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ad8220原理图

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以下是关于AD8220仪表放大器(Instrumentation Amplifier)原理图设计要点和应用电路的中文说明(注:芯片内部详细晶体管级原理图属于厂商知识产权,通常不公开,但功能框图和典型应用电路是公开的):


1. AD8220 核心结构与功能框图

AD8220采用经典的三运放仪表放大器架构,其内部简化框图如下:

         +----------------------+
         |      AD8220 IC       |
输入+ -->|---[缓冲器+]           |
         |         |            |--> 增益设置电阻网络 (RG1, RG2)
         |         +---[差分放大器]---+
输入- -->|---[缓冲器-]           |     |
         |                      |     +---> 输出 (OUT)
         | REF引脚 --------------|-----|--> 参考电压端
         +----------------------+

关键组成部分:

  • 两个高输入阻抗缓冲放大器:负责接收差分输入信号(IN+, IN-),提供极高输入阻抗(约10^12Ω),减少对信号源的负载。
  • 精密增益电阻网络:芯片内部集成匹配电阻(无需外部RG),增益由外部单个电阻(RG)设定
  • 差分输出放大器:将放大后的差分信号转换为单端输出,并提供低输出阻抗。
  • REF引脚:用于设置输出信号的参考电平(通常接地或偏置电压)。

2. 典型应用电路原理图(示例)

                          +15V
                           |
                           +---[10μF]---+---||-- GND (去耦电容)
                           |            |
                           |     AD8220 |
信号输入+ (IN+) ------------|1        8 |---+-----------> +15V
                           |            |   |
信号输入- (IN-) ------------|2        7 |---+-----------> GND (或负电源)
                           |            |
外部增益电阻 (RG) --------|3 RG     6 OUT |-----------> 信号输出
                           |            |
参考电压 (REF) -----------|4        5 |---+---> RG另一端
                           |            |   |
                           +-----||-----+   |
                          GND    0.1μF     ===
                                          GND

引脚说明(以SOIC-8封装为例):

  • Pin 1 (IN+):同相输入
  • Pin 2 (IN-):反相输入
  • Pin 3,5 (RG):外部增益电阻连接端
  • Pin 4 (REF):输出参考电压(通常接GND)
  • Pin 6 (OUT):放大输出
  • Pin 7 (Vs-):负电源(单电源时接GND)
  • Pin 8 (Vs+):正电源

3. 增益计算公式

增益 ( G = 1 + \frac{49.4 \text{k}Ω}{R_G} )

  • ( R_G ) 单位为欧姆(Ω)
  • :若需增益=100,则 ( R_G = \frac{49.4 \text{k}Ω}{99} ≈ 499 \text{Ω} )

4. 设计注意事项

  1. 电源去耦
    • 靠近芯片电源引脚放置 0.1μF陶瓷电容 + 10μF电解电容,降低噪声。
  2. REF引脚使用
    • 单电源应用时,REF通常接 ½电源电压 以提供输出偏置(可用电阻分压)。
  3. 输入保护
    • 输入信号超出电源范围时,需加钳位二极管或限流电阻。
  4. PCB布局
    • 减少输入走线长度,使用屏蔽电缆抑制干扰。
    • RG电阻尽量靠近芯片引脚,避免引入寄生电容。

5. 关键特性

  • 高共模抑制比 (CMRR):>80 dB(G=1时)
  • 低输入偏置电流:±1 nA(典型值)
  • 宽电源范围:±2.3V 至 ±18V(双电源),或 +4.6V 至 +36V(单电源)
  • 低噪声:8 nV/√Hz(1 kHz)

官方资料获取

完整设计参考请查阅ADI官方文档:

AD8220 数据手册
(包含内部框图、电气特性、典型应用电路及PCB布局建议)

如需具体应用场景的原理图(如ECG放大、桥式传感器调理),可进一步说明需求!

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