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Microsemi PolarFire FPGA视频与成像套件在贸泽开售

2019年11月08日 11:23 次阅读

2019年11月8日 – 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics)即日起开始备货Microchip Technology全资子公司Microsemi推出的PolarFire™ FPGA视频和成像套件。套件集成了非易失性PolarFire 现场可编程门阵列 (FPGA),功耗比其他SRAM FPGA降低50%,性能优异,能够通过双摄像头传感器对4K图形处理和显色性能进行评估。

Microsemi PolarFire FPGA视频与成像套件在贸泽开售

Microsemi PolarFire FPGA视频和成像套件配备带有板载PolarFire FPGA的PolarFire视频与成像板以及一个双摄像头传感器板。板载FPGA具有300K个逻辑单元、4GB DDR4和1GB闪存。此套件拥有丰富的接口和IP,包括双向MIPIHDMIDSISDI,非常适合中频 (4K/2K) 成像和视频应用。

本套件配备完整的生态系统,包括全面的应用特定硬件、针对图形处理优化的知识产权套件、示例参考设计、演示设计和配套器件,为设计人员提供基于PolarFire FPGA实现4K分辨率所需的硬件和软件。

本套件还附带一年期的Libero Gold软件许可,其中包含Libero SoC PolarFire设计套件。该设计套件是一套功能齐备且易学易用的开发工具,整合了符合业界标准的Synopsys Synplify Pro®合成器与Mentor Graphics ModelSim®仿真工具,提供出色的约束条件管理与SmartDebug独有的调试功能。

PolarFire FPGA视频与成像套件可用于开发各种应用,如无人机、机器人、机器视觉、热成像、游戏、视频监控、先进驾驶辅助系统 (ADAS)、机器学习和人机界面 (HMI) 等。

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信息 这种增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 免于二次故障 低功率驱动要求 ;易于并联 低CISS和快速切换速度 卓越的热稳定性 整体源 - 排水二极管 高输入阻抗和高增益 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:12 2次阅读
VP2106 MOSFET,P-CHANNEL ...

VP0808 MOSFET,P-CHANNEL ...

信息 这种增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 免于二次故障 低功率驱动要求 ;易于并联 低CISS和快速切换速度 卓越的热稳定性 整体源 - 排水二极管 高输入阻抗和高增益 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:12 12次阅读
VP0808 MOSFET,P-CHANNEL ...

VP0550 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 免于二次故障 低功率驱动要求 ;易于并联 低CISS和快速切换速度 卓越的热稳定性 整体源 - 排水二极管 高输入阻抗和高增益 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:11 10次阅读
VP0550 MOSFET,P-CHANNEL增...

VP0106 MOSFET,P-CHANNEL ...

信息 这种增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 免于二次故障 低功率驱动要求 ;易于并联 低CISS和快速切换速度 卓越的热稳定性 整体源 - 排水二极管 高输入阻抗和高增益 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:11 7次阅读
VP0106 MOSFET,P-CHANNEL ...

VP0109 MOSFET,P-CHANNEL ...

信息 这种增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 免于二次故障 低功率驱动要求 ;易于并联 低CISS和快速切换速度 卓越的热稳定性 整体源 - 排水二极管 高输入阻抗和高增益 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:11 6次阅读
VP0109 MOSFET,P-CHANNEL ...

VP0104 MOSFET,P-CHANNEL ...

信息 这种增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;免于二次故障 低功率驱动要求 易于并联 低连续供电和快速切换速度 出色的热稳定性 整体式源极 - 漏极二极管 高输入阻抗和高增益 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:11 8次阅读
VP0104 MOSFET,P-CHANNEL ...

TP5322 MOSFET,P-CHANNEL ...

信息 TP5322是一款低阈值增强型(常关)晶体管,采用先进的垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速的各种开关和放大应用需要切换速度。 高输入阻抗 低阈值(最高-2.4V) 低输入电容(最大110pF) 快速切换速度 低导通电阻 低输入和输出泄漏 免于二次故障 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:04 4次阅读
TP5322 MOSFET,P-CHANNEL ...

TP2640 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.0V) 高阻抗 低输入电容 快速切换速度 低导通电阻 免于中学故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:04 8次阅读
TP2640 MOSFET,P-CHANNEL增...

TP2540 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值为60pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:04 5次阅读
TP2540 MOSFET,P-CHANNEL增...

TP5335 MOSFET,P-CHANNEL ...

信息 TP5335是一款低阈值增强型(常关)晶体管,采用先进的垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速的各种开关和放大应用需要切换速度。 高输入阻抗和高增益 低功率驱动器要求 Ease of并联 低连续供电和快速切换速度 出色的热稳定性 整体式源极 - 漏极二极管 免于二次故障 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:04 15次阅读
TP5335 MOSFET,P-CHANNEL ...

TP2535 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值为60pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:04 9次阅读
TP2535 MOSFET,P-CHANNEL增...

TP2635 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.0V) 高阻抗 低输入电容 快速切换速度 低导通电阻 免于中学故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:04 10次阅读
TP2635 MOSFET,P-CHANNEL增...

TP2520 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:03 13次阅读
TP2520 MOSFET,P-CHANNEL增...

TP2522 MOSFET,P-CHANNEL ...

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:03 20次阅读
TP2522 MOSFET,P-CHANNEL ...

