功率器件
电子发烧友网功率器件栏目提供电源设计中所需的功率器件最新应用技术和方法以及电源设计相关内容，是电源工程师喜欢的网站。
SiC MOSFET的实时结温监控电路测量方案
本文介绍了一种新颖的测量电路，以测量用于测量SiC MOSFET的实时或实际结温。可以看出，出于订购和处理数据或电流传感器的目的，不需要本质上复杂的任何算法。...
2021-04-23 4717
SiC对电力电子的挑战 碳化硅组件的制造过程
由于SiC具有高导热性，因此它比其他半导体材料更快地散发热量。因此，SiC器件可以在极高的功率水平下运行，并且仍然可以散发器件产生的大量多余热量。...
2021-05-13 2386
如何使用晶体管作为开关的方案
使用晶体管来接通和关断电源是正确黑客行为的关键特征。双极晶体管开启和关闭事物的能力是鲜为人知的用途之一，而晶体管却有多种用途。典型示例是使用计算机的并行端口打开某些外部设...
2021-05-15 4289
基于有限状态机（FSM）的SiC MOSFET开关瞬态建模分析模型
作者：Maurizio Di Paolo Emilio 在航空，舰船系统和电动汽车领域已经发现，[1] [2] [3]最好的解决方案之一是碳化硅（SiC）MOSFET，因为它具有高频HF和高功率。 -其转换器的密度。与基于硅Si的IGBT相比...
2021-05-18 2723
SiC MOSFET的短路测试下的引线键合应力分析
除了提供紧凑，高效的解决方案外，WBG材料还必须在异常或关键工作条件（例如短路和极端温度操作）的情况下满足安全要求。...
2021-05-18 1570
基于SiC FET图腾柱PFC级的能效方案
SiC FET由UnitedSiC率先制造，现已推出第四代产品。第四代产品改进了单元密度以降低单位面积的导通电阻（RDS.A），运用银烧结粘接和晶圆减薄技术改进了热设计，从而尽量减小了到基片的热阻。...
2021-05-19 3263
功率转换器中CoolSiC™MOSFET技术解析
功率转换器中越来越多地使用碳化硅（SiC）晶体管，这对尺寸，重量和/或效率提出了很高的要求。与双极IGBT器件相反，SiC出色的材料性能使它可以设计快速开关的单极器件。因此，现在仅在低...
2021-05-20 2224
如何选择Mosfet驱动程序进行运动控制
要了解驱动栅极所需的条件，您需要知道MOSFET的开关速度。您必须在低开关损耗（需要快速的上升和下降时间）和低EMI（需要缓慢的上升和下降时间）之间进行设计权衡。...
2021-05-19 1196
基于功率MOSFET的H桥PWM DC电机驱动器
H桥（全桥）驱动器在驱动有刷直流电机等负载方面非常流行，并且已广泛用于机器人技术和工业中。使用H桥驱动器的主要优点是效率高，旋转方向变化和制动电动机。...
2021-05-20 7120
FluxLink 耦合技术：高压隔离的保障
在汽车中一定要有应急电源，为什么应急电源如此重要？设想一下，如果你正在高速公路上驾车行驶上，不巧遇到紧急情况需要刹车，这时候电源电压不足，事故在所难免，而如果有应急电源，...
2021-05-20 2950
用于放大小信号或切换较小电流的低功率器件
采用TO-92封装的设备不能散发很多功率，因此，当我说“更大”时，我指的是物理上较大的封装，它们可以更容易地散热（即，较低的热阻） 。...
2021-05-20 1881
关于BiMOSFET直流电性能及其开关应用
在本应用笔记中，我们将讨论为高压和高频应用开发的BiMOSFET。我们还将讨论其直流电性能及其开关应用。 在IXBH40N160中，IXYS通过引入集电极短路器开发了一种极快，均匀的基极IGBT。由于这种修...
2021-05-20 1376
关于确保电涌事件不会超过ESD保护电路的额定功率
如果输入信号的平均值等于零电压，则放大器通常具有更好的噪声抑制规格。同样，将噪声信号的平均值偏置到零伏可以减少音频放大器中的嗡嗡声。...
2021-05-21 1257
基于GaN晶体管的500W电机驱动方案 GaN和汽车究竟是什么关系
电机是全球耗电大户，尽管电压很高，硅仍然是主流。不过，GaN 和 SiC 都在向高效率变频驱动的电机驱动系统进军。但这个市场非常保守，适应新技术的速度很慢，到 2025 年将有 10%到 15%的替代...
