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火热的投资环境以及政策保障下,我国SIC产业已完成基本布局

旺材芯片 2021-05-11 11:03 次阅读

在Si材料已经接近理论性能极限的今天,SiC功率器件因其高耐压、低损耗、高效率等特性,一直被视为“理想器件”而备受期待。

随着5G、新能源汽车、光伏发电、航空航天等战略新兴产业迅速发展,产业链上下游企业纷纷跑步入场。在巨大的潜在市场需求增长、火热的投资环境以及政策保障下,我国SIC产业已完成基本布局。

近年来国内新建SiC项目汇总

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数据汇总自InSemi

国内SIC产业链企业大踏步向前的底气与良机

#01

市场潜力

我国作为全球最大的新能源汽车市场,随着特斯拉等品牌开始大量推进SiC解决方案,国内的厂商也快速跟进,以比亚迪为代表的整车厂商开始全方位布局,推动第三代半导体器件的在汽车领域加速。

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从国家来看,中国是全球最大的新能源汽车市场,销量远超其他所有国家,占据了全球40%以上的份额。从应用领域来看,新能源汽车是SiC器件最大的应用市场,占比超过50%。未来,中国将成为最大的SiC市场。

根据IHS的数据预估,今年的SiC(碳化硅)市场总额将会达到5000万美元,到2028年将飙升到1亿6000万。其中在电动汽车充电市场,SiC在未来几年的符合增长率高达59%;在光伏和储能市场,SiC的年复合增长率也有26%;而在电源部分,这个数字也有16%。整体年复合增长率也高达16%。

#02

政府促进

政府扮演风险投资角色,参与投资建设大量SiC项目。

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SiC项目大多为地方政府与企业合作投资建设,地方政府投入相对更多,也一并承担了更多的风险。

有别于传统Si基项目集中于中国一二线城市,SiC项目遍布全国各地。

与Si基项目相比,SiC项目总体投资相对较低,且许多中小型城市政府急于提升城市形象,增加半导体产业相关布局。

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地方政府具体参与的部分SiC项目汇总

#03

资本涌入

资本热情高涨,大量资金涌入SiC产业

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资本在过去一整年中保持热情高涨,业内主流企业在2020年均完成新一轮融资

天科合达和山东天岳正式启动上市流程

知名企业例如瀚天天成和山东天岳均在2020年完成了3轮融资

同光晶体仅在2020年12月连续完成了A轮和B轮融资

。..。..

SiC融资项目情况不完全汇总

#04

政策驱动

中央及地方政府颁布了一系列政策推动SiC产业发展。

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国家十四五规划21年公布的细则中预期会加入重点支持第三代半导体产业发展的描述

另外,在《中国制造2025》中,国家对5G通信、高效能源管理中的国产化率也提出了具体目标,目标要求到2025年,要使先进半导体材料的国产化率达到50%。这些利好的政策,对SiC市场的进一步发展壮大助益良多。

#05

产业链完成基本布局

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相对国外市场,我国开展SiC材料及器件方面的研究工作比较晚,在多方因素的推动下,中国SiC产业链已完成基本布局,取得了一定的成果,逐步缩小了与国外先进技术的差距,各个环节都涌现出几家领先企业。

然而,从整个SiC市场格局来看,美、日、欧等外商仍是整个市场的主导者,国内厂商在该领域的话语权还不大。根据Yole数据显示,Cree、英飞凌罗姆约占据了90%的SiC市场份额,Cree是SiC衬底主要供应商,罗姆、意法半导体等则拥有自己的SiC生产线等,其中Cree占据了一半以上的碳化硅晶片市场,这种垄断优势使其在产业上游的话语权非常之大。从这个角度看,国内企业要走的路,相较国外现在的位置还有较大差距。

从产业链看国内外竞争差距

2021 · SIC

衬底:

技术指标和国际厂商有明显差距,产品的一致性问题是难以攻克的短板,国产衬底目前仍难以进入主流供应链。

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在衬底最主要的三个几何参数TTV(总厚度偏差),Bow(弯曲度),Wrap(翘曲度)方面。国内厂商与国外领先厂商之间存在明显的差距。

国产衬底技术差距和一致性问题产生的原因大致可以归纳为以下两类:

