`场效应三极管的型号命名方法<br/> 现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料
2009-04-25 15:42:55
现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型
2021-05-13 06:13:46
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 编辑
场效应晶体管是一种改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件,属于电压控制性半导体器件,具有输入电阻高,噪声小,功耗低,没有
2012-08-03 21:44:34
(1)场效应晶体管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似,图1-6-A所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚,图1-6-B所示是P沟道场效应晶体管
2019-03-28 11:37:20
我们常接触到晶体三级管,对它的使用也比较熟悉,相对来说对晶体场效应管就陌生一点,但是,由于场效应管有其独特的优点,例输入阻抗高,噪声低,热稳定性好等,在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管
2018-03-17 14:19:05
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET
2011-12-19 16:30:31
`一、场效应晶体管特点场效应晶体管是电压控制元件,因此和普通双极型晶体管相比,场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点,这就决定了场效应晶体管与其它电子元件有异
2019-03-25 16:16:06
的时候gate电压不足,引起导通不够彻底,从而增加功耗。3、场效应晶体管双电压应用:在一些控制电路中,逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压,而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方
2019-04-16 11:22:48
我们常接触到晶体三级管,对它的使用也比较熟悉,相对来说对晶体场效应管就陌生一点,但是,由于场效应管有其独特的优点,例输入阻抗高,噪声低,热稳定性好等,在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管
2019-06-18 04:21:57
。场效应管的工作方式有两种:当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型;当栅压为零,漏极电流也为零,必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。场效应晶体管作用是什么1、场效应管可应用于放大。由于场效应管
2019-05-08 09:26:37
音频放大器的差分输入电路及调制、较大、阻抗变换、稳流、限流、自动保护等电路,可选用结型场效应晶体管。音频功率放大、开关电源、逆变器、电源转换器、镇流器、充电器、电动机驱动、继电器驱动等电路,可选
2021-05-13 07:10:20
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET
2021-05-24 06:27:18
如何搞定恒流电源电路设计.doc第15章_基本放大电路.ppt基于较大功率的直流电机H桥驱动电路方案.doc详细讲解MOSFET管驱动电路.doc场效应晶体管的几点使用知识.doc全系列场效应管
2019-08-11 22:46:35
(几百欧姆至一千欧姆),则可判断黑表笔接的是栅极G,另外两个电极分别是源S和漏极D。 在两个阻值均为高阻值的一次测量中,被测管为P沟道结型场效应晶体管;在两个阻值均为低阻值的一次测量中,被测管为N
2021-05-25 07:05:04
场效应管与双极型三极管的比较
2012-08-20 08:46:13
载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。(4)场效应管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管
2017-05-06 15:56:51
)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管
2009-04-25 15:43:51
)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管
2018-11-05 17:16:04
性能指标。比较内容场效应管三极管导电机理只依靠一种载流子(多子)参与导电,为单极型器件。两种载流子(多子和少子)参与导电,为双极型器件。放大原理输入电压控制输出电流,gm=0.1ms~20ms输入电流
2011-07-12 20:09:38
场效应晶体管NMOS场效应晶体管。由此观之,“双极”、“单极”是指晶体管中参与导电的载流子类型数,如同通讯系统的“双工”、“单工”的区别一样,而不是应该是“双结”和“单结”。转载自电子发烧友网`
2012-07-11 11:42:48
场效应管具有什么特点?场效应管的工作原理是什么?
2021-09-29 07:19:20
在场效应管对照表中,收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管(JFET)、金属氧化物半导体场次晶体管(MOSFET)、肖特基势垒控制栅场效应晶体管(SB)、金属半导体
2021-05-11 06:19:48
、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。一、场效应管的分类 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管
2013-03-27 16:19:17
1、放大电路 场效应管具有输入阻抗高、低噪声等特点,因此经常作为多级放大电流的输入级,与三极管一样,根据输入、输出回路公共端选择不同,将场效应管放电电路分为共源、公漏、共栅三种状态,如下
2023-02-24 16:28:18
(MOS管)。 晶体管一、晶体管的命名 通常使用的晶体管主要有晶体二极管、晶体三极管、可控硅和场效应管等等,其中最常用的是三极管和二极管两种。三极管以符号BG(旧)或(T)表示,二极管以D表示。 按
2012-07-11 11:36:52
:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下
2012-07-28 14:13:50
。目前广泛应用的是SiO2为绝缘层的绝缘栅场效应管,称为金属-氧化物-半导体场效应管,简称MOSFET。以功能类型划分,MOSFET分为增强型和耗尽型两种,其中耗尽型与增强型主要区别是在制造SiO2绝缘层
2019-07-29 06:01:16
作阻抗变换。 3、场效应管可以用作可变电阻。 4、场效应管可以方便地用作恒流源。 5、场效应管可以用作电子开关。 场效应管的测试 1、结型场效应管的管脚识别: 场效应管的栅极相当于晶体管
2021-05-13 06:55:31
场效应管si2301(p沟道)栅极D1接单片机引脚,电源接源极(s),输出端漏极(d)接一个DCDC然后接负载。问题是,单片机引脚低电平时,输出端(d)确实为高电压,但是单片机引脚高电平时。输出端为0.69v,并没有完全关断。这是场效应管的原因还是电路的设计问题?怎么让场效应管完全关断呢?
