电源取12v电，降压到3.3v再直接并联到电源3.3v？有什么dc-dc方案从12v降到3.3v
2023-08-26 06:45:26
供应AP18P30Q p沟道mos管 30v 20a 丝印:18P30Q，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP18P30Q规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:19:05
供应AP15P03Q PDFN3*3 P沟道-30v -12A vbus开关mos管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP15P03Q规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:13:54
SLH60R028E7是一款600VN沟道多层外延工艺的超结MOS，由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，故在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要
2023-08-18 08:32:56513 
*附件：power1.pdf
遇到一个电源板无法供电故障，此电源电路采用P沟道MOS限流保护设计。正常启动时Q14栅极上电慢，低于源极，MOS管导通，经过后级U9基准和U27运放组成恒压源电路，限制
2023-06-05 22:50:12
AH6901芯片是一款高-效升压芯片，能够将输入5V电压升压至12V电压，被广泛应用于各种电子产品中。该芯片采用了先进的策略控制技术和高压硅管技术，能够保持电路的高-效-性和稳定性。下面让我们看看它
2023-06-02 14:42:00
我正在使用 ESP8266 来控制 12V LED 灯带。
我使用三个引脚来控制 3 个 irlz34n MOSFET，它们调节 LED 条纹的 RGB 相位。ESP8266 和 LED 灯带均由
2023-05-30 11:41:47
我有一个继电器板，我正试图用 sp8266 驱动它。
简短的解释是控制电路的输入电压为 5V，继电器为 12V。
我将 12v 馈入继电器，将 5V 馈入控制电路，同时将相同的电源馈入
2023-05-25 09:03:13
列产品的参考资料，助力您快速了解产品各项信息。 点击下载产品参考资料 与Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻，并且在各种电路中具有更出色的易用性，因而目前在市场上更受欢迎
2023-05-17 13:35:02471 
新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
请问CANbus至RS232协议转换器能够用30V电压的电源吗？
2023-05-09 11:03:26
ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
嗨，
我正在尝试使用 2N7000 晶体管切换一些 12v 设备。整个电路工作正常，但我的 ESP 变得非常热（超过 50 C）。目前我在 GPIO 和 GND 之间只有下拉电阻。但是，我认为热量
2023-04-28 06:59:43
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电阻
2023-04-11 15:29:18
软启动以及过温保护电路，输出短路保护，限流保护等功能，提高系统可靠性。SL3036D 采用ESOP8 封装，散热片内置接VIN 脚。特点 宽输入电压范围：8V~55V 输出电压从4.2V到30V 可调
2023-04-04 15:38:53
中国上海， 2023 年 3 月 30 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代
2023-03-30 13:37:14609 
电子发烧友App
工商网监
评论