0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

GTO、IGBT等电力电子元件关断的时候是不是都要负电压的?

工程师邓生 来源:未知 作者:刘芹 2024-02-20 11:28 次阅读

GTO、IGBT电力电子元件关断的时候是不是都要负电压的?

GTO和IGBT是两种常见的电力电子元件,它们在关断过程中确实需要负电压。

首先,让我们了解一下GTO和IGBT的工作原理

GTO是一种四层PNPN结构的功率晶体管,由一个P型注入器和一个底部的N型基极、一个中间的P型区域以及顶部的N型栅极组成。在正向偏置的情况下,当栅极电压高于一定阈值时,GTO处于开启状态,电流可以通过它流动。当我们需要关闭GTO时,我们需要对其施加负的栅极电压。在这种情况下,栅极区域的电荷被扩散到基极和底部,从而将PNPN结构导致的电流流过其中的绝缘层而抑制。

而IGBT是一种三层结构的功率晶体管,由一个N型注入器和底部的P型区域以及一个顶部的N型栅极组成。在正向偏置的情况下,当栅极电压高于一定阈值时,电流可以通过IGBT流动。与GTO一样,当我们需要关闭IGBT时,我们也需要对其施加负的栅极电压。在这种情况下,负栅极电压会将栅极区域的电荷扩散到基极和底部,从而抑制导致电流流动的NPN结构。

现在让我们深入研究为什么GTO和IGBT在关断时需要负电压。

当GTO或IGBT处于导通状态时,其分别形成了PNPN和NPN的结构。为了将其关闭,我们需要抑制这些结构导致的电流。由于这些结构的原因,仅仅通过将栅极电压降至0V是不够的,这可能只会导致元件处于边沿导通状态,电流仍然继续流动。因此,我们需要施加负的栅极电压,以充分扩散栅极区域的电荷,阻止从电源到负载的电流流动。

负电压的施加可以通过引入关断电路或使用负电源来实现。关断电路通常由电容和电感组成,通过控制其放电过程来产生负电压。当控制信号发生变化时,关断电路将产生负电压,进而实现GTO或IGBT的关断。

此外,在电力电子应用中的某些情况下,如直流电源或直流电机的反馈能量的方向发生变化时,也会产生负电压。这样的情况下,负电压将自动形成,以达到关断GTO或IGBT的目的。

总结起来,GTO和IGBT在关断时确实需要负电压。由于其结构的特殊性,仅仅降低栅极电压至0V是不够的,因此需要施加负的电压来充分扩散栅极区域的电荷,以阻止电流流动。负电压可以通过关断电路或电源极性的改变来产生。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 负电压
    +关注

    关注

    3

    文章

    90

    浏览量

    18791
  • IGBT
    +关注

    关注

    1237

    文章

    3519

    浏览量

    243484
  • 功率晶体管
    +关注

    关注

    3

    文章

    642

    浏览量

    17385
  • GTO
    GTO
    +关注

    关注

    0

    文章

    23

    浏览量

    7343
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    ESD对电子元件的影响 如何选择ESD保护元件

    的现象。静电放电对电子元件有很大的影响,它可能导致瞬态电压过高,从而破坏或损坏元件。因此,在设计电子设备时,需要选择适当的ESD保护元件来防
    的头像 发表于 03-07 15:48 184次阅读

    IGBT的开通关断时间一般从哪些方面考虑?

    常见的逆变电路的元件主要分为分立器件的IGBT和集成的IGBT模块,这些又分为不同电压等级和电流大小,那么IGBT的开通时间和
    发表于 02-25 11:06

    GTO与普通晶闸管相比为什么可以自关断?为什么普通晶闸管不能呢?

