乾照光电推动Mini/Micro LED技术的应用和发展

凭借自发光、高效率、低功耗、高集成、高稳定性、全天候工作的优点，Micro LED被认为极有可能成为具有颠覆性和变革性的下一代主流显示技术，吸引产业链多家企业技术“押注”。

芯片作为Micro LED产业化的关键节点，掌握了Micro LED发展的重要命脉。

“乾照光电作为LED芯片龙头厂商之一，已在Micro LED赛道布局多年。但是，当前的诸多技术问题还是制约了Micro LED的发展速度。”乾照光电董事长金章育在2023年高工LED年会上表示。

目前，国际国内各大终端都十分看好micro LED技术，其应用领域可以涵盖包括头戴AR/VR微显示、手表、车载、PID/电视等大屏幕显示等诸多领域，国内电视龙头海信视像也布局此赛道，在今年实现了对乾照光电的控股。

乾照光电与海信视像的之间强强联合，正以“需求”为落脚点加速攻破相关技术瓶颈。

事实上，早在2020年，乾照光电就成立研究院，旨在开发Mini/Micro LED的相关技术，推动Mini/Micro LED技术的应用和发展，并联合产业界上下游布局Mini/Micro LED技术的触角和抓手，为客户提供Mini/Micro LED解决方案，也作为与客户协同开发相关技术的平台和窗口。

发展至今，研究院研发设备投入总计约1亿元，投建百级试产线，研发人员超50+，汇集海外&台湾专家以及业内10年以上经验者。

据金章育介绍，目前制约Micro LED技术大规模应用的主要技术挑战主要有Micro LED的光效挑战、高均匀性和高良率困难、巨量转移良率低成本高、LED适用电流与玻璃基TFT不匹配等四点。

相对来讲，上述一、四点是制约手表应用快速发展的关键瓶颈，而一、二、三点则是制约电视等大尺寸应用发展的技术瓶颈。所以，一旦企业的研发成果能够解决这些问题，包括手表和电视等应用产品将快速落地开花。

针对以上问题，乾照光电研究院开展了相关研究。

在高光效外延芯片技术方面，研究缓冲层生长技术提升晶体质量、研究有源层能带工程技术，提升辐射复合效率、研究薄型高反射率DBR工艺和侧壁修复工艺提升芯片光效；

在巨量转移技术方面，研究临时键合工艺和材料，开发高良率FCOC技术，以及高良率、高精度、高速度的激光排列技术、研究不同键合材料体系，开发基于激光的巨量键合技术；

在高良率高精度芯片制程技术方面，进行亚微米级精度芯片制程开发、研究99.99%以上良率所需的外延芯片制程工艺及设备要求，达成良率目标；

在微显示技术方面，先进行Wafer to wafer的晶圆级键合，再进行半导体制程路线、先制作芯片，再进行Chip to wafer的芯片对位键合的制程路线；

在检测和修复技术方面，PL+AOI检测仍旧是目前较通用的方式，COC/COG的修复技术开发中。

同时还开发单芯片全彩技术以及模组制备技术，其中单芯片全彩技术能够通过将RGB三色芯片封装到一个chiplet中，实现点测分选，降低巨量转移的良率要求，有效解决行业难题，加速Micro LED技术的落地。

据了解，目前乾照光电在Micro LED相关专利布局100余项，并在2023下半年建成中试线，将引导Micro LED产业化发展。

审核编辑：汤梓红