2017-12-09 18:46:35
材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 场效应晶体管可分为结
2009-04-25 15:38:10
。 ①场效应管的转移特性曲线 栅极电压(UGs)对漏极电流(ID)的控制作用称为转移特性,反映这两者之间关系的曲线称为转移特性曲线。下图1-60所示为N沟道结型场效应管的转移特性曲线。当栅极电压UGs取
2020-12-01 17:36:25
场效应管的参数场效应管的参数很多,包括直流参数、交流参数和极限参数,但一般使用时关注以下主要参数:1、I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压U GS=0时的漏源电流
2009-04-25 15:43:12
场效应管的测试1、结型场效应管的管脚识别: 场效应管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某
2009-04-25 15:43:42
场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。FET应用范围很广
2009-04-02 09:34:11
`请问场效应管的驱动电压多少?`
2019-08-22 15:55:28
场效应管这种器件也是有PN结构成的,它几乎只利用半导体中的一种载流子来导电,故又称单极性晶体管。特点是输入电阻高,有10^7~10^15欧,所以外部的电压几乎全部会加在管子内部,而 不用考虑外部电源
2019-06-25 04:20:03
在分析的时候,比如此时输入端为高电平,如何确定场效应管源极(S极)的电平,从而无法确定Vgs的值大小
2016-01-09 20:11:56
举例而言,一个结型场效应管,采用自偏置结构,即栅极和源极短接在一起源极也有一个电阻,在电源和漏极接一个负载,此时场效应管可以看做是一个互导放大器,压控电流源,请问此时这种电路的输入输出电阻应该怎么求
2024-01-15 18:06:15
是,最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联,因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理,在此基础上为什么要加电阻?
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
不会有明显的改变。此时三极管功率基本不变,电流达到饱和,电压降也已经是最小值。
场效应管以N增强型为例,其本质是一个压控电阻,通过控制栅源电压控制漏源电阻,具有互导特性,输出阻值的变化比上输入电压
2024-01-18 16:34:45
基础的单一元件,如二极管、三极管、场效应管等等。晶体管具有整流、检波、放大、稳压、开关等多种功能,具有响应速度快、精度高等特点,是规范化操作手机、平板等现代电子电路的基本构建模块,目前已有着广泛
2016-06-29 18:04:43
?
再者在场效应管这种单极性导电半导体中,为什么只是有一种离子导电,而非两种离子,不像晶体管那种两种离子导电,请问这是为什么?同样对于场效应管也有上面的问题?
2024-02-21 21:39:24
使用场效应管;当信号电压低并且允许从信号源汲取较多电流时,应使用晶体管。场效应管使用多数载流子导电,因此称为单极器件,而晶体管同时使用多数载流子和少数载流子导电,称为双极器件。有些场效应管的源漏极可以互换
2021-12-18 16:12:29
电压低并且允许从信号源汲取更多电流时,应使用晶体管。(2)场效应管利用多数载流子导电,故称为单极器件,晶体管既有多数载流子又有少数载流子导电,它被称为双极器件。(3)部分场效应管的源漏极可以互换
2021-12-09 16:26:24
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导...
2022-02-16 06:48:11
。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的是增强型MOS场效应管,其内部结构见图4。它可分为NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型通常称P沟道型。由图可看出,对于N沟道型的场效应管其源极
2011-06-08 10:43:25
的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分红耗尽型与加强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有加强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和加强型;P沟耗尽型和加强型四大类。见下图。
2018-10-29 22:20:31
分为增强型和耗尽型,这两种电子元器件工作原理略有不同,增强型管在栅极(G)加上正向电压时漏极(D)和源极(S)才能导通,而耗尽型即使栅极(G)没加正电压,漏极(D)和源极(S)也是导通的。其实到这场效应晶体管
2019-04-15 12:04:44
缩小每个晶体管面积以获得相同的体积,从而在相同的总尺寸中产生更多的晶体管。 图1.平面场效应管 在平面设计中,浇口仅控制一个方向。在 3D 设计中,门缠绕在鳍片周围,提供两个或三个方向的控制(图
2023-02-24 15:20:59
第一部分 晶体管的工作原理 N型场效应管(N-Channel Field Effect Transistor,FET)是一种电极介质驱动的晶体管,通常用来将微弱的输入信号增强到数千或数万次。其
2023-03-08 14:21:22
图(1)的NPN型场效应管作为源极跟随器,此时门极电压值为VG。现在想转换为图(2)的状态,即让D极接地,想让此NPN场效应管电流反向流(即从S极流向D极),请问这个时候门极电压应该怎样配置?是给0V还是可以维持VG呢?给0V和维持VG电流i会不同吗?