在材料匹配、设备精度和热场控制等技术角度需要长时间的Know-how累积。国内厂商起步相对较晚,投入更少,与国外领先厂商存在明显的差距。

国内厂商的客户较少且比较分散,客户的反馈速度更慢,反馈内容不彻底。CREE的产品线覆盖衬底、外延、器件乃至模组,后端反馈充分且及时。

技术差距直接导致衬底综合性能较差,无法用于要求更高的产线中。

一致性问则表示优质衬底比例较低,直接导致衬底的成本大幅上升。

主要是因为以上两点影响,国产衬底目前还无法进入主流供应链。

外延:

技术壁垒较低,技术水平与国外整体差距不大

外延环节技术较为单一,主要过程为在原SiC衬底上生长一层新单晶。是整个产业链中附加值和技术门槛较低的环节。

外延环节依赖成熟的设备(目前业界主流设备为Aixtron等公司提供的CVD设备),气相沉积流程通过流量计严格控制,业界和设备商有相对成熟的技术。

以国内厂商瀚天天成为例,技术水平和国际外延领先企业日本昭和电工(Showa Denko)已经相差不大。根据调研反馈,瀚天天成和昭和电工已在全球多个市场展开竞争。

器件:

设计端差距相对较小,制造端存在较为明显的差距

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设计

SiC器件设计相对简单,与国外差距相对较小

SiC SBD器件设计在专利方面没有壁垒,国内领先企业如派恩杰已开始Gen 6 SiC SBD的研发,与国外差距相对较小。

SiC MOSFET器件方面,国内多家公司宣称已完成研发,但仍未进入量产状态。同时,最新的Gen 4 Trench SiC MOSFET专利被国外公司掌握,未来可能存在专利方面的问题。

制造

SiC器件制造与国外存在明显的差距

SiC SBD器件制造产线大多处于刚通线的状态,还需经历产能爬坡等阶段,离大规模稳定量产还有一定距离。

目前,国内所有SiC MOSFET器件制造平台仍在搭建中,部分公司的产线仍处于计划阶段,离正式量产还有很长一段距离。

模块:

市场竞争激烈,国内产业整体成熟度仍较低。

SIC模块国内企业当下的竞争情况:

国内众多新能源汽车厂商布局激进,自建SiC模块产线,满足自身需求,从上游端向下游覆盖。与此同时,传统模块厂商也有部分横向展开SiC模块的研发,凭借Si基模块的经验加快研发进度。

但国内新能源汽车厂商模块产线的建设大多于19/20年启动,至少22年才能放量。包括国内新兴的模块厂商大多体量较小,尚未实现大规模量产。国内产业的成熟度依然较低。

除国内厂商之间互相竞争外,在SIC领域真正的竞争压力还是来自于国外的巨头,目前英飞凌、ST、罗姆等国际大厂600-1700V碳化硅SBD、MOSFET均已实现量产,国内碳化硅厂商目前主要推出二极管产品,MOSFET只有极少数厂商量产,还有待突破,产线方面Cree、英飞凌等已开始布局8英寸线,而国内厂商还在往6英寸线过渡。衬底市场仅Cree一家便占据了约40%份额。

未来很长一段时间里,国内SIC产业链企业的进击之路。仍道阻且长!但好在SiC在5G、新能源汽车、光伏等各个领域的表现都极佳,市场足够大,且国产替代需求持续,国内企业尚可一拼!

目前国内SiC产业布局情况

国内SiC衬底生产企业

1、天科合达公司成立于2006年9月,专业从事第三代半导体碳化硅晶片研发、生产和销售的国有控股企业,总部公司设在北京市大兴区生物医药基地,拥有一个研发中心和一个集晶体生长-晶体加工-晶片加工-清洗检测的全套碳化硅晶片生产基地;全资子公司—新疆天科合达蓝光半导体有限公司位于新疆石河子市,主要进行碳化硅晶体生长。国内成立时间最早、规模最大的制备即开即用型SiC晶片的企业,技术依托于中国科学院物理所多年在碳化硅领域的研究成果。

2、山东天岳山东天岳成立于2010年,碳化硅单晶生长和加工技术来自山东大学晶体材料国家重点实验室的技术转让。山东天岳公司发展起源碳化硅材料,致力于碳化硅产业链的发展,在做好材料的同时,公司在碳化硅芯片及电子应用领域进行了技术储备和产业布局。

