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功率晶体管

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功率晶体管技术

同步整流降压转换器损耗的探讨

同步整流降压转换器损耗的探讨

PIC是电源用IC(在这里为功率晶体管外置同步整流降压转换器用控制器IC)的电源电流。基本上是IC本身消耗的电流,是自身消耗电流。

2020-04-02 标签:PIC降压转换器功率晶体管 276 0

关于RS232、TTL电平转换集成电路的简单介绍

关于RS232、TTL电平转换集成电路的简单介绍

许多单片机的应用中都会使用到串行口与电脑的串行口相连接,进行数据的传输或控制命令的发送与接收。单片机的串口有很大一部分是使用电平标准的(PIC的可以直接...

2018-01-24 标签:ttl功率晶体管电平转换电路 12776 0

 检验RF功率晶体管耐用性测试方案

检验RF功率晶体管耐用性测试方案

目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率...

2017-12-08 标签:RF功率晶体管 241 0

EPC增强型GaN-on-Silicon功率晶体管:EPC2045

EPC增强型GaN-on-Silicon功率晶体管:EPC2045

低压氮化镓(GaN)器件市场越来越重要,EPC是低压硅上氮化镓(GaN-on-silicon)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的主要供应商。

2017-10-18 标签:功率晶体管 5591 0

STEVAL-ISA044V5 STEVAL-ISA044V53所述的同步900千赫降压带禁止功能的DC-DC转换器基于所述ST1S10(电源SO-8)

电压范围:2.5 V至18.0 V 最大I OUT :3 A 高内部开关频率: 900千赫兹 具有固定频率PWM工作模式或同步至400千赫和1.2兆赫 禁止销可用 静态电流之间的外部频率:

2020-05-20 标签:STRoHS功率晶体管 45 0

EVL6564H-100W EVL6564H-100W基于所述L6564H 100瓦过渡模式PFC预调节器演示板

压范围:90至265 VAC 最小线频率(f →):47赫兹 稳压输出电压:400伏 额定输出功率:100W 最大2F →输出电压纹波:20 V峰峰值 保持时间:10毫秒(V DROP 后保持时间:300 V) 最小开关频率:40千赫 最低估计效率: 92%(@ V 在 = 90 VAC,P OUT = 100 W) 最高环境温度:50℃ PCB类型和大小:单面为35μm,CEM-1,90×83毫米 此演示板是基于新的过渡模式PFC控制器L6564H和器具100 W,宽范围的电源输入,PFC预调节器适用于镇流器,适配器,平面屏幕显示器,并且所有具有SMPS以满足IEC61000-3-2或JEITA-MITI法规。...

2020-05-20 标签:控制器ST功率晶体管 58 0

STEVAL-ISA165V1 用于与STP120N4F6 LLC谐振转换器SRK2001自适应同步整流控制器

LLC谐振变换器的同步整流器,具有自适应的导通和关断 V CC 范围:4.5 V至32 V 最大频率:500kHz的 对于N沟道MOSFET双栅驱动器(STRD级驱动程序) SR MOSFET类型:STP120N4F6(40 N - 4.3MΩ)TO -220 符合RoHS 在STEVAL-ISA165V1是产品评估电路板,旨在演示SRK2001同步整流控制器的性能。所述SRK2001器具的控制方案特异于在使用的变压器与绕组的全波整流中间抽头次级LLC谐振转换器的次级侧同步整流。它提供了两个高电流栅极驱动输出(用于驱动N沟道功率MOSFET)。每个栅极驱动器被单独地控制和联锁逻辑电路防止两个同步整流器(SR)MOSFET同时导通。装置的操作是基于两者的导通和关断的同步整流MOSFET的自适应算法。在快速的负载转变或上述谐振操作期间,另外的关断机构设置的基础上,比较器ZCD_OFF触发非常快的MOSFET关断栅极驱动电路。该板包括两个SR的MOSFET(在一个TO-220封装),并且可以在一个现有的转换器,作为整流二极管的替代很容易地实现。...

2020-05-20 标签:MOSFETST功率晶体管 63 0

STEVAL-POE006V1 STEVAL-POE006V13.3V / 20A 有源钳位正激转换器 以太网供电(PoE)的IEEE 802.3bt标准的参考设计

805的PoE-PD接口的 特点: 系统在封装中集成一个双活性桥,热插拔MOSFET和PoE的PD 支持传统高功率,4对应用 100伏与0.2Ω总路径电阻N沟道MOSFET,以每个有源桥 标识哪些种PSE(标准或传统)它被连接到,并提供成功的符合IEEE 802.3af / AT / BT分类指示为T0,T1和T2信号的组合(漏极开路) 通过STBY,仿和RAUX控制信号智能操作模式选择的PM8804 PWM控制器的 QFN 56 8x8mm封装43个管脚和6个露出垫 特点: PWM峰值电流模式控制器 输入操作电压高达75伏 内部高电压启动调节器与20毫安能力 可编程固定频率高达1MHz 可设置的时间 软关闭(任选地禁用) 双1A PK ,低侧互补栅极驱动器 GATE2可以被关闭以降低功耗 80 %的最大占空比与内部斜率补偿 QFN 16 3x3mm的封装,带有裸垫 此参考设计表示3.3 V,20 A转换器解决方案非常适合各种应用,包括无线接入点,具有的PoE-PD接口和一个DC-DC有源钳位正激变换器提供。...