TP2424 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值 高输入阻抗 低输入电容 快速切换速度 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:03 18次阅读
TP2424 MOSFET,P-CHANNEL增...

TP2510 MOSFET,P-CHANNEL ...

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:03 12次阅读
TP2510 MOSFET,P-CHANNEL ...

TP2104 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 高输入阻抗和高增益 低功率驱动要求 &nbsp ; 易于并联 低CISS和快速切换速度 卓越的热稳定性 整体来源 - 二极管 免于二次故障 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:03 31次阅读
TP2104 MOSFET,P-CHANNEL增...

TP2435 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值 高输入阻抗 低输入电容 快速切换速度 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:03 48次阅读
TP2435 MOSFET,P-CHANNEL增...

TP0620 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值为85pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:03 44次阅读
TP0620 MOSFET,P-CHANNEL增...

TP2502 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种低阈值增强模式(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于需要极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。 ;低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(最大125pF) &nbsp ; 快速切换速度 低导通电阻 免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:03 39次阅读
TP2502 MOSFET,P-CHANNEL增...

TP0604 MOSFET,P-CHANNEL增...

信息 这种低阈值,增强型(常关)晶体管采用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。该器件具有所有MOS结构的特性,不受热失控和热致二次击穿的影响。垂直DMOS FET非常适用于极低阈值电压,高击穿电压,高输入阻抗,低电压的各种开关和放大应用需要输入电容和快速切换速度。 低阈值(最高-2.4V) 高阻抗 低输入电容(典型值95pF) 快速切换速度 低导通电阻 ;免于二次故障 低输入和输出泄漏 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:03 112次阅读
TP0604 MOSFET,P-CHANNEL增...

TC1321 TC1321是一个可串行访问的10...

信息 TC1321是一个可串行访问的10位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围从地到外部提供的参考电压。它采用2.7V至5.5V的单电源供电,非常适合各种应用。内置于器件中的是上电复位功能,可确保器件在已知条件下启动。与TC1321的通信通过简单的2线SMBus / I2C™兼容串行端口实现,TC1321仅作为从机设备。主机可以使能CONFIG寄存器中的SHDN位来激活低功耗待机模式。 10位数模转换器 2.7 -5.5V单电源供电。 简单SMBus / I 2 C串行接口 低功耗 - 0.35mA工作,0.5μA关断。< / p> Monotonicity Ensured。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:02 74次阅读
TC1321 TC1321是一个可串行访问的10...

TC1320 TC1320是一个串行可访问的8位...

信息 TC1320是一个串行可访问的8位电压输出数模转换器(DAC)。 DAC产生的输出电压范围从地到外部提供的参考电压。它采用2.7V至5.5V的单电源供电,非常适合各种应用。内置于器件中的是上电复位功能,可确保器件在已知条件下启动。通过简单的2线SMBus / I2C™兼容串行端口与TC1320进行通信,TC1320仅作为从机设备。主机可以使能CONFIG寄存器中的SHDN位来激活低功耗待机模式。 8位数模转换器 2.7 -5.5V单电源供电 简单SMBus / I 2 C串行接口 低功耗 - 0.35mA工作,0.5μA关断 8引脚SOIC和8引脚MSOP封装 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 20:02 64次阅读
TC1320 TC1320是一个串行可访问的8位...

TC7650 TC7650 CMOS斩波稳定运算...

信息 TC7650 CMOS斩波稳定运算放大器实际上消除了系统误差计算中的偏移电压误差项。例如,5uV最大VOS规格比行业标准OP07E提高了15倍。 50 nV /°C偏移漂移规格比OP07E低25倍以上。性能的提高消除了VOS修整程序,周期性电位器调整以及修剪器损坏引起的可靠性问题。无需额外的制造复杂性和激光或“齐纳击穿”VOS微调技术所带来的成本,即可实现TC7650的性能优势。 TC7650归零方案通过温度校正DC VOS误差和VOS漂移误差。归零放大器交替校正其自身的VOS误差和主放大器VOS误差。失调归零电压存储在两个用户提供的外部电容上。电容连接到内部放大器VOS零点。主放大器输入信号从不切换。 TC7650输出端不存在开关尖峰。 14引脚双列直插式封装(DIP)具有外部振荡器输入,用于驱动归零电路以获得最佳噪声性能。 8引脚和14引脚DIP均具有输出电压钳位电路,可最大限度地减少过载恢复时间。 低偏移和偏移漂移的零漂移架构 ;低偏移,5uV(最大) 低偏移漂移,50nV /°C 宽工作电压范围,4.5V至16V 单一和拆分供应 No 1 / f Noise 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 19:07 70次阅读
TC7650 TC7650 CMOS斩波稳定运算...

TC7652 400 kHz,单零漂移运算放大器

信息 TC7652是TC7650的低噪声版本,牺牲了一些输入规格(偏置电流和带宽)以实现噪声降低10倍。存在斩波技术的所有其他益处,即,不受外部调整部件的偏移调整,漂移和可靠性问题的影响。与TC7650一样,TC7652仅需要两个非关键的外部电容来存储斩波的零电位。没有明显的斩波峰值,内部影响或超量程锁定问题。 漂移操作电压:5到16 单一和分离供应 低噪音 电路图、引脚图和封装图...
发表于 2019-04-18 19:07 73次阅读
TC7652 400 kHz,单零漂移运算放大器