STI隔离工艺的制造过程
STI 隔离工艺是指利用氧化硅填充沟槽，在器件有源区之间嵌入很厚的氧化物，从而形成器件之间的隔离。利用STI 隔离工艺可以改善寄生场效应晶体管和闩锁效应。
2024-11-01 13:40:24
LOCOS工艺中鸟喙效应的形成原因和解决措施
集成电路采用LOCOS（Local Oxidation of Silicon）工艺时会出现“鸟喙效应”（bird beak），这是一种在氧化硅生长过程中，由于氧化物侧向扩展引起的现象。
2025-09-08 09:42:27
MEMS 与CMOS 集成工艺技术的区别
Pre-CMOS/MEMS 是指部分或全部的 MEMS 结构在制作 CMOS 之前完成，带有MEMS 微结构部分的硅片可以作为 CMOS 工艺的初始材料。
2022-10-13 14:52:43
单晶硅刻蚀与多晶硅刻蚀的区别在哪？
磷酸硅(Si3(PO4)4)和氨气(NH3)这两种副产品都可以溶于水。LOCOS工艺的场区氧化层生成后(或USG研磨和STI退火处理后)，这个技术至今仍在隔离形成工艺中被采用以去除氮化硅。
2023-02-13 11:11:06
MEMS与传统CMOS刻蚀及沉积工艺的关系
MEMS 比 CMOS 的复杂之处 MEMS 与 CMOS 的根本区别在于：MEMS 是带活动部件的三维器件，CMOS 是二维器件。因此，虽然许多刻蚀和沉积工艺相似，但某些工艺是 MEMS 独有的，例如
2022-12-13 11:42:00
《炬丰科技-半导体工艺》CMOS 单元工艺
使用化学溶液去除材料。在 CMOS 制造中，湿法工艺用于清洁晶片和去除薄膜。湿法清洁过程在整个工艺流程中重复多次。一些清洁过程旨在去除微粒，而另一些则是去除有机和/或无机表面污染物。湿蚀刻剂可以是各向同性
炬丰科技
2021-07-06 09:32:40
怎么采用标准CMOS工艺设计RF集成电路？
近年来，有关将CMOS工艺在射频（RF）技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz，这无疑推动了集成CMOS射频电路的发展。目前，几个研究组已利用标准
iyfhnvbn
2019-08-22 06:24:40
TTL和CMOS电平在使用过程中有什么本质的区别？
TTL和CMOS电平在使用过程中有什么本质的区别？为什么有的芯片是TTL而有的是CMOS，就一种不妥吗？
小野七七
2023-04-25 09:25:42
Bi-CMOS工艺解析
Bi-CMOS工艺将双极型器件（Bipolar）与CMOS工艺结合，旨在融合两者的优势。CMOS具有低功耗、高噪声容限、高集成度的优势，而双极型器件拥有大驱动电流、高速等特性。Bi-CMOS则能通过优化工艺参数，实现速度与功耗的平衡，兼具CMOS的低功耗和双极器件的高性能。
2025-03-21 14:21:09
HV-CMOS工艺制程技术简介
制程技术被开发出来。HV-CMOS 工艺制程技术是传统 CMOS 工艺制程技术向高压的延伸，由于 HV-CNO亚艺制程技术的成本比BCD 工艺制程技术低，所以利用HV-CMOS 工艺制程技术生产出来的产品在市场上更具的竞争力。
2024-07-22 09:40:32
什么是BCD工艺？BCD工艺与CMOS工艺对比
BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺技术是将双极型晶体管、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）晶体管技术组合在单个芯片上的高级制造工艺。
2024-03-18 09:47:41
全面分析CMOS RF模型设计
最近几年，我们已经开始看到一些有关射频(RF)CMOS工艺的参考文献和针对这些工艺的RF模型参考文献。本文将探讨这类RF所指代的真正含义，并阐述它们对RF电路设计人员的重要性。我们可以从三个角度
smileto1211
2019-06-25 08:17:16
CCD和CMOS的区别
单位一位一位读取，再经过传感器边缘的放大器进行放大输出，所以速度较慢；CMOS中每个像素都会连接一个放大器及模/数转换电路，读取十分简单，速度较快。1.2 CCD制作工艺复杂，成本高，传输图像中不会丢失信息，而CMOS传输中会产生噪音，所以CCD比CMOS成像质量要高；正是由于1.2中的原因，所以1.1
斗地主之神
2021-07-26 06:32:20
怎么利用CMOS工艺实现一个10位的高速DAC？
本文选择了SoC芯片广泛使用的深亚微米CMOS工艺，实现了一个10位的高速DAC。该DAC可作为SoC设计中的IP硬核，在多种不同应用领域的系统设计中实现复用。
h1654155701.3956
2021-04-14 06:22:33
TTL电平与CMOS电平的区别在哪
什么是TTL电平，什么是CMOS电平，他们的区别(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V CMOS电平Vcc可达到12V ...
youyoulan
2022-01-25 06:19:09
CMOS和CCD到底有什么区别
CMOS在很多设备中都有所使用，因此对于CMOS，我们应当有所了解。在上文中，小编对CMOS电路相关内容进行过阐述。为增进大家对CMOS的了解程度，本文将对CMOS、CCD加以介绍，并探讨二者之间的区别。如果你对本文内容具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。
2021-01-03 17:45:00
CMOS与NMOS技术的区别差异
差异不仅体现在它们的工作原理、性能特点上，还体现在它们的应用领域和制造工艺上。本文将对CMOS和NMOS技术的区别差异进行详细的阐述。
2024-05-22 18:06:51
STI3508CB升压转换器概述、特征及应用
STI3508CB 是恒定频率的电流模式升压转换器。 STI3508CB 开关频率为 1.2MHz， 并允许使用微型、低成本的电容器以及高度为 2 毫米或更小的电感器。 内部的软启动可减小小浪涌电流
2022-07-08 14:28:17
如何采用0.18μCMOS工艺模型进行开环跟踪保持电路的设计？
本文采用0.18 μm CMOS工艺设计了一种适用于TI-ADC的高速、低功耗开环T&H电路。
manliaijun
2021-04-20 06:58:59
ccd与cmos传感技术的联系和区别
由于制造工艺复杂，只有少数的厂商能够掌握，所以导致制造成本居高不下，特别是大型CCD，价格非常高昂。在相同分辨率下，CMOS价格比CCD便宜，但是CMOS器件产生的图像质量相比CCD来说要低一些
h1654155602.2301
2019-05-21 23:41:24
张卫：先进CMOS制造工艺的技术演进及自主发展思考
环栅器件沟道形成是在Si衬底上外延生长SiGe/Si的超晶格结构，然后进行选择性刻蚀形成堆叠Si纳米片沟道。该工艺的关键是：①外延高质量的SiGe/Si超晶格结构，并在浅槽隔离（Shallow Trench Isolation, STI）工艺后保持SiGe/Si的界面处不发生Ge扩散；
2022-11-16 10:12:42
工商网监
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