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Micro-LED巨量转移技术的详细介绍

2021年06月10日 16:13 次阅读

目前, Micro-LED的显示技术在制造上面临两个主要的技术挑战:一个是全彩显示(Full-color display),另外一个为巨量转移(Mass transfer)。本周“涨知识啦”给大家介绍的就是其中的巨量转移技术,它是Micro-LED显示技术中不可或缺的一个重要环节。

巨量转移又称薄膜转移,就是将Micro-LED器件转移到具有特定的驱动基板上,并组装成二维周期阵列。

通常500 PPI(Pixels Per Inch)的手机屏幕需要将近800万个像素颗粒,因此Micro-LED的显示技术中转移的像素点非常庞大,且转移过程可允许的误差又极小,所以转移精度需要严格控制。此外,为了抑制单个像素之间的光串扰,实现高质量的成像效果,需要尽量减薄衬底甚至剥离衬底,这也为巨量转移方案进一步增加了难度。如今基于Micro-LED的显示市场迫切需要一种成本低且效率高的巨量转移技术。

按照转移特性,可以将巨量转移技术分为物理转移和化学转移。

目前已经涌现出一大批有代表性的巨量转移技术,如弹性体冲压、静电转移、电磁转移、激光辅助转移和流体自组装等。但这些技术总的来说都存在两个问题:费时和成本高,以至于迄今为止尚未有一项技术能够在各项指标上得到业界的广泛接受。尽管如此,巨量转移技术依然处于Micro-LED显示器发展的枢纽地位,是Micro-LED显示器技术中的最关键技术之一,然而巨量转移技术的局限性致使Micro-LED的大规模量产及商业化仍需要相当长的一段时间。

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