以下是场效应管（FET，包括MOSFET、JFET等）的主要技术参数及其含义的中文解释：
一、 核心电气参数
-
漏源击穿电压（V<sub>DS(BR)</sub> / V<sub>DSS</sub>）- 含义：FET漏极（D）与源极（S）之间所能承受的最大反向电压，超过此电压会导致器件击穿损坏。
- 设计意义：需确保实际电路电压低于此值（通常需保留20-50%裕量）。
-
栅源击穿电压（V<sub>GS(BR)</sub>）- 含义：栅极（G）与源极（S）之间绝缘层（如MOSFET的氧化层）能承受的最大电压，超压会永久损坏栅极。
- 设计意义：驱动电路输出必须限制在此值以下。
-
连续漏极电流（I<sub>D</sub>）- 含义：在指定温度（常为25℃）和散热条件下，允许长期通过的漏极电流最大值。
- 设计意义：决定FET的电流承载能力，需结合散热设计考虑。
-
脉冲漏极电流（I<sub>DM</sub>）- 含义：短时脉冲（如μs~ms级）允许的峰值漏极电流，通常远高于连续电流。
- 设计意义：用于应对启动、短路等瞬态过流场景。
二、 导通特性参数
-
导通电阻（R<sub>DS(on)</sub>）- 含义：FET完全导通时，漏极到源极之间的等效电阻。
- 意义：
- 直接影响效率：RDS(on)越小，导通损耗越低（损耗 = I²·R）。
- 与温度相关：温度升高时RDS(on)会显著增大（尤其硅基器件）。
-
栅极阈值电压（V<sub>GS(th)</sub>）- 含义：使FET开始导通（产生微小漏极电流，如250μA）所需的最小栅源电压。
- 意义：
- 驱动需求：驱动电压必须高于VGS(th)以保证完全导通（常需高出2-10V）。
- 类型区分：
- 增强型FET：VGS(th) > 0（如+2V）。
- 耗尽型FET：VGS(th) < 0（如-2V）。
三、 开关特性参数
-
输入电容（C<sub>iss</sub>）- 计算公式：Ciss = Cgs + Cgd（栅源电容 + 栅漏电容）
- 意义：影响栅极充电时间，驱动电路需提供足够电流为其充电。
-
输出电容（C<sub>oss</sub>）- 计算公式：Coss = Cds + Cgd（漏源电容 + 栅漏电容）
- 意义：开关过程中产生容性损耗（Eoss = ½CossV²），影响高频效率。
-
反向传输电容（C<sub>rss</sub>）- 等同：Cgd（栅漏电容）
- 意义：米勒电容，通过米勒效应延长开关时间，易引起振荡，需优化驱动阻抗。
-
栅极总电荷（Q<sub>g</sub>）- 含义：使FET从关断到完全导通所需的总栅极电荷量。
- 意义：
- 驱动功耗：驱动损耗 = Qg × VGS × f（开关频率）。
- 选型关键：高频应用中优先选择低Qg的FET以降低损耗。
-
开关时间（t<sub>d(on)</sub>/t<sub>d(off)</sub>、t<sub>r</sub>/t<sub>f</sub>）- 包含：开启延迟、关断延迟、上升时间、下降时间。
- 意义：决定开关速度，影响高频应用的效率与EMI。
四、 功率与热参数
-
最大功耗（P<sub>D</sub>）- 含义：器件允许的最大功率耗散值（需在指定散热条件下实现）。
- 计算公式：PD = (Tj(max) - Tc) / RθJC（Tc为壳温）。
-
热阻（R<sub>θJA</sub>、R<sub>θJC</sub>）- RθJC：结到壳的热阻（单位℃/W），由器件本身决定。
- RθJA：结到环境的热阻（含散热器），决定实际散热能力。
- 设计公式：Tj = Ta + Ploss × RθJA（Tj需低于最大结温）。
五、 二极管特性（体二极管参数）
-
体二极管正向压降（V<sub>SD</sub>）- 含义：FET内部寄生二极管导通时的正向压降（在同步整流等应用中至关重要）。
-
反向恢复时间（t<sub>rr</sub>）与电荷（Q<sub>rr</sub>）- 意义：体二极管从导通到关断时，反向电流消失的时间与电荷量，影响开关噪声和损耗。
六、 频率特性
特征频率（f<sub>T</sub>）- 含义：电流增益降为1时的频率，反映器件的理论最高工作频率。
- 公式：fT ≈ gm / (2π·Ciss)。
七、 其他参数
-
跨导（g<sub>m</sub>）- 含义：漏极电流变化量与栅源电压变化量之比（ΔID/ΔVGS），反映电压控制电流的能力。
- 意义：gm越高，同等驱动电压下控制电流能力越强。
-
雪崩能量（E<sub>AS</sub>）- 含义：FET在雪崩击穿状态下能承受的单次脉冲能量（应对感性负载关断时的电压尖峰）。
参数选择关键点总结
- 电压/电流：根据电路需求保留足够裕量（建议VDS留30%以上，ID结合散热评估）。