2021-04-21 09:48:35
PNP双极型晶体管的设计
2012-08-20 08:29:56
晶体管之优点集于一身,因此在电压放大器(电压放大倍数可达数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 众所周知,传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上,其工作电流
2021-05-13 06:40:51
优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。(6)场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。其他比较:1、三极管是双极型
2018-03-25 20:55:04
,和场效应晶体管一样,具有放大作用和开关特性的,是电子设备中的核心器件之- -,应用十分广泛。三极管和场效应晶体管虽然特性,外形相同,但是工作原理却大不-样,普通三极管是电流控制器件,二场效应晶体管是电压
2019-04-09 11:37:36
管的UGS一ID曲线,可明白看出IDSS和UP的意义。(3)开启电压开启电压UT是指加强型绝缘栅场效应晶体管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。(4)跨导跨导gm是表示栅源电压UGS对漏极电流ID的控制
2019-04-04 10:59:27
件,它是继三极管之后的新一代放大元件,场效应晶体管可分为耗尽型效应晶体管和增强型效应晶体管,同时又有N沟道和P沟耗尽型之分。场效应管一般用于开关作用,有开关用以及有功率用。特别是电机、开关电源等,应用场
2023-02-13 15:43:28
PNP和NPN两种,一般在信号源电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应优先选用三极管。二、场效应晶体管定义:场效应晶体管(FET)简称场效应管,也称为单极型晶体管,主要有两种类型,JFET管
2019-04-08 13:46:25
场效应管性能当面不是已经超过了三极管了么,三极管会不会被淘汰?为什么总是讨论三极管问题?我是初学者,刚学了场效应管,嘿嘿,
2015-11-04 12:54:44
件,它是继三极管之后的新一代放大元件,场效应晶体管可分为耗尽型效应晶体管和增强型效应晶体管,同时又有N沟道和P沟耗尽型之分。场效应管一般用于开关作用,有开关用以及有功率用。特别是电机、开关电源等,应用场
2023-02-08 17:22:23
大家好,我是电路小白。理论知识有点,但是实践机会甚少。想问在维修电路板时,有个别不重要的场效应管坏了,可否用三极管代替呀?谢谢!
2021-11-27 12:47:16
、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称
2021-11-20 10:40:18
随着电子设备升级换代的速度,大家对于电子设备性能的标准也愈来愈高,在某些电子设备的电路设计与研发中,不仅是开关电源电路中,也有在携带式电子设备的电路中都是会运用到性能更好的电子元器件——场效应晶体管
2019-09-01 08:00:00
二极管三极管与晶闸管场效应管解析
2021-02-24 09:22:34
制成的二极管、晶体管、场效应晶体管、晶闸管等。晶体管大多是指晶体三极管。晶体管分为两大类:双极晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。晶体管的结构晶体管有三极:双极晶体管的三极分别由N型和P型组成
2023-02-03 09:36:05
本文探讨了鳍式场效应晶体管的结构、它们在各种应用中的用途,以及它们相对于 MOSFET 的优缺点。 什么是鳍式场效应晶体管? 鳍式场效应晶体管是一种晶体管。作为晶体管,它是一个放大器和一个
2023-02-24 15:25:29
的使用中也是必不可少的。我们知道场效应晶体管的种类很多,根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管;绝缘栅型场效应管又称为金属氧化物导体场效应管,或简称MOS场效应管. 1、如何防止绝缘栅型场效应管
2016-01-26 10:19:09
场效应管的作用:放大、调制、谐振和作开关用,场效应管是电压控制型器件。场效应管的好坏判断:把数字万用表打到二极管档,用万用表任意触碰场效应管的三只引脚,好的场效应管最终结果只有一次有读数,并且在
2012-05-04 09:51:12
极)及D(漏极),如图1d所示。从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的,D与S之间有两个PN结。一般情况下,衬底与源极在内部连接在一起。图1是N沟道增强型场效应管(MOSFET)的基本结构图
2011-12-19 16:52:35
功率场效应管MOSFET,功率场控晶体管
2019-04-10 10:02:53
场效应管(MOSFET)是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件),因此在驱动大电流时无需推动级,电路较简单。
2019-09-30 09:01:58
单极型晶体管也称场效应管,简称FET(FieldEffectTransistor)。它是一种电压控制型器件,由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子(多数载流子)参与
2020-06-24 16:00:16
很多应用中,甚至可以直接贴换三极管。1概述场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有...