3、中科节能中科节能成立于2016年6月,是由中国钢研科技集团的新冶集团(占股40%)、国宏华业投资有限公司(占股35%)和公司骨干员工(占股25%)三方共同出资成立的由央企控股的混改公司。未来计划打造国内最大的碳化硅晶体衬底片生产基地。

4、同光晶体河北同光晶体有限公司成立于2012年5月28日,位于河北省保定市高新区。河北同光和中科院半导体所紧密合作,打造了一支具有国内领先水平的研发队伍,中科院半导体所和河北同光成立了“第三代半导体材料联合研发中心”,并在河北同光建立院士工作站,中科院半导体所成果转化基地。

5、北京世纪金光北京世纪金光成立于2010年12月24日,始建于1970年,其前身为中原半导体研究所。公司主营宽禁带半导体晶体材料、外延和器件的研发与生产,是国内首家贯通整个碳化硅全产业链的高新技术企业,既:碳化硅高纯粉料→单晶材料→外延材料→器件→功率模块制备。2018年2月1日,北京世纪金光6英寸碳化硅器件生产线成功通线。

国内SiC外延片生产企业

1、瀚天天成

瀚天天成成立于2011年,是中美合资企业公司。是中国第一家提供产业化3、4和6英寸SIC(碳化硅) 外延片的企业。公司引进德国Aixtron公司制造的全球先进的碳化硅外延晶片生长炉和各种进口高端检测设备,形成了完整的碳化硅外延晶片生产线。

2、东莞天域公司成立于2009年1月7日。2010年5月公司与中国科学院半导体所合作成立了“碳化硅技术研究院”。目前公司已引进4台世界一流的SiC-CVD(德国Aixtron和意大利LPE)及配套检测设备。

国内SiC器件、模组生产企业

1、三安集成三安集成注册成立于2014年,目前在第三代半导体领域定位做代工服务。三安集成是中国首家基于6英寸晶圆的化合物半导体晶圆代工厂,产业链布局完整,从衬底、外延、制程开发到芯片封测,都有相应的投入和规划;

2、泰科天润泰科天润成立于2011年是中国第一家致力于SIC(碳化硅)功率器件研发、制造与销售于一体的的生产型高科技企业。

3、瞻芯电子瞻芯电子已成为国内第一家掌控6英寸成套SiC MOSFET工艺流程及核心单项工艺芯片公司,2019年第一批驱动芯片SiC MOSFET Gate Driver产品已量产销售,2020年量产的SiC SBD、SiCMOSFET产品性能达到国际一流水平。产品市场主要面向于汽车电子、工业电源、光伏与风能、轨道交通等领域。

4、深圳基本半导体深圳基本半导体成立于2016年,由瑞典碳化硅领军企业Ascatron AB联合青铜剑科技(主打产品IGBT驱动芯片)、力合科创、英智资本联合打造,并与深圳清华大学研究院共建“第三代半导体材料与器件研究中心”,从事碳化硅功率器件的研发与产业化。基本半导体通过引进由海归人才和外籍专家组成的高层次创新团队,对碳化硅器件的材料制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用等各方面进行研发,覆盖产业链各个环节,建立了一支国际一流的研发和产业化团队。

5、扬州国扬电子扬州国扬电子成立于2014年,是中国电子科技集团公司第55研究所控股公司。主要产品设计IGBT模块、大功率智能模块、SiC混合功率模块及全SiC功率模块等系列产品。

6、芯聚能

芯聚能是面向新能源汽车及一般工业产品功率芯片设计,功率模块开发制造的高科技技术企业,专注于IGBT/SiC功率模块及功率器件研发、设计、封装、测试及营销业务,为客户提供完整的解决方案。

7、无锡利普思公司总部位于江苏无锡,在日本成立了全资子公司作为研发中心,专注于SiC模块设计、生产、销售的企业。产品应用于新能源汽车、充电桩、工业电机驱动、光伏逆变、医疗器械等场景。已与汽车行业、光伏行业的一些企业签订一些意向订单,预计明年销售额将得到快速上涨。

8.中芯绍兴

中芯国际全资子公司,致力于车载半导体芯片和模组制造代工服务,提供一体化集成制造解决方案。专注于功率和传感半导体技术开发和大规模制造,提供先进技术支持。

责任编辑:lq

原文标题:聚焦 | 2021 进击的国产碳化硅市场!