2020-05-20 标签:MOSFETST功率晶体管 58 0

STEVAL-ISA101V1 STEVAL-ISA101V12所述的DC降压基于所述L5973D用4 V / 36 V输入电压范围开关稳压器

4 V至36 V Vout的:1.235 V至36 V 输出电流:2所述的DC 内部振荡器的开关频率:250kHz的 短路保护 抑制和热关断 符合RoHS 在STEVAL-ISA101V1演示板是基于L5973D,降压单片开关稳压器,具有2所述的DC(2.5 A开关峰值电流)在输出电压范围的电流能力(1.235 V至36 V)。

2020-05-20 标签:STRoHS功率晶体管 52 0

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功率晶体管资讯

CW4962应用电路图

CW4962应用电路图

一个采用CW4962作高效前置稳压,后级再用低压差线性稳压器作精密线性稳压的电路实例。该电路从后级稳压器输出极稳定的直流电压。

2020-03-26 标签:应用电路功率晶体管 161 0

用于HZZH 98%高效功率模块的Transphorm GaN

用于HZZH 98%高效功率模块的Transphorm GaN

我们在寻找一种功率晶体管,帮助我们为客户开发一种更高效、更具成本效益的解决方案。我们曾考虑碳化硅器件,但在低电压条件下无法达到预期优势。

2020-03-18 标签:功率模块GaN功率晶体管 381 0

IC Insights | 泡沫式增长后,功率晶体管销售额再创新高

IC Insights | 泡沫式增长后,功率晶体管销售额再创新高

根据IC Insights的2019年OSD报告显示,2018年功率晶体管的销售额增长率达到两位数(14%),总额达到创纪录的163亿美元。

2019-05-17 标签:IC功率晶体管 1705 0

2018年功率晶体管销售额再创新高 增长14%

2018年功率晶体管销售额再创新高 增长14%

根据2019年的报告,功率晶体管的销售额增长率达到两位数,再创新高。

2019-05-17 标签:IGBT功率晶体管 1907 0

915MHz高效750W射频功率晶体管可实现更紧凑的功率放大器设计

915MHz高效750W射频功率晶体管可实现更紧凑的功率放大器设计

埃赋隆半导体宣布推出一款高效率750W射频功率晶体管BLF0910H9LS750P。

2019-04-09 标签:射频功率放大器功率晶体管 606 0

EPC发布了新款350V GaN功率晶体管EPC2050

EPC发布了新款350V GaN功率晶体管EPC2050

据麦姆斯咨询报道,Efficient Power Conversion(EPC,美国宜普电源转换公司)发布了新款350V GaN功率晶体管EPC2050...

2018-05-23 标签:epc功率晶体管 3140 0

恩智浦半导体推出业内面向915MHz应用的最高功率晶体管

恩智浦半导体推出业内面向915MHz应用的最高功率晶体管

恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)推出业内面向915MHz应用的最高功率晶体管。MRF13750H晶体管提供750W连续波(...

2018-05-05 标签:恩智浦功率晶体管 971 0

氮化镓功率技术大热,Transphorm创新HEMT结构“剑走偏锋”高压器件

氮化镓功率技术大热,Transphorm创新HEMT结构“剑走偏锋”高压器件

氮化镓技术因其在低功耗、小尺寸等特性设计上的独特优势和成熟规模化的生产能力,近年来在功率器件市场大受欢迎。在前不久举办的EEVIA第五届ICT技术趋势论...

2016-02-24 标签:氮化镓功率晶体管 2610 0

恩智浦推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管

恩智浦推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管

恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克:NXPI)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管,作为特别关注...

2013-06-21 标签:恩智浦LDMOS功率晶体管 916 0

英飞凌40V OptiMOSTM T2功率晶体管荣获OFweek2013年度技术创新奖

英飞凌40V OptiMOSTM T2功率晶体管荣获OFweek2013年度技术创新奖

4月11日下午, OFweek光电新闻网 (以下简称OFweek)和OFweek电子工程网在深圳联合主办了2013电子行业年度评选活动,英飞凌科技公司(...

2013-04-12 标签:英飞凌功率晶体管 544 0

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