- 导通损耗：优先选择低RDS(on) 的器件（尤其大电流应用）。
- 开关损耗：高频电路（>100kHz）需关注 Qg、Coss、tr/tf。
- 热管理：计算实际Tj确保不超过Tj(max)（一般硅器件≤150℃，SiC/GaN可达175-200℃）。
- 驱动兼容性：VGS(th)必须与驱动电路匹配，避免欠驱动（导通不彻底）或过驱动（损坏栅极）。
✅ 提示：参数值会随温度、电压变化，需查阅器件手册中的曲线图（如RDS(on) vs Tj、Qg vs VGS等）进行精确设计。
逆变器中场效应管发热的原因有哪些
逆变器中场效应管发热的原因有哪些 逆变器中场效应管发热的原因有以下几个方面： 1. 导通电阻发热：在工作过程中，场效应管处于导通状态，电流会通过导体。根据欧姆定律，通过导体的电流与电阻成正比，因此
2024-03-06 15:17:20
场效应管的特点 场效应管的使用优势
场效应管是一种电子元件，它可以控制电流或电压，通过改变极化层的电场来控制电流或电压。根据其结构特点分为MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）、JFET（金属硅场效应管）、IGBT（晶体管场效应管）等。
2023-02-17 15:44:05
场效应管和可控硅有什么区别？
场效应管和可控硅有什么区别？ 场效应管和可控硅都是常见的半导体元件，它们在电路应用中广泛用到，但是它们有不同的工作原理和应用场合。在本篇文章中，我们将详细讨论场效应管和可控硅的区别。 1.
2023-08-25 15:41:38
结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别是什么？
不同的应用场景中表现出了不同的特性。本文将详细介绍结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别。 首先，结型场效应管（JFET）是一种三端器件，其基本结构由一根n型或p型半导体材料的两端之间夹有一层p型或n型材料组成。这个p-n结被
2023-09-18 18:20:51
VMOS场效应管是什么？
场效应管。 国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。表1列出六种VMOS管的主要参数
mintsy
2021-05-13 06:40:51
常见场效应管类型 场效应管的工作原理
场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种电压控制型半导体器件，它利用电场效应来控制电流的流动。场效应管的主要类型有结型场效应管（JFET）、金属氧化物半导体
2024-12-09 15:52:34
场效应管的选型及应用概览
器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。 作为电气系统中的基本部件，工程师如何根据参数做出正确选择呢？本文将讨论如何通过四步来选择正确的场效应管。 1）沟道
两只耳朵怪
2020-07-10 14:51:42
场效应管的参数介绍 如何测试场效应管的功能
参数介绍 最大漏极电流（IDmax） ：场效应管能够承受的最大漏极电流，超过此值可能会导致器件损坏。 最大漏源电压（VDSmax） ：场效应管漏极和源极之间能够承受的最大电压。 最大栅源电压（VGSmax） ：场效应管栅极和源极之间能够承受的最大电压。 阈值电压（Vth） ：使
2024-12-09 16:02:42
场效应管常用驱动芯片有哪些？
场效应管常用驱动芯片有哪些？ 场效应管（FET）是一种可以控制电流的半导体器件，是现代电子技术中应用广泛的一种器件。在这种器件中，输入电压可以控制输出电流的大小，因此可以应用在很多电子电路中。而为
2023-08-25 15:47:39
场效应管的控制电压的主要参数
场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件，其工作原理是通过改变栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。场效应管具有输入阻抗高、驱动功率
2024-08-01 09:18:11
场效应管原理通俗理解 场效应管参数怎么看 场效应管是做什么用的
场效应管（英语：field-effect transistor，缩写：FET）是一种通过电场效应控制电流的电子器件。
2023-07-28 10:06:29
场效应管概念
场效应管(FET)是一种具有pn结的正向受控作用的有源器件，它是利用电场效应来控制输出电流的大小，其输入端pn一般工作于反偏状态或绝缘状态，输入电阻很高，栅极处于绝缘状态的场效应管，输入阻抗很大
dposadksapdsakd