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发表于 07-12 07:49 101次 阅读

SiC46x是什么?SiC46x的主要应用领域有哪些?

SiC46x是什么?SiC46x有哪些优异的设计?SiC46x的主要应用领域有哪些?...
发表于 07-09 07:11 0次 阅读

有关EN-6500A功率器件的基本知识点都总结在这里

EN-6500A是什么? EN-6500A有哪些特点? EN-6500A测试系统有哪些功能? ...
发表于 07-09 06:15 0次 阅读

设计电源电子电路时如何去选择最佳的低损耗器件?

功率器件损耗主要分为哪几类? 什么叫栅极电荷? 开关损耗和栅极电荷有什么关系? ...
发表于 06-18 08:54 101次 阅读

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途? 碳化硅(SiC)的结构是如何构成的? ...
发表于 06-18 08:32 506次 阅读

关于功率器件的标定及选择,不看肯定后悔

关于功率器件的标定及选择,不看肯定后悔
发表于 06-17 06:53 0次 阅读

NLU1GT86 单路2输入异或门 TTL电平

86 MiniGate™是一款先进的CMOS高速2输入异或门,占用空间极小。器件输入与TTL型输入阈值兼容,输出具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1GT86输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.1 ns(典型值)V CC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C TTL兼容输入:V IL = 0.8 V; V IH = 2.0 V 输入时提供断电保护 平衡传播延迟 超小无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 06:02 276次 阅读
NLU1GT86 单路2输入异或门 TTL电平

NLU1G86 单路2输入异或门

6 MiniGate™是一款先进的高速CMOS 2输入异或门,占用空间极小。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1G86输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.5 ns(典型值)VCC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C 断电保护提供输入 平衡传播延迟 过压容差(OVT)输入和输出引脚 超小Pb免费套餐 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 05:02 262次 阅读
NLU1G86 单路2输入异或门

NLU1G32 单路2输入或门

2 MiniGate™是一款先进的高速CMOS 2输入或门,占用空间极小。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1G32输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.7 ns(典型值)VCC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C 断电保护提供输入 输入时提供断电保护 过压容差(OVT)输入和输出引脚 超小型无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 04:02 234次 阅读
NLU1G32 单路2输入或门

NLSX4378A 电平转换器 4位 24 Mbps 双电源

78A是一款4位可配置双电源双向自动感应转换器,不需要方向控制引脚。 V CC I / O和V L I / O端口设计用于跟踪两个不同的电源轨,V CC 和V L 。 V CC 电源轨可配置为1.65V至5.5V,而V L 电源轨可配置为1.65V至5.5V。这允许V L 侧的电压逻辑信号在V CC 侧转换为更低,更高或相等值的电压逻辑信号,反之亦然。 NLSX4378A转换器在I / O线上集成了10K欧姆上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至V L 或V CC 。 NLSX4378非常适合开漏应用,例如I 2 C通信总线。 特性 优势 宽VCC工作范围:1.65V至5.5V 宽VL工作范围:1.65V至5.5V 允许连接多个电压系统 高速,24 Mb / s保证数据速率 最大限度地减少系统延迟 低位偏移 适合差异信号传输 小型包装 - 2.02 x 1.54mm uBump12 节省物理空间解决方案 应用 终端产 I2C,SMBus,PMBus 低压ASIC级别转换 手机,PDA,相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 04:02 325次 阅读
NLSX4378A 电平转换器 4位 24 Mbps 双电源

NLSX4401DFT2G 1位20 Mb / s双电源电平转换器

01是一款1位可配置双电源双向自适应传感转换器,不需要方向控制引脚.I / O VCC和I / O VL端口分别用于跟踪两个不同的电源轨,VCC和VL 。 VCC和VLsupply轨道均可配置为1.5 V至5.5 V.这样,VL侧的电压逻辑信号可在VCC侧转换为更低,更高的等值电压逻辑信号,反之亦然.NLSX4401转换器已集成I / O线上有10 k上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至VL或VCC。 NLSX4401非常适合开放式应用,如I2C通信总线。 特性 VL可以小于,大于或等于VCC 宽VCC工作范围:1.5 V至5.5 V 宽VL工作范围:1.5 V至5.5 V 高速,24 Mb / s保证日期速率 低位偏斜 启用输入和I / O引脚是过压容差(OVT)以使能输入和I / O引脚是过压容差(OVT)至5.5 V 非优先通电排序 断电保护 应用 终端产品 I2C,SMBus,PMBus 低压ASIC级别转换 手机,相机,消费品 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 04:02 133次 阅读

