BiCS3

Western Digital和Kioxia宣布成功开发了最新一代的3D NAND闪存。他们的第五代BiCS 3D NAND已以512 Gbit TLC部件的形式开始生产，但要到今年下半年才能增加到

西数公司今天正式宣布了新一代闪存技术BiCS5，这是西数与铠侠（原来的东芝存储）联合开发的，在原有96层堆栈BiCS4基础上做到了112层堆栈。

存储公司 Kioxia(原东芝存储)近日宣布，将在今年 Q1 送样 112 层 TLC Flash 芯片，这是第五代 BiCS Flash 3D 存储芯片。

BiCS5采用了广泛的新技术和创新的制造工艺，是西部数据迄今为止最高密度、最先进的3D NAND。

铠侠株式会社（Kioxia Corporation）近日宣布将使用专门设计的半圆形浮置栅极（FG）单元开发全球首个［1］三维（3D）半圆形分栅型闪存单元结构“Twin BiCS FLASH”。

根据消息报道，西部数据公司和Kioxia(铠侠)公司宣布，他们最新一代的3D NAND闪存已经开发成功，第五代BiCS 3D NAND已经开始以512 Gb颗粒形式生产，今年下半年可能会实现商业化量产。

在全球化日益加深的今天，出国旅行已成为许多人生活的一部分。然而，高昂的国际漫游费用和繁琐的手机使用问题，常常让旅行者倍感困扰。为了解决这一难题，国际通信提供商BICS与跨国零售巨头

根据BICS披露的数据，2018年，亚洲地区的数据漫游流量激增245%，其中亚洲区内漫游及区外漫游均有大幅度增长。BICS全球网络连接700多家运营商和500多家数据服务提供商（DSPs），并承载了过半的全球数据漫游流量。

西部数据公司 （NASDAQ： WDC）日前宣布已成功开发第五代3D NAND技术——BiCS5，继续为行业提供先进的闪存技术来巩固其业界领先地位。BiCS5基于TLC和QLC技术构建而成，以有

作为NADN闪存技术的发明者，铠侠（原来的东芝存储）在新一代闪存研发上再次甩开对手，率先推出了Twin BiCS FLASH闪存技术，有望成为PLC闪存的最佳搭档。

BICS的SIM for Things解决方案已在加拿大和中国台湾地区实现了5G设备连接服务覆盖，并计划于2021年底增至50个国家和地区。

电子发烧友网报道（文/黄晶晶）日前，铠侠宣布，其采用第八代BiCS FLASH 3D闪存技术的2Tb四级单元 (QLC) 存储器已开始送样。这款2Tb QLC存储器拥有业界最大容量，将存储器容量

Kioxia（原东芝存储），西部数据（WD）联盟3D NAND闪存使用三星电子技术进行批量生产。 东芝开发的3D NAND技术 BiCS 很早之前，原东芝存储就在国际会议VLSI研讨会上首次分享了

BICS加速企业5G应用部署，助力打造快捷优质服务 据麦肯锡研究，新冠疫情期间，全球数字化进程整体提前了7年。另据IDC预测，到2025年，全球物联网设备连接数将达到420亿个。与此同时，GSMA也

目前，铠侠和西部数据共同研发NAND闪存技术，他们最杰出的作品便是218层堆叠的BICS8 3D闪存，这项产品能达到的传输速度高达3200MT/s。

近日，LiteOn推出一款最新MU3系列SSD，采用东芝64层BiCS 3D TLC NAND，7毫米/2.5英寸外形，SATA 6Gbps接口，提供120GB，240GB和480GB三种容量选择。

前几天西数、铠侠(原东芝存储)各自宣布了新一代BiCS5技术的3D闪存，堆栈层数也从目前的96层提升到了112层，IO接口速度提升40%，同时QLC型闪存核心容量可达1.33Tb，目前是世界最高水平的。

融合现有存储单元与先进的 CMOS 技术，实现投资效益最大化   全球存储解决方案领导者铠侠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH™ 3D 闪存技术的 512Gb TLC存储器已开始送样 （1

资料来源：Kioxia Kioxia（原为东芝存储）有望创建3D NAND闪存的后继产品，与QLC NAND闪存相比，该产品可提供更高的存储密度。这项于周四宣布的新技术允许存储芯片具有更小的单元

三年前，高德纳预测，到2020年，流通中的“东西”将达到200亿个。三年来发生了很多变化。事实上，在过去的12个月里发生了很多变化，BICS首席营销官兼移动与物联网副总裁Mikael Schachne说。

据外媒报道，东芝存储器美国子公司宣布推出一种新的存储器（Storage Class Memory）解决方案：XL-Flash，该技术是基于创新的Bics Flash 3D NAND技术和SLC。

在几大闪存原厂的主力从96层升级到128/144层之后，美光、SK海力士之前推出了176层的3D闪存，现在铠侠、西数也加入这一阵营，推出了162层3D闪存。各大厂商的3D闪存技术并不一样，所以堆栈

。在这样的背景下，建兴储存科技（铠侠子公司）凭借对市场需求的精准洞察，正式推出首款搭载KIOXIA第六代BiCS FLASH™ 3D闪存颗粒的CL6系列工业级SSD。 CL6系列SSD采用PCIe® 4.0 x4传输模式与NVMe™ 1.4c标准，支持全面成熟的主机内存缓冲（HMB）

而主要的 NAND 制造商正在竞相增加垂直 3D NAND 门的数量，并推出了 1yyL 3D NAND 设备。例如，三星 V7 V-NAND、铠侠和西部数据公司 (WDC) BiCS6、美光第 2 代 CTF CuA 和 SK 海力士第 2 和第 3 代 4D PUC NAND 。

根据Tom‘s Hardwared的报道，东芝在今年的闪存峰会上提到了未来的BiCS闪存，以及PLC的NAND开发。

一种新的基于TOPCon的太阳能电池结构，即BICS（背接触交叉指式载流子选择性）太阳能电池。BICS结合了PERC、IBC和TOPCon的优势，在标准条件下（室温、20%反射率）实现超过30mW

的BiCS FLASH™ 3D闪存和控制器。这些全新UFS设备采用Kioxia第8代BiCS FLASH™ 3D闪存(1)打造。该代