    什么GTO可以自关断,我们先来了解一下普通晶闸管的工作原理。 晶闸管是一种双向导电元件,它有一个主导电区和两个触发电极。当触发电极施加一个足够的触发电压时,晶闸管进入导通态。一旦晶闸管
    的头像 发表于 02-03 16:15 906次阅读

    gto和普通晶闸管在关断原理上有什么区别?

    gto和普通晶闸管在关断原理上有什么区别? GTO和普通晶闸管是两种常见的功率半导体器件。虽然它们在一些方面有共同之处,但在关断原理和工作方式上存在一些区别。下面将详细介绍这两种器件的
    的头像 发表于 02-03 16:14 666次阅读

    门极可关断晶闸管(GTO) 和可控硅 (SCR) 的区别浅析

    可控硅(SCR)和门极可关断晶闸管(GTO)都是大功率半导体开关器件,广泛应用于电力控制和电力转换领域。
    的头像 发表于 02-01 15:14 3163次阅读
    门极可<b class='flag-5'>关断</b>晶闸管(<b class='flag-5'>GTO</b>) 和可控硅 (SCR) 的区别浅析

    电子元件与材料影响因子的关系

    电子元件与材料的影响因子之间存在密切的关系。在电子工程领域中,选择合适的材料对电子元件的性能和可靠性有着重要影响。本文将探讨电子元件与材料影响因子之间的关系。 首先,
    的头像 发表于 01-23 14:25 266次阅读

    电子元件的寿命期是多久

    电子元件的寿命取决于多个因素,包括元件的类型、工作条件、质量和使用环境等。以下是一些常见电子元件的寿命范围。
    的头像 发表于 10-27 11:20 1553次阅读

    基础电子元件有哪些?

    在深入电子电路研究之前,我们必须先熟悉基础电子元件电子元件作为电子信息时代的基础,包括电阻、电容、晶体管、开关和二极管等。下面简要介绍一些最常用的基本
    的头像 发表于 10-27 11:14 1481次阅读
    基础<b class='flag-5'>电子元件</b>有哪些?

    浮思特| 如何安全运输电子元件

    电子元件在运输和储存时需要妥善包装,以防止产品损坏和丢失,因此了解如何安全运输电子元件是很有必要的。 通过质量检验后,电子元件需要妥善包装以便运输和储存,防止产品损坏和丢失。 超过最小包装数量
    的头像 发表于 10-25 16:09 769次阅读
    浮思特| 如何安全运输<b class='flag-5'>电子元件</b>?

    igbt怎样导通和关断igbt的导通和关断条件

    、N型漏源和门极组成。因其高电压和高电流开关能力,广泛应用于电力和电能控制器的控制中。 IGBT的导通和关断是通过控制门极电压来实现的。下文
    的头像 发表于 10-19 17:08 1w次阅读

    GTO、GTR、MOSFET和IGBT四种晶体管有何优点和缺点?

    GTO、GTR、MOSFET和IGBT四种晶体管有何优点和缺点? GTO、GTR、MOSFET和IGBT常被用于功率电子器件中,各有强项和弱
    的头像 发表于 10-19 17:01 7263次阅读

    GTO与晶闸管的开通与关断有什么不同之处

    GTO与晶闸管的开通与关断有什么不同之处  GTO(Gate Turn-Off Thyristor)和晶闸管(Thyristor)是两种电力电子
    的头像 发表于 09-13 17:08 2015次阅读

    米勒电容对IGBT关断时间的影响

    米勒电容对IGBT关断时间的影响  IGBT,即绝缘栅双极性晶体管,是一种高效、高稳定性的半导体器件。它是一种功率开关元件,能够控制大电流和高电压
    的头像 发表于 09-05 17:29 1494次阅读

    你知道通过PWM波也能输出负电压吗?

    我们应该知道,有一种开关电源是通过PWM波来实现的,但你知道通过PWM波也能输出负电压吗? 负电压的产生电路图原理 在电子电路中我们常常需要使用负电压,比如我们在使用运放的
    的头像 发表于 08-25 10:42 1566次阅读
    你知道通过PWM波也能输出<b class='flag-5'>负电压</b>吗?

    什么是负电压负电压是如何产生的?

    负电压的概念有时不如正电压的概念直观,也许这是因为许多低压电子系统不使用负电压电源缘故,或者是因为“负”电压意味着电源具有“小于零”的能力来
    的头像 发表于 08-14 10:12 1776次阅读
    什么是<b class='flag-5'>负电压</b>?<b class='flag-5'>负电压</b>是如何产生的?