NLU1GT125 单个非反相缓冲器 3态

125 MiniGate™是一款先进的CMOS高速非反相缓冲器,占用空间极小。 NLU1GT125要求将3状态控制输入()设置为高,以将输出置于高阻态。器件输入与TTL型输入阈值兼容,输出具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1GT125输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.8 ns(典型值)V CC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C TTL兼容输入:V IL = 0.8 V; V IH = 2.0 V 输入时提供断电保护 平衡传播延迟 超小无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 17:02 107次 阅读
NLU1GT125 单个非反相缓冲器 3态

FSA839 低压 带关断隔功能的0.8Ω单刀双掷(SPDT)模拟开关

是高性能的单刀双掷(SPDT)模拟开关,用于由低电压(1.8V)基带处理器或ASIC驱动的音频应用。该器件在V CC = 4.5 V时具有0.8Ω(最大值)的超低R ON ,可在1.65V到5.5V的宽V CC 范围内工作。该器件采用亚微米CMOS FSA839在低电压ASIC和常规的音频放大器之间连接,CODEC在高达5.5V的工作电压范围内运行。控制电路允许控制引脚(Sel)上提供1.8V(典型值)信号。 应用 多媒体平板电脑 存储和外设 手机 WLAN网卡和宽带接入 PMP / MP3播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 01:02 133次 阅读

NXH240B120H3Q1 功率集成模块(PIM)3通道1200 V IGBT + SiC升压 80 A IGBT和20 A SiC二极管

B120H3Q1PG是一款3通道1200 V IGBT + SiC Boost模块。每个通道包括一个快速开关80 A IGBT,一个20 A SiC二极管,一个旁路二极管和一个IGBT保护二极管。该模块具有内置热敏电阻并具有压配销。 特性 优势 1200 V快速开关IGBT 降低IGBT的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 1200 SiC二极管 降低二极管的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 低Vf旁路二极管 提高旁路模式的效率 压合销 无焊接安装 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 分散式公用事业规模太阳能逆变器 商业串式逆变器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 213次 阅读

NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

120H2Q0SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个15A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2180 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.4 V 用于高速切换的SiC二极管 可焊接引脚 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 127次 阅读

NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

B120H3Q0是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个50A / 1200V IGBT,两个20A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.44 V 用于高速开关的SiC二极管 焊针和压合销选项 灵活安装 应用 终端产品 MPPT提升阶段 Bat tery Charger Boost Stage 太阳能逆变器 储能系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 143次 阅读

FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

一种快速,可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装图
发表于 07-31 04:02 203次 阅读

NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应

低压差(LDO)线性稳压器将在固定输出电压下提供1.5 A电流。快速环路响应和低压差使该稳压器非常适用于低电压和良好负载瞬态响应非常重要的应用。器件保护包括电流限制,短路保护和热关断。 NCP566采用SOT-223封装。 特性 超快速瞬态响应(
发表于 07-30 08:02 112次 阅读
NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应

NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC转换器 采用耐热增强型5mm x 6mm封装

4是一款30A POL,适用于在小型电路板占板面积内要求高效率的应用。该器件将DC / DC控制器与两个高效mosfet集成在一个采用热增强型5mm x 6mm QFN封装的信号中。它采用获得专利的增强型斜坡脉冲调制控制架构,可提供超快的负载瞬变,从而减少外部电容和/或提供更好的瞬态容差。与传统的恒定时间控制器相比,新架构还改进了负载调节。 特性 优势 效率高 减少电力损失 快速装载瞬态 减少输出电容的数量 频率选择 优化效率和输出滤波器尺寸的权衡 0.6%准确参考 允许非常精确的输出电压 远程感知 提供准确的输出电压 启用输入和电力良好指标 二手用于控制排序 可调节电流限制 低电流设计的灵活性 可调节软启动 允许控制开启坡道 热增强型QFN封装 改善散热 指定-40C至125C 应用 终端产品 服务器 网络 电信 ASICs servere 存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 424次 阅读

