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电子发烧友网>今日头条>一文详解GaN氮化镓电源技术

一文详解GaN氮化镓电源技术

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什么是氮化功率芯片?

通过SMT封装,GaNFast™ 氮化功率芯片实现氮化器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
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为什么氮化比硅更好?

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氮化: 历史与未来

(86) ,因此在正常体温下,它会在人的手中融化。 又过了65年,氮化首次被人工合成。直到20世纪60年代,制造氮化单晶薄膜的技术才得以出现。作为种化合物,氮化的熔点超过1600℃,比硅高
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为什么氮化(GaN)很重要?

氮化(GaN)的重要性日益凸显,增加。因为它与传统的硅技术相比,不仅性能优异,应用范围广泛,而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在些研发和应用中,传统硅器件在能量转换方面,已经达到了它的物理
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什么是氮化GaN)?

的 3 倍多,所以说氮化拥有宽禁带特性(WBG)。 禁带宽度决定了种材料所能承受的电场。氮化比传统硅材料更大的禁带宽度,使它具有非常细窄的耗尽区,从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。由于氮化
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氮化功率芯片如何在高频下实现更高的效率?

氮化为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷(低电容)、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件,以及分立氮化的典型开关频率(65kHz)相比,集成式氮化器件提升到的 200kHz。 氮化电源 IC 在
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氮化功率芯片的优势

更小:GaNFast™ 功率芯片,可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度,其尺寸和重量只有前者的半,并且在能量节约方面,它最高能节约 40% 的能量。 更快:氮化电源 IC 的集成设计使其非常
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谁发明了氮化功率芯片?

,是氮化功率芯片发展的关键人物。 首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中,长期担任副总裁及更高级别的管理职位,并领导研发工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化GaN)功率芯片方面
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什么是氮化功率芯片?

氮化(GaN)功率芯片,将多种电力电子器件整合到氮化芯片上,能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化功率芯片,能令先进的电源转换拓扑结构,从学术概念和理论达到
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iCoupler技术为AC/DC设计中的氮化镓(GaN)晶体管带来诸多优势

大规模数据中心、企业服务器或电信交换站使得功耗快速增长,因此高效AC/DC电源对于电信和数据通信基础设施的发展至关重要。但是,电力电子行业中的硅MOSFET已达到其理论极限。同时,近来氮化镓(GaN
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2023-06-12 10:17:171813

茂睿芯推出全新一代氮化技术LD-GaN

氮化镓(GaN)作为第三代半导体器件,凭借其优异的性能,在PD快充领域被广泛使用。
2023-06-02 16:41:13330

氮化GaN驱动器PCB设计必须掌握的要点

NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器,能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓(以下简称“GaN”)功率开关。之前我们简单介绍过[氮化GaN驱动器的PCB设计
2023-05-17 10:19:13832

什么是氮化镓半导体?GaN如何改造5G网络?

GaN 通过实现更快的数据传输速度和更高的效率,在 5G 技术的发展中发挥着至关重要的作用。GaN 更宽的带隙使其能够处理高频信号,使其成为 5G 基站和其他通信基础设施的理想选择。
2023-05-15 16:39:09353

氮化镓(GaN)的晶体结构与性质

到目前为止我们已知的GaN有三种晶体结构,它们分别为纤锌矿(Wurtzite)、闪锌矿(Zincblende)和岩盐矿(Rocksalt)。通常的情况下纤锌矿是最稳定的结构。目前学术上在薄膜的外延
2023-04-29 16:41:0012094

什么是GaN氮化镓?Si、GaN、SiC应用对比

由于 GaN 具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势,GaN 充电器的运行速度,比传统硅器件要快 100 倍。GaN 在电力电子领域主要优势在于高效率、低损耗与高频率,GaN 材料的这一特性令其在充电器行业大放异彩。
2023-04-25 15:08:212335

65W氮化镓(GaN)充电头PD快充方案

65W快充是目前快充市场出货的主流规格;氮化镓具有高可靠性,能够承受短时间过压;将GaN用于充电器的整流管后,能降低开关损耗和驱动损耗,提升开关频率,附带地降低废热的产生,进而减小元器件的体积同时能提高效率。
2023-04-20 09:40:201226

氮化镓 (GaN) 带来电源管理变革的 3 大原因

氮化镓正取代硅,越来越多地用于需要更大功率密度和更高能效的应用中   作为提供不间断连接的关键,许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。   氮化技术,通常称为 GaN,是一种
2023-04-19 17:23:01934

氮化镓 (GaN) 带来电源管理变革的 3 大原因

来源:德州仪器 氮化镓正取代硅,越来越多地用于需要更大功率密度和更高能效的应用中 作为提供不间断连接的关键,许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。 氮化技术,通常称为 GaN
2023-04-19 16:30:00224

氮化的好处#硬声创作季 #pcb设计 #电路设计 #电子制作 #产品方案 #机器人

氮化
深圳爱美雅电子有限公司发布于 2023-04-17 14:41:27

65W氮化快充方案 #从入门到精通,起讲透元器件! #硬声创作季

氮化快充
深圳爱美雅电子有限公司发布于 2023-04-11 16:36:50

65W-1A2C接口氮化镓(GaN)PD快充电源方案

1A2C-65W氮化镓(GaN)快充方案,快充方案支持90~264V宽输入电压,输出支持5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3.25A,内置MGZ31N65-650V氮化镓开关管;采用PD3.0协议IC。
2023-04-07 09:37:16570

几个氮化GaN驱动器PCB设计必须掌握的要点

NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器,能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓(以下简称“GaN”)功率开关。之前我们简单介绍过氮化GaN驱动器的PCB设计
2023-04-03 11:12:17553

SW1106集成氮化直驱的高频准谐振模式反激控制器

应对不同的应用场景。2. 应用领域 适配器 充电器 AC-DC 开关电源特性 集成氮化直接驱动(6V DRV) 集成高压启动(700V) 集成高压 BROWN-IN &amp
2023-03-28 10:31:57

集成氮化直驱的高频准谐振模式反激控制器

灵活应对不同的应用场景。2. 应用领域 适配器 充电器 AC-DC 开关电源. 特性 集成氮化直接驱动(6V DRV) 集成高压启动(700V) 集成高压 BROWN-IN &
2023-03-28 10:24:46

几个氮化GaN驱动器PCB设计必须掌握的要点

NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器,能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓(以下简称“GaN”)功率开关。之前我们简单介绍过氮化GaN驱动器的PCB设计
2023-03-27 09:42:371332

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