2021-07-14 06:38:07
。场效应晶体管是防护电压的一种,可以被制造为增强型或者耗尽型,P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道场效应晶体管和增强型的P沟道场效应晶体管。实际应用中,N场效应晶体管居多。N沟道
2019-03-29 12:02:16
IGBT是由哪些部分组成的?绝缘栅双极型晶体管IGBT有哪些特点?如何去使用绝缘栅双极型晶体管IGBT呢?
2021-11-02 06:01:06
如何快速定性判断场效应管、三极管的好坏?怎么判断结型场效应管的电极?有什么注意事项?如何判别晶体三极管管脚?
2021-05-10 06:36:25
如何挑选出好的场效应晶体管?晶体三极管选用技巧有哪些?
2021-06-18 06:50:42
`从型号区分 场效应管型号如IRF......... 三极管型号如国产:3DD,国外:2S......... 场效应管有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管,第三位字母J代表结型场效应管,O
2012-07-11 11:41:15
常用场效应管及晶体管参数常用场效应管及晶体管参数场效应管的主要参数 (1)直流参数 饱和漏极电流IDSS 它可定义为:当栅、源极之间的电压等于零,而漏、源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流
2008-08-12 08:39:59
`常用场效应管及晶体管参数表`
2012-08-20 08:40:24
组合块,其原理和这里的两个源极相连的场效应管的原理是一样的。在mpn中,三极管多为做电子开关来使用,这样有一个特点来判别:2脚(npn型)或者3脚(pnp型)是接地的,场效应管没有任何一个脚是直接接地的!稳压IC绝对1脚是接地的,3脚是正电输入,2脚是稳压输出。但注意的是这只是一般,不是绝对!
2021-05-25 06:00:00
明原先假定是正确的。再次测量的阻值均很小,说明是正向电阻,属于P沟道场效应管,黑表笔所接触的也是栅极G。若不出现上述情况,可以互换红黑表笔,按上述方法进测试,直至判别栅极爲止。普通结型效应晶体管的源极
2019-03-21 16:48:50
通就够用了。电力场效应管的结构和工作原理电力场效应晶体管种类和结构有许多种,按导电沟道可分为P沟道和N沟道,同时又有耗尽型和增强型之分。在电力电子装置中,主要应用N沟道增强型。电力场效应晶体管导电
2020-03-20 17:14:07
和工作原理电力场效应晶体管种类和结构有许多种,按导电沟道可分为P沟道和N沟道,同时又有耗尽型和增强型之分。在电力电子装置中,主要应用N沟道增强型。电力场效应晶体管导电机理与小功率绝缘栅MOS管相同,但结构有
2020-03-20 17:09:10
`晶体三极管简称三极管,和场效应晶体管一样,具有放大作用和开关特性的,是电子设备中的核心器件之一,应用十分广泛。三极管和场效应晶体管虽然特性,外形相同,但是工作原理却大不一样,普通三极管是电流控制器
2019-03-27 11:36:30
的种类繁多,根据结构不同分为结型场效晶体应管和绝缘栅型场效应晶体管;绝缘栅型场效应晶体管又称为金属氧化物导体场效应晶体管,或简称MOS场效应晶体管。1、防止绝缘栅型场效晶体应管击穿由于绝缘栅场效应管
2019-03-26 11:53:04
1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。
为使N沟道场效应管能够正常工作,应在其栅源之间加负向电压,以保证耗尽层承受反向电压;在漏源之间加正向电压,以形成漏极电流。N沟道场效应管在不加控制电压
2024-01-30 11:38:27
结型场效应管资料下载内容主要介绍了:结型场效应管结构与分类结型场效应管工作原理结型场效应管特性曲线
2021-04-01 07:50:16
绝缘栅场效应管的导电机理是,利用UGS 控制"感应电荷"的多少来改变导电沟道的宽窄,从而控制漏极电流ID。若UGS=0时,源、漏之间不存在导电沟道的为增强型MOS管,UGS=0 时,漏、源之间存在导电沟道的为耗尽型MOS管。
2019-09-30 09:02:16
请问单结晶体管BT33可以和场效应管BT33互换吗?
2023-03-22 11:09:11
请问有没有隔离型的场效应管驱动芯片?
2015-08-17 10:41:08
`在传统MOSFET中,载流子从源极越过pn结势垒热注入到沟道中。而隧穿场效应晶体管(Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET)的工作原理是带间隧穿
2018-10-19 11:08:33
场效应管,晶体管,场效应管和晶体管的区别
场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中
2010-03-31 10:06:22906
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