NCP3233 降压转换器工作电压范围为3V至21V 最高可达20A

3是一款20A降压转换器(内置MOSFET),工作电压范围为3V至21V,无需外部偏置。该固定式变频器具有高效率,可调节输出以提供低至0.6V的电压。可调电流限制允许器件用于多个电流水平。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,高效电压模式同步降压转换器,工作电压为3 V至21 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围为3V至21V 允许同一器件用于3.3V,5V和12V母线 300kHz,500kHz和1MHz开关频率 用户可选择的选项,允许在效率和解决方案尺寸之间进行优化权衡 无损耗低侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 低压输出以适应低压核心 外部可编程软启动 降低浪涌电流并防止启动时出现无根据的过电流 预偏置启动 防止反向电流流动 所有故障的打嗝模式操作 如果故障情况消除,则允许重新启动 可调输出电压 灵活性 可调节电流限制 优化过流条件。允许较低饱和电流的较小电感器用于较低电流应用 输出过压保护和欠压电压保护 应用 终端产品 高电流POL应用 AS...
发表于 07-30 04:02 381次 阅读

NCP3231A 高电流同步降压转换器

1A是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出o电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 296次 阅读

NCP3231B 高电流 1MHz 同步降压转换器

1B是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 1MHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出ove r电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 153次 阅读

NCP3231 高电流同步降压转换器

1是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低 - 侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出过压保护和欠压保护 使用热敏电阻或传感器进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电力良好输出 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 218次 阅读

NCP1592 同步降压稳压器 PWM 6.0 A 集成FET

2是一款低输入电压,6 A同步降压转换器,集成了30mΩ高侧和低侧MOSFET。 NCP1592专为空间敏感和高效应用而设计。主要特性包括:高性能电压误差放大器,欠压锁定电路,防止启动直到输入电压达到3 V,内部或外部可编程软启动电路,以限制浪涌电流,以及电源良好的输出监控信号。 NCP1592采用耐热增强型28引脚TSSOP封装。 特性 30mΩ,12 A峰值MOSFET开关,可在6 A连续输出源或接收器处实现高效率电流 可调节输出电压低至0.891 V,准确度为1.0% 宽PWM频率:固定350 kHz,550 kHz或可调280 kHz至700 kHz 应用 终端产品 低压,高密度分布式电源系统 FPGA 微处理器 ASICs 便携式计算机/笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 148次 阅读

NCP3230 DC / DC转换器 4.5 V至18 V 30 A.

C转换器采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,可提供高达30 A的电流。 特性 优势 效率高 降低功耗并减少散热问题 4.5 V至18 V输入范围 允许使用5 V或12 V母线进行操作 综合mosfets 简化设计并提高可靠性 可调节软启动时序,输出电压 设计灵活性 过压,欠压和过流保护 安全启动到预偏置输出 应用 终端产品 高电流POL应用 为asics,fpga和DSP供电 基站 服务器和存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 165次 阅读

NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC转换器

5是一款带内部MOSFET的15 A DC / DC转换器,设计灵活。该器件可提供低至0.6V至输入电压80%以上的可调输出电压。功能包括可调电流限制,输出电压和软启动时序。引脚可选功能可实现550 kHz或1 MHz的开关频率,选择DCM / CCM工作模式,以及在过流期间锁定或打嗝模式的能力。该器件可配置为在超声模式下工作,以避开音频带。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm TQFN封装。 特性 优势 准确0.6 V参考 可调输出以设置所需电压低至0.6 V DCM / CCM可选择选项 在不连续模式下操作以在轻负载下提高效率 550kHz / 1.1MHz开关频率 选择更高效率或更小输出滤波器的设计灵活性 超声波模式 保持电容器不发出声音 热增强型QFN封装 3个裸露焊盘散布更高 4.5 V至21 V的宽工作范围 允许跨多个应用程序使用 可调软启动 允许在通电期间平稳上升 应用 终端产品 计算/服务器 数据通信/网络 FGPA,ASIC,DSP电源 12 V负载点 桌面 服务器 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 206次 阅读