2021-05-21 4044
关于MOSFET漏极驱动的ZCD（零电流检测）引脚
本应用笔记介绍了从MOSFET漏极驱动的ZCD（零电流检测）引脚。该文档描述了标准的ZCD配置及其替代和电阻器配置。 CS1601采用ZCD（零电流检测）设计，当流过升压电感器的电流接近零时，该控制...
2021-05-21 5664
如何复制下一代栅极驱动光电耦合器的改进，以驱动和保护SiC MOSFET
为了匹配CREE SiC MOSFET的低开关损耗，栅极驱动器必须能够以快速压摆率提供高输出电流和电压，以克服SiC MOSFET的栅极电容。...
2021-05-24 2459
800V功率模块如何选择IGBT或SiC器件？
我之前一直以为 Taycan 用的是 Delphi 的 SiC 的器件，但是根据目前日立所 AMS 披露的，包括 Taycan 里面维修手册所描述的情况来看，情况并不是这样。...
2021-05-24 4073
一文解析功率MOSFET的驱动电感性负载
本应用笔记介绍了采用表面贴装封装设计LITTLEFOOT®功率MOSFET的过程。它描述了功率MOSFET的驱动电感性负载，公共栅极驱动器以及磁盘驱动器应用以及公共栅极级的驱动电容性负载。 Vishay Silico...
2021-05-25 5340
氮化镓和Sslicon在各种性能指标上的比较
硅制造技术已经足够成熟，可以大规模生产直径达18英寸的晶片，而GaN晶片仍在6英寸的晶片上制造。GaN制造的基底选择范围从硅或蓝宝石基底（便宜但较大的晶格失配和非常大的热膨胀系数）到...
2021-05-26 1371
浅谈汽车级光伏驱动器和分立MOSFET
工程师已经研究和开发了可以代替机械继电器的固态继电器设备。与机械继电器相比，这些固态继电器具有更高的可靠性，更快的切换时间，没有切换弹跳以及更小的尺寸。但是随着这些优点的...
2021-05-25 1569
栅极驱动设计中的关键控制及400W CCM PFC中的效率比较
基于电荷平衡技术的超级结MOSFET在降低导通电阻和寄生电容方面提供了出色的性能，这通常需要权衡取舍。...
2021-05-25 2016
关于使用驱动器本身及其输入电路的应用分析
本文档彻底讨论了随机相交三端双向可控硅驱动器及其最常见的应用。将从三端双向可控硅开关驱动器的基本电气描述开始。接下来是关于使用驱动器本身及其输入电路的讨论。最后一部分将是...
2021-05-25 2259
IXYS功率MOSFET数据表中使用的参数定义
本应用笔记介绍了IXYS功率MOSFET数据表中使用的参数定义。本文档介绍了基本额定值和特性，例如温度，能量，机械数据以及电流和电压额定值。它还简要介绍了数据手册中包含的图形以及功率...
2021-05-26 1565
浅谈激光二极管和激光驱动器的特性
以高信息速率将激光驱动器电路与可工业访问的激光二极管接口连接可能会造成混乱和困惑。本应用笔记旨在快速解决这一主题，目的是为光学系统爱好者提供有用的参考，这将使此过程更容易...
2021-05-27 3610
基于GaN芯片的电源转换方案设计
作者：Alex Lidow，Michael de Rooij，Andreas Reiter 氮化镓（GaN）功率器件已投入生产10多年，除了性能和成本方面的改进外，GaN技术具有将多个器件集成在同一衬底上的本征特性，这将极有可能给电源...
2021-05-26 2715
浅谈MOSFET/IGBT驱动器理论及其应用
本应用笔记介绍了MOSFET / IGBT驱动器理论及其应用。该文档介绍了MOSFET和IGBT技术，驱动器的类型，隔离技术以及MOSFET / IGBT驱动器的IXYS系列以及一些实际考虑因素。 MOSFET和IGBT技术 由于不存在少...
2021-05-26 2992
IGBT栅极驱动器的隔离式反激转换器的设计
工业快速以太网 隔离式IGBT栅极驱动器需要隔离式电源，以实现安全隔离和电平转换。不幸的是，基于标准电源控制IC的隔离式电源设计并非易事。要使用离散的组件定制解决方案，就需要专门...
2021-05-26 2394
在系统中采用低端驱动器的常见应用介绍
NPN/ PNP图腾柱具有由PWM输出驱动的同相配置。该电路可防止双极性阶段的直通，因为一次只有一个图腾柱器件可以正向偏置。...
2021-05-26 3355
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