2019-07-29 06:01:16
下图电路场效应管电路有问题吗？
场效应管电路有问题吗？用的是P沟道增强型场效应管BSS84,电路如下，经常GS间损坏，损坏后两脚间有5K左右的电阻造成微导通D端有电压输出。电路有问题吗？是什么原因。
wskrhwfn
2019-10-18 22:00:33
场效应管怎么测量好坏
，因此需要进行严格的测试和检测，以确保其可靠性和稳定性。 一、场效应管的类型 场效应管有两种类型：N沟道场效应管（N-channel FET）和P沟道场效应管（P-channel FET）。这两种类型的场效应管具有相似的结构和工作原理，但具有不同的尺寸和性能特征，
2023-09-02 11:31:24
场效应管的功能和基本特性
，场效应管具有输入阻抗高、噪声小、热稳定性好、便于集成等特点，但容易被击穿。场效应管按其结构不同分为两大类，即绝缘栅型场效应管和结型场效应管。绝缘栅型场效应管由金属、氧化物和半导体材料制成，简称MOS管
一只耳朵怪
2020-12-01 17:36:25
场效应管MOSFET是mos管吗？场效应管mos管的区别？
场效应管MOSFET是mos管吗？场效应管mos管的区别？场效应管和mos管有什么不一样的地方？ MOSFET和场效应管（FET）都属于半导体器件中的一种，类似晶体管。MOSFET是MOS（金属
2023-09-02 11:31:15
场效应管的作用
场效应管是具有源极 (S)、栅极 (G)、漏极 (D) 和体 (B) 端子的四端子器件。通常，场效应管的主体与源极端子相连，从而形成三端器件，例如场效应晶体管。场效应管通常被认为是一种晶体管，并用于模拟和数字电路。
2023-02-27 17:49:44
场效应管的作用
场效应管的作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作
ncsbiantai01
2019-05-29 06:18:14
ASEMI场效应管40N120的参数特点和作用优势
编辑-Z40N120参数描述型号：40N120封装：TO-220特性：低功耗场效应管电性参数：40A 1200V集电极电流(IC)：40A脉冲集电极电流(ICM)：160A集电极-发射极电压
1122334455QYX
2021-12-18 16:12:29
详解MOS场效应管的检测方法
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管
2022-05-27 14:36:37
场效应管的作用及测试资料分享
互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。 2、判定栅极 用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很
lin364884292
2021-05-13 06:55:31
场效应管怎样修_场效应管制作可调电源
场效应管怎样修（1）首先观察待测场效应管外观，看待测场效应管是否完好，如果存在烧焦或针脚断裂等情况说明场效应管已发生损坏，如图1所示，本次待测的场效应管外型完好没有明显的物理损坏。
2023-02-11 16:58:57
绝缘栅场效应管结构
绝缘栅场效应管的种类较多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但目前应用最多的是MOS管。MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管，通常用MOS表示，简称作MOS管。它具有比结型场效应管更高的输入阻抗（可达1012Ω以上），并且制造工艺比较简单，使用灵活方便，非常有利于高度集成化。
2019-06-28 16:36:52
如何简单判断一个场效应管的好坏？
如何简单判断一个场效应管的好坏？ 场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是一种广泛应用于电子设备中的晶体管类型之一。要判断一个场效应管的好坏，需要考虑其性能参数、制造
2023-11-17 11:41:30
场效应管/可控硅的典型驱动电路
场效应管和可控硅驱动电路是有本质上的差异，首要场效应管通常分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管，可控硅通常分为单向可控硅和双向可控硅（可控硅也叫晶闸管，可分单向晶闸管和双向晶闸管），其间绝缘栅型
2020-09-26 10:55:39
导致逆变器场效应管发热的原因有哪些
逆变器的场效应管工作于开关状态，并且流过管子的电流很大，若管子选型不合适、驱动电压幅度不够大或电路的散热不好，皆可导致场效应管发热。
2022-03-20 11:17:11
工